문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,적어도 하나의 전자 소자는트랜지스터포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,적어도 하나의 전자 소자는포토다이오드포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,적어도 하나의 전자 소자는 발광(light emitting)다이오드포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기제1 iii족-질화물층포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기제1 iii족-질화물 층은단결정포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기제1 iii족-질화물층포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,적어도 하나의 전자 소자는 상기 표면 탄성파 소자에 인접한 메사(mesa)상형성된것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 복수의 금속 핑거들nan은알루미늄포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 표면 탄성파 소자및 상기적어도하나의전자 소자사이의트렌치더포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고,상기 트렌치는 상기 제1 iii족-질화물 층을 관통하여상기기판내신장하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 12]
제 1 항에 있어서,적어도 하나의 전자 소자는실리콘 카바이드포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 13]
제 1 항에 있어서,상기 복수의 금속 핑거들은 상기 단일체 전자 소자 다이의 가장자리에 대해각도향하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 14]
제 1 항에 있어서,상기 입력및/또는 출력 변환기들의 적어도 하나에 인접한 saw흡수기더포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 15]
제 1 항에 있어서,상기 입력및/또는 출력 변환기들의 적어도 하나에 인접한 saw반사기더포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 16]
제 1 항에 있어서,상기 금속 핑거들은 이온 주입된,전기적비활성 영역위형성된것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 17]
제 6 항에 있어서,상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고,상기 제1 iii족-질화물 층은 상기 기판 상에 바로 형성된포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,을 포함하는 상기 제1 iii족-질화물 층의 두께는 하나의 saw 파장보다 작은 것특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 19]
제 17 항에 있어서,을 포함하는 상기 제1 iii족-질화물 층의 두께는 하나의 saw 파장과 같거나 그보다 큰 것특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 21]
제 1 항에 있어서,상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고,상기 기판은 사파이어, 알루미늄 질화물, 알루미늄 갈륨 질화물, 갈륨 질화물, 실리콘, gaas, lgo, zno, lao, and inp로 이루어진 군에서 선택되고,상기 제1 iii족-질화물 층은 상기 기판과 상기 제2 iii족-질화물에피텍셜층사이위치하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 45]
제 1 항에 있어서,상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고, 상기 제1 iii족-질화물 층은 상기 기판과 상기 제2 iii족-질화물에피텍셜층사이위치하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 46]
제 1 항에 있어서,상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고,상기 제1 iii족-질화물 층은상기기판상의버퍼층포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 47]
제 1 항에 있어서,상기 단일체 전자 소자는 기판 및 상기 기판 상의 버퍼층을 더 포함하고,상기 버퍼층은 상기 기판과 상기 제1 iii족-질화물층사이위치하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
[청구항 48]
제 45 항 내지 제 47 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판nan은포함하는것을특징으로 하는단일체 전자 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
단일체 전자 소자에서 트렌치가 제1 III족-질화물 층을 관통하여 기판 내로 신장되기 위한 구성 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation단일체 전자 소자에서 트렌치가 제1 III족-질화물 층을 관통하여 기판 내로 신장되기 위한 구성 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11에서 트렌치가 제1 III족-질화물 층을 관통하여 기판 내로 신장되는 구성이 언급되었다.
- 상기 트렌치는 상기 제1 iii족-질화물 층을 관통하여상기기판내신장하는것
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3근거 선택
evidence_selection트렌치의 신장 조건과 관련된 청구항 11의 내용을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고,상기 트렌치는 상기 제1 iii족-질화물 층을 관통하여상기기판내신장하는것
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4논리 통합
logical_integration트렌치가 제1 III족-질화물 층을 관통하여 기판 내로 신장되기 위해서는 단일체 전자 소자가 기판을 포함하고 있어야 한다.
- 상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고
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5결론 도출
conclusion_formulation트렌치가 제1 III족-질화물 층을 관통하여 기판 내로 신장되기 위한 조건은 단일체 전자 소자가 기판을 포함하는 것이다.
- 상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 답변을 작성한다.
- 상기 단일체 전자 소자는 기판을 더 포함하고
최종 답변 (final_answer)
단일체 전자 소자가 기판을 더 포함하는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 단일체 전자 소자가 기판을 포함함으로써, 트렌치가 제1 III족-질화물 층을 관통하여 기판 내부까지 연장될 수 있는 구조적 조건을 제공한다.