문맥 (context)
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,입사광의 광통로가 광 트랩(light trap)에 의해 상기 광활성층연장되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 광 트랩은 상기 도핑된 이송층이 i-층에 대해 매끄러운 경계층을 나타내고, 콘택 영역에 대해경계면형성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 5]
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 부품은 주기적으로 마이크로-구조화된 기판 상에 위치되고 상기 도핑된 이송층은 전체 영역 상에 부품의 균일한 기능이 확보되도록 상기 광활성층과상기콘택층사이위치되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 6]
제 1 항, 제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기i 층은 서로 다른 흡수 스펙트럼을 갖는층들구성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,다이오드 구조물이 제공되고, 상기 제 2의 pi, ni 또는 pin 다이오드 구조물의 이송층이 상기 제 2의 pi, ni 또는 pin 다이오드 구조물의 광활성층 보다 큰 광학적 밴드 갭을 나타내고, 상기 제 2의 pi, ni 또는 pin 다이오드 구조물은 350nm 내지 2000nm의 태양 스펙트럼 범위 중 일부 스펙트럼 범위에서 부분적투명한 것을특징으로 광활성 부품.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,개개의 구조물들의 i-층은 각각 동일한 광학적 흡수도를 나타내고 각각이 광학적으로 얇아, 흡수 최대치에서 50% 이상 80% 이하의 광을 투과시키거나, 또는 개개의 구조물들의 i-층들은 서로 상보적인 서로 다른광학적흡수스펙트럼나타내는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 9]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,흡수 스펙트럼을 갖는 광학적으로 얇은 i-층들 및 서로 다른 상보적인 흡수 스펙트럼을 갖는 i-층들을 포함하는3개의구조물들제공되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 10]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,하나 이상의 구조물들의 i-층이 서로 다른 흡수 스펙트럼을 갖는층들구성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 11]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,개의 구조물들 사이의 전이부와 근접한 n-층 또는 p-층이도핑나타내는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 12]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,금속, 염 또는 무기 물질의 층이 n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층사이통합되는특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,금속, 염 또는 무기 물질의 층들중 적어도 하나의 층이 n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층사이통합되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 14]
제 12 항에 있어서,유기 또는 무기 반도체 물질을 포함하는 하나 이상의 도핑된층통합되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 15]
제 12 항에 있어서,금속, 염 또는 tco(투명한 전도성 산화물)을 포함하는 다른 무기 물질을 포함하는 투명층 또는 반투명층이 부가되거나,또는투명층및반투명층중하나이상의층부가되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 16]
제 12 항에 있어서,금속, 염 또는 다른 무기 또는 유기 물질의 나노 클러스터(nano-cluster)를 포함하는층또는이들층들통합되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 17]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,각각의 구조물을 각각 접촉시키기 위한 투명 또는 반투명 콘택이 n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층사이부가되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 18]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,하나 이상의 광 트랩이사용되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 19]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 콘택은 반투명층으로서 zno, 전도성 중합체들 또는 금속을 포함하는 투명한 전도성 물질, 및 고도로 투명한 ito(인듐 주석산화물구성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 20]
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,층의 두께를 포함하는 상기 층들의 두께는, 모든 구조물들이 상기 광활성 부품에서 광학적 장(optical field) 분포를 고려하여 동일한 광전류를 제공하도록선택되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 21]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,층이 p-도핑된 층으로 구성되고, i-층이 전기적 조건(term)에서 비도핑된 층 또는 도핑된 층과 비교하여 약간 도핑된 층으로 구성되며, 적어도 하나의 층은 광자를 흡수하고 전류를 발생시키는 층으로서, 광활성층으로 형성되며, n-층은 하나 이상의 n-도핑된층포함하는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 22]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,전체 구조물에투명및반사콘택제공되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 23]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,콘택은 금속, ito, zno:a1 또는 다른 tco를 포함하는 전도성 산화물, 또는 pedot:pss를 포함하는전도성중합체구성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 24]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,선택되는 n-도핑된 층 또는 p-도핑된 층의 두께에 따라, 광학적 장의 장력(field strength) 분포와 관련되는 i-층의 위치가 최적화되는(optimize) 것특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 25]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,하나 이상의 광활성층들(3a 또는 3b, 7b) 또는 이송층들(2a, 4a 또는 2b, 4b, 6b, 8b 등)에서 도핑 두께는 구배(gradient)를 나타내며, 상기 이송층들에서 도핑 두께는 상기 광활성층방향감소되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 26]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,혼합된 층들을 포함하는 상기 광활성층들의 성분은유기물질구성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 27]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,하나 이상의 도펀트는 알칼리 금속을 포함하는무기물질인것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 28]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,층들(3a 또는 3b, 7b 등)의 적어도 일부는 전체적으로 또는 부분적으로무기물질구성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 29]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,전하 이송층들(2a, 4a 등, 2b, 4b, 6b, 8b 등)의 적어도 일부는 전체적으로 또는 부분적으로무기물질구성되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 30]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,유기 억셉터 분자가 홀 전이층의 p-도핑을 위해 사용되며, 퀴논, 테트라시아노퀴노디메탄, (f4-tcnq와 같은 tcnq 유도체), 디시아노퀴노디이민 (dcnqi 유도체) 및 보다 고급의 퀴논에 상응하는 유도체(나프토퀴논 및 안트라퀴논 유도체) 클래스의 분자가 사용될 수있는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 31]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,이온화 에너지가 메톡시 또는 메틸기와 같은 전자-분리 치환기를 통해 낮아지는 tpd 유도체를 포함하는 테트라페닐디아민(tpd)의 유도체, 및 이들의 스피로 유도체,b) 트리스(디페닐아미노)-트리페닐아민 (tdata)의 유도체, 트리아미노페닐 유도체, 트리페닐벤젠 유도체를 포함하는 트리메틸아민 유도체c) 티오펜 고리의 사용을 통하여 도너 특징을 수용하는, 올리고티오펜을 포함하는 올리고머,d) 올리고-파라-페닐렌 비닐렌 (oppv)의 유도체,e) 포르피린 또는 프탈로시아닌,f) 페릴렌 또는 테릴렌 유도체의 물질 클래스 중 하나로부터의 물질이 p-이송층들을 위한호스트물질사용되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 32]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,또는 나프탈렌 테트라카르복실산 디이미드(ptcdi, ntcdi), 페릴렌 또는 나프탈렌 테트라카르복실산 이무수물(ptcdi, ntcda), 페릴렌 또는 나프탈렌 테트라카르복실릭 비스이미다졸 (ptcdi, ntcbi)의 유도체,b) c60 또는 c70 및 이들의 유도체와 같은 풀러렌(fullerene)c) 전자 친화력이 불소 또는 염소와 같은 전자-끌기 치환기를 통하여 증가되는, 프탈로시아닌 또는 포르피린,d) 퀴논,e) 불화된 올리고페닐을 포함하는 불소, 염소, cf3, cn 등과 같은 치환기를 통하여 증가된 전자 친화력을 갖는 올리고머, f) 옥사디아졸 유도체의 물질 클래스 중 하나로부터의 물질이 p-이송층들을 위한호스트물질사용되는것을특징으로 하는광활성 부품.
[청구항 33]
제 1항, 제 3 항, 제 4항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,층들(3a 또는 3b, 7b)은 도너형 물질 및 억셉터형 물질을 포함하며, 상기 도너형 물질은 제 31항에 따른 물질 클래스로부터 선택된 물질이며 상기 억셉터형 물질은 제 32항에 따른 물질 클래스로부터 선택된물질인것을특징으로 하는광활성 부품.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
광활성 부품에서 n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층 사이에 통합될 수 있는 물질의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation광활성 부품 내 n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층 사이에 통합되는 물질의 종류를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 12항에서 n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층 사이에 통합되는 물질에 대한 언급을 확인한다.
- n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층사이통합되는특징
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3근거 선택
evidence_selection해당 위치에 통합되는 물질로 명시된 '금속, 염 또는 무기 물질'을 선택한다.
- 금속, 염 또는 무기 물질의 층이 n차 구조물의 p-층과 n+1차 구조물의 n-층사이통합되는특징
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4논리 통합
logical_integration청구항 12항의 내용을 바탕으로 질문에서 요구하는 물질의 종류를 도출한다.
- 금속, 염 또는 무기 물질
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 금속, 염, 무기 물질을 리스트 형식으로 정리한다.
- 금속, 염 또는 무기 물질
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
- 금속, 염 또는 무기 물질
최종 답변 (final_answer)
금속, 염, 무기 물질
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 광활성 부품의 구조물 간 전이 영역(n차 p-층과 n+1차 n-층 사이)에 금속, 염 또는 무기 물질 층을 통합하여 구조적/전기적 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.