발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법 document_id 1020057014770

[청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 양극 측 클래딩층은 0.5㎛이상의 두께를 갖도록 성장되고 활성층에 접하는 비도핑 alinp층(7); 및 p형 전도성을 띠도록 도핑되며, 윈도우층에 접하고, 상기 비도핑 alinp층의 에너지 밴드갭값과 윈도우층의 에너지 밴드갭값 사이에 중간 에너지 밴드갭을 갖는중간층포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 음극 측 클래딩층은 상기 비도핑 alinp층의 음극 측단에 접하고 도펀트로서 기능하는 실리콘을 함유하는 ｎ형클래딩층포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 반도체 기판은 ｎ형 전도성이고,상기윈도우층전도성인것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 9] 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 윈도우층은 3㎛이상의두께가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 10] 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 윈도우층nan은두께와캐리어농도2이상인것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 11] 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 윈도우층은 1×1018㎝-3이상의표면의캐리어농도가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 12] 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 윈도우층은 불순물로서 zn 또는 mg을 함유하는형성되는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 13] 제 7 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 평면적으로 볼 때 패드 전극과 겹치지 않도록반도체층표면형성되는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 14] 제 7 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극의 면적은 패드전극의 면적보다 작은 것특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 15] 제 7 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 유효 방사 면적의 3%이상 30%이하의합계표면적가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 16] 제 7 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극nan은금합금형성된것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 17] 제 7 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명 도전막은산화인듐 주석형성된것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 18] 제 7 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패드 전극은 평면적으로 볼때소자표면의중심형성되어있는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 19] 제 7 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패드 전극은 금으로 형성된표면가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 20] 제 7 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패드 전극은 다층막으로 형성되고, 투명 도전막과 접하는 크롬으로 형성된층가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 21] 제 7 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 패드 전극을 둘러싸는 거의 사각형 또는 원형을 갖는루프 전극형성된것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 22] 제 7 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 20㎛ 이하의 폭을 갖는루프 전극인것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 27] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 윈도우층의 표면의 일부에 형성되고 상기 윈도우층과 오믹 접촉하는 분배 전극(32); 상기 윈도우층과 상기 분배 전극의 표면을 커버하도록 형성되고 그 분배 전극과 도통하는 투명 도전막(29); 및 상기 투명 도전막의 표면의 일부에 형성되고 그 투명 도전막과 도통하는패드전극포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,상기 윈도우층은 3㎛이상의두께가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 29] 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,상기 윈도우층은 두께와 캐리어 농도를 갖고, 그곱2이상인것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 30] 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 윈도우층은 1×1018㎝-3이상의표면캐리어농도가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 31] 제 27 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 평면적으로 볼 때 패드 전극과 겹치지 않도록반도체층표면형성되어있는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 32] 제 27 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극의 면적은 패드 전극의 면적보다 작은 것특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 33] 제 27 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 유효 방사 면적의 3%이상 30%이하의합계표면적가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 34] 제 27 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극nan은금합금형성된것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 35] 제 27 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명 도전막은산화인듐 주석형성된것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 36] 제 27 항 내지 제 35 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패드 전극은 평면적으로 볼때소자표면의중심형성되어있는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 37] 제 27 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패드 전극은 금으로 형성된표면가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 38] 제 27 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 패드 전극은 다층막으로 형성되고, 투명 도전막과 접하는 크롬으로 형성된층가지는것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 39] 제 27 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 패드 전극을 둘러싸는 거의 사각형 또는 원형을 갖는루프 전극형성된것을특징으로 하는발광 다이오드 소자. [청구항 40] 제 27 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분배 전극은 20㎛ 이하의 폭을 갖는루프 전극인것을특징으로 하는발광 다이오드 소자.