고체촬상소자 및 그 제조방법과 고체촬상소자의 구동방법 document_id 1020057016554

[청구항 1] 화소를 구성하는 수광센서부의 한쪽에, 상기 수광센서부로부터의 신호전하를 읽어내기 위한 전극이 설치되고, 촬상영역의 상기 수광센서부 이외를 덮어 차광막이 형성되고, 상기 차광막에 소정의 전압신호를 인가하도록 구성되고, 상기 수광센서부의 광전변환 영역을 구성하는 제 1 도전형의 반도체영역의 표면의 중앙부에, 제 2 도전형의 반도체영역이 형성되고, 상기 제 1 도전형의 반도체 영역의 표면의, 상기 전극 측의 단부 및 그 반대측의 화소분리영역 측의 단부에, 상기 제 2 도전형의 반도체영역보다도 불순물농도가 낮은 영역이 형성되어 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상소자 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 전압신호로서 dc 바이어스와 클럭펄스의 어느 한쪽 또는 양쪽을 인가하도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 수광센서부의 한쪽에 읽어낸 상기 신호전하를 전송하는 전하전송부가 설치되고, 상기 전극이 상기 전하전송부에 있어서전하전송전극구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 수광센서부의 상기 제 2 도전형의 반도체영역이, 상기 수광센서부 상의 차광막의 개구와 자기정합하여 형성되어구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 5] 화소를 구성하는 수광센서부의 한쪽에, 상기 수광센서부로부터의 신호전하의 읽어내기 또는 읽어낸 신호전하의 전송을 행하는 제 1 전극이 배치되고, 상기 전극의 상기 수광센서부 측에, 상기 제 1 전극과는 전기적으로 독립한 다른 전극이 설치되고, 상기 다른 전극에 소정의 전압신호를 인가하도록 구성되고, 상기 수광센서부의 광전변환 영역을 구성하는 제 1 도전형의 반도체영역의 표면의 중앙부에, 제 2 도전형의 반도체영역이 형성되고, 상기 제 1 도전형의 반도체영역의 표면의, 상기 제 1 전극 측의 단부 및 그 반대측의 화소분리영역 측의 단부에, 상기 제 2 도전형의 반도체 영역보다도 불순물 농도가 낮은 영역이 형성되어 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상소자 [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 전압신호로서 dc 바이어스와 클럭펄스의 어느 한쪽 또는 양쪽을 인가하도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 7] 제 5항에 있어서,상기 수광센서부의 한쪽에 읽어낸 상기 신호전하를 전송하는 전하전송부가 설치되고, 상기 제 1 전극이 상기 전하 전송부에 있어서전하전송전극인것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 8] 제 5항에 있어서,상기 수광센서부의 상기 제 2 도전형의 반도체영역이, 상기 다른 전극의 가장자리와 자기정합하여 형성되어구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 9] 수광량에 따라 전하를 생성하는 광전변환부와, 상기 광전변환부로부터 읽기 전극에 의해 읽어내진 전하를 받아들이는 전하 축적부를 가지고, 상기 광전변환부는, 제 1 도전형의 제 1 불순물 영역과 상기 제 1 불순물 영역의 상부에 형성된 제 2 도전형의 제 2 불순물 영역을 포함하고, 상기 제 2 불순물 영역과 상기 전하 축적부의 사이에, 상기 제 2 불순물 영역보다 저농도의 제 2 도전형의 제 3 불순물 영역 및 제 4 불순물 영역이 형성되어 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상소자 [청구항 10] 제 9항에 있어서,전극과는 별도로 형성된 전압인가부를 가지고,상기 제 3 불순물 영역은 상기 제 2 불순물 영역에 인접하여 형성되고,상기 전압인가부는 적어도 상기 제 3 불순물 영역에 전압을 인가하여 상기 제 3 불순물 영역의 전위를 제어하도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 14] 센서부에서 광전변환하여 얻어진 전기적 신호를 전하결합소자에 의해 전송 하는 것으로 그 센서부 상에 개구부를 설치하여 그 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 차광막을 갖춘 고체촬상소자에 있어서, 상기 차광막은 직류전원에 접속되도록 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상소자 [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 차광막은 복수의 층으로 형성되어 있고, 상기 복수의 층의 제 1 차광막은, 상기 센서부 상에 개구부를 설치하여 상기 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 동시에 접지되어 있고, 상기 복수의 층의 제 2 차광막은, 이 제 2 차광막보다 아래층의 차광막 상에 절연막을 통하여 형성되고, 상기 제 1 차광막의 개구부의 한 변 측에서 상기 센서부에 길게 나와 형성되어 있는 동시에 직류전원에 접속되도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 16] 센서부에서 광전변환하여 얻어진 전기적 신호를 전하결합소자에 의해 전송 하는 것으로 그 센서부 상에 개구부를 형성하여 그 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 차광막을 갖춘 고체촬상소자에 있어서, 상기 차광막은 펄스발생 전원에 접속되도록 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상소자 [청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 차광막은 복수의 층으로 형성되어 있고, 상기 복수의 층의 제 1 차광막은, 상기 센서부 상에 개구부를 설치하여 상기 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 동시에 접지되어 있고, 상기 복수의 층의 제 2 차광막은, 이 제 2 차광막보다 아래층의 차광막 상에 절연막을 통하여 형성되고, 상기 제 1 차광막의 개구부의 한 변 측에서 상기 센서부에 길게 나와 형성되어 있는 동시에 펄스발생 전원에 접속되도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기 제 2 차광막은 읽기 전극 측에 형성되도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 24] 센서부에서 광전변환하여 얻어진 전기적 신호를 전하결합소자에 의해 전송 하는 것으로 그 센서부 상에 개구부를 형성하여 그 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 차광막을 갖춘 고체촬상소자에 있어서, 상기 차광막은 직류 전원에 접속되고, 상기 센서부는 상기 고체촬상소자의 읽기 게이트 및 인접하는 화소와의 채널 스톱층과의 사이에 오프셋 영역이 설치되어 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 고 체촬상소자 [청구항 25] 제 24항에 있어서,상기 차광막은 복수의 층으로 형성되어 있고, 상기 복수의 층의 제 1 차광막은, 상기 센서부 상에 개구부를 형성하여 상기 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 동시에 접지되어 있고, 상기 복수의 층의 제 2 차광막은, 이 제 2 차광막보다 아래층의 차광막 상에 절연막을 통하여 형성되고, 상기 제 1 차광막의 개구부의 한 변 측에서 상기 센서부에 길게 나와 형성되어 있는 동시에 직류전원에 접속되도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 26] 센서부에서 광전변환하여 얻어진 전기적 신호를 전하결합소자에 의해 전송 하는 것으로 그 센서부 상에 개구부를 형성하여 그 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 차광막을 갖춘 고체촬상소자에 있어서, 상기 차광막은 펄스발생 전원에 접속되고, 상기 센서부는 상기 고체촬상소자의 읽기 게이트 및 인접하는 화소와의 채널 스톱층과의 사이에 오프셋 영역이 설치되어 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상소자 [청구항 27] 제 26항에 있어서,상기 차광막은 복수의 층으로 형성되어 있고, 상기 복수의 층의 제 1 차광막은, 상기 센서부 상에 개구부를 형성하여 상기 센서부 측의 비광전변환 영역을 피복하는 동시에 접지되어 있고, 상기 복수의 층의 제 2 차광막은, 이 제 2 차광막보다 아래층의 차광막 상에 절연막을 통하여 형성되고, 상기 제 1 차광막의 개구부의 한 변 측에서 상기 센서부에 길게 나와 형성되어 있는 동시에 펄스발생 전원에 접속되도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 28] 제 27항에 있어서,상기 제 2 차광막은 읽기 전극 측에 형성되도록구성된것을특징으로 하는고체촬상소자.