개선된 이미저 광 차폐체 document_id 1020057019265

[청구항 1] 화소 광변환장치; 상기 화소 광변환장치와 전기적으로 통신하는 화소 회로 상기 화소 회로 상에 제공되며, 상기 광변환장치 상의 투광영역을 갖는 광 차폐체 층; 및 1개 이상의 연결층으로서, 모든 상기 연결층이 상기 광 차폐체 층 상에 제공되는 1개 이상의 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미저(imager) 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 화소 회로는 상기 광변환장치를 확산영역에 전기적으로 연결하기 위한 전송 트랜지스터를 포함하고, 상기 확산영역은 상기 1개 이상의 연결층 내에 제공되는 도전체에 의해 트랜지스터 게이트에전기적접속되는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 도전체는 상기 광 차폐체 층 상에 제공된제1금속연결층내제공되는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 광변환장치는 확산영역에 전기적으로 접속되고, 상기 화소 회로는 상기 확산영역을 트랜지스터 게이트에 전기적으로 연결하기 위한 도전체를 더 포함하고, 상기 도전체는상기1개이상의연결층내제공되는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 도전체는 상기 광 차폐체 층 상에 제공된제1도전성연결층내제공되는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 광변환장치는 포토다이오드, 포토게이트 및 포토콘덕터로 구성되는 그룹으로부터 선택된포토센서인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 광변환장치는포토다이오드인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체는 전기적으로도전층인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체는 전기적으로절연층인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체의 상기 투광영역nan은상기광차폐체층내개구인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체는 텅스텐, 텅스텐실리사이드, 티타늄, 티타늄나이트라이드, 코발트, 크롬, 폴리실리콘-텅스텐실리사이드, 알루미늄, 티타늄실리사이드 및 이들의 합성물로 구성되는 그룹으로부터 선택된물질포함하는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체와 전기적으로 콘택하는접지회로더포함하는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체 내에, 도전체를 통과하도록 구성된개구더포함하는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 1개 이상의 연결층은 적어도 제1 연결층과,상기제1연결층상의제2연결층포함하는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체는 약 100å 내지 약 3000å의두께갖는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체는 상기 광 차폐체 층에 입사하는 광의 1% 미만이상기하부의화소회로투과하게하는것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 1개 이상의 연결층은 상기 광변환장치 상에 배치되는 부분에서적어도부분적투명한것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체 층은 상기 화소 회로 상의 평탄한층인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기 광 차폐체 층은 상기 화소 회로 상의 균질한층인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 20] 제1항에 있어서,장치는씨모스장치인것을특징으로 하는이미저 장치. [청구항 21] 1개 이상의 씨모스 화소 센서 셀을 구비한 집적회로에 있어서, 상기 화소 센서 셀은, 반도체 기판; 상기 기판 내의 포토센서; 상기 포토센서에 의해 생성된 전하를 전송하기 위한, 상기 기판 상의 트랜지스터 게이트 상기 기판과 상기 트랜지스터 게이트 상에 배치되나 상기 집적회로의 모든 도전성 연결층 아래에 배치된 광 차폐 막으로서, 상기 포토센서 상의 개구를 갖는 광 차폐 막; 및 상기 광 차폐 막 상의 제1 도전성 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 [청구항 27] 프로세서; 및 상기 프로세서에 전기적으로 접속되며, 씨모스 화소 어레이를 포함하는 이미저 장치를 포함하는 이미저 시스템에 있어서, 상기 어레이의 1개 이상의 화소는, 화소 광변환장치; 상기 화소 광변환장치와 전기적으로 통신하는 화소 회로 상기 화소 회로 상에 제공되며 상기 광변환장치 상의 투광영역을 갖는 광 차폐체 층; 및 1개 이상의 연결층으로서, 모든 상기 연결층이 상기 광 차폐체 상에 제공되는 1개 이상의 연결층을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미저 시스템 [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 1개 이상의 연결층은 적어도 제1 연결층과,상기제1연결층상의제2연결층포함하는것을특징으로 하는이미저 시스템. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 광 차폐체는 약 100å 내지 약 3000å의두께갖는것을특징으로 하는이미저 시스템. [청구항 30] 광변환장치와 전기적으로 통신하며, 1개 이상의 도전성 연결층을 통하여 전기적으로 연결된 화소 회로를 갖는 씨모스 이미저 화소에 있어서, 상기 화소 회로와 임의의 도전성 연결층 사이에 제공되며, 상기 광변환장치 상의 투광영역을 갖는 광 차폐체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미저 화소 [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 광 차폐체 층은 상기 광 차폐체 층에 부딪치는 1% 미만의 광이 상기 화소 회로를 투과하도록구성된것을특징으로 하는씨모스 이미저 화소. [청구항 32] 제30항에 있어서,상기 광 차폐체 층은 유전층에 의해 상기 화소 회로와 분리된 균질한층인것을특징으로 하는씨모스 이미저 화소. [청구항 33] 복수개의 화소를 갖는 화소 어레이로서, 상기 화소의 각각은 광변환장치와 전기적으로 통신하는 화소 회로와, 상기 화소 회로와 임의의 금속 연결층 사이에 제공된 광 차폐체를 갖고, 상기 광 차폐체는 상기 광변환장치 상의 투광영역을 갖고, 광 입력에 따라 상기 화소 어레이에 의해 전기적 신호 흐름을 생성하는 복수개의 화소를 갖는 화소 어레이 상기 화소 어레이로부터 상기 전기적 신호 흐름을 전달받도록 구성된 독출회로 상기 독출회로로부터 상기 전기적 신호 흐름을 전달받도록 구성된 아날로그 디지털 변환장치 상기 아날로그 디지털 변환장치로부터 상기 전기적 신호 흐름을 전달받도록 구성된 프로세서; 및 상기 프로세서로부터 상기 전기적 신호 흐름을 전달받도록 구성된 직렬화기를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미저 장치 [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 전기적 신호 흐름은 상기 이미저 장치로부터외부하드웨어출력되는것을특징으로 하는씨모스 이미저 장치.