플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 애싱 방법 document_id 1020057022172

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 가스원 및 상기 플라즈마 발생 요소 중간에가스정화기더포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 기판 아래에 위치되고 상기 처리실의 하부 플레이트와 광학 연결되는 하나 이상의 가열 램프를 더 포함하는데, 상기 하부 플레이트는 가시 및/또는 적외선 방사를 실질적으로 투과시키는재료형성되는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 배기관에 결합되는 애프터버너 어셈블리를 더 포함하는데, 상기 배기관은 상기 처리실 및 상기 애프터버너 어셈블리 중간에가스포트포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 애프터버너 어셈블리는 배기관에서 플라즈마를 발생시키는수단포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 애프터버너 어셈블리는 상기 배기관의 외부에 대해서 랩핑되는 rf 코일, 상기 rf 코일과 전기 연결되는 매치박스 및 상기 매치박스와 전기 연결되는전원포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 배기관에 결합되는광 검출시스템더포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 요소는 그 내에 개구를 가져 상기 플라지마 관을 각각 수용하는 섹션들 내로 구획되는 마이크로웨이브 인클로우져;및, 상기 섹션들로 소정 주파수의 마이크로웨이브 전력을 제공하는수단포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 가스원은 질소 및 산소가 실질적으로 없는 것특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 관과 유체 연결되는 제2 가스원을 더 포함하는데, 상기 제2 가스원은 상기 처리실의 원래 위치에서 세정을 위한산화 가스포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 관은 상기 상부 배플 플레이트의 직경 보다 작은개구직경갖는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 구멍이 없는중앙영역포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 상기 하부 배플 플레이트 보다 작은 직경을 갖고, 상기 상부 배플 플레이트 및 상기 처리실의 상부 벽은 그 사이에 플리넘을형성하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 처리실에 결합되는 로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버와 연결되는 서브-챔버를 더 포함하며, 상기 서브-챔버는 자신 내에서 주 피봇축을 갖는하나이상의로보트아암포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버의 거의 중앙에 배치되는콜드플레이트더포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 가스원 및 상기 플라즈마 발생 요소의 중간에가스정화기더포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 기판 아래에 위치되고 상기 처리실의 하부 플레이트와 광학 연결되는 하나 이상의 가열 램프를 더 포함하는데, 상기 하부 플레이트는 적외선 방사를 실질적으로 투과시키는재료형성되는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,상기 플라즈마 관은 상기 상부 배플 플레이트의 직경 보다 작은개구직경갖는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 배기관에 결합되는 애프터버너 어셈블리를 더 포함하는데, 상기 배기관은 상기 처리실 및 상기 애프터버너 어셈블리의 중간에가스포트포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 애프터버너 어셈블리는 상기 배기관에서 플라즈마를 발생시키는수단포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 애프터버너 어셈블리는 상기 배기관의 외부에 대해서 랩핑되는 rf 코일, 상기 rf 코일과 전기 연결되는 매치박스 및 상기 매치박스와 전기 연결되는전원포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제 16 항에 있어서,상기 배기관에 결합되는광 검출시스템더포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 24] 제 16 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 그 내에 개구를 가져 상기 플라지마 관을 각각 수용하는 섹션들 내로 구획되는 마이크로웨이브 인클로우져;및, 상기 섹션들로 소정 주파수의 마이크로웨이브 전력을 제공하는수단포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제 16 항에 있어서,상기 가스원은 질소 및 산소가 실질적으로 없는 것특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제 16 항에 있어서,상기 플라즈마 관과 유체 연결되는 제2 가스원을 더 포함하는데, 상기 제2 가스원은 상기 처리실의 원래 위치에서 세정을 위한산화 가스포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 27] 제 16 항에 있어서,상기 처리실에 결합되는 로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버와 연결되는 서브-챔버를 더 포함하며, 상기 서브-챔버는 자신 내에서 주 피봇축을 갖는하나이상의로보트아암포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 28] 제 16 항에 있어서,로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버의 거의 중앙에 배치되는콜드플레이트더포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 배기관은 상기 광 검출 시스템에 의해 모니터링되는 파장에 광학적으로 투명한재료형성되는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 31] 제 29 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 그 내에 개구를 가져 상기 플라지마 관을 각각 수용하는 섹션들 내로 구획되는 마이크로웨이브 인클로우져;및, 상기 섹션들로 소정 주파수의 마이크로웨이브 전력을 제공하는수단포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제 29 항에 있어서,상기 애프터버너 어셈블리는 상기 배기관의 외부에 대해서 랩핑되는 rf 코일, 상기 rf 코일과 전기 연결되는 매치박스 및 상기 매치박스와 전기 연결되는전원포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 33] 제 29 항에 있어서,상기 실질적으로 무질소 및 무산소 가스는 탄화수소 가스, 수소 또는 헬륨을 포함하거나 상술된 가스들 중 하나 이상의 가스를 포함하는배합물포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제 29 항에 있어서,상기 광 검출 시스템nan은스펙트로미터또는모노크로메이터포함하는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 35] 제 29 항에 있어서,상기 기판 아래에 위치되고 상기 처리실의 하부 플레이트와 광학 연결되는 가열 램프를 더 포함하며, 상기 하부 플레이트는 상기 가열 램프 어레이에 의해 방출되는 가시 및/또는 적외선 방사를 실질적으로 투과시키는재료형성되는것을특징으로 하는축방향 플로우 다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 37] 제 36 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 구멍이 없는중앙부분포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 38] 제 36 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 석영, 사파이어, 세라믹, 또는 사파이어 코팅된석영형성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 39] 제 36 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는다수의구멍포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 40] 제 39 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트 내의 상기 다수의 구멍은 상기 하부 배플 플레이트 내의 상기 다수의 구멍보다 크기면에서 큰 것특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 41] 제 39 항에 있어서,상기 하부 배플 플레이트는 양극처리된 알루미늄, 사파이어,석영또는세라믹재료형성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 43] 제 42 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 구멍이 없는중앙부분포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 44] 제 42 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 석영, 사파이어, 세라믹, 또는 사파이어 코팅된석영형성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 45] 제 42 항에 있어서,플레이트는다수의구멍들포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 46] 제 45 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트 내의 상기 다수의 구멍들은 상기 하부 배플 플레이트 내의 상기 다수의 구멍들 보다 크기면에서 큰 것특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 47] 제 42 항에 있어서,상기 하부 배플 플레이트는 양극처리된 알루미늄, 사파이어,석영또는세라믹재료형성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리실. [청구항 49] 제 48 항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼는 탄소 및/또는 수소계 저 k유전층포함하는것을특징으로 하는배플 플레이트 어셈블리. [청구항 50] 제 48 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 사파이어 코팅된 석영 재료로 형성되고 상기 하부 배플 플레이트는 양극처리된알루미늄형성되는것을특징으로 하는배플 플레이트 어셈블리. [청구항 51] 제 48 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 동심의 다수의 원형 패턴 및 무구멍 중앙 영역에서다수의구멍들포함하는것을특징으로 하는배플 플레이트 어셈블리. [청구항 53] 제 52 항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼는 탄소 및/또는 수소 함유 저 k유전층갖는것을특징으로 하는배플 플레이트 어셈블리. [청구항 54] 제 52 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 석영, 사파이어, 또는 세라믹 재료로 형성되고, 상기 하부 배플 플레이트는 양극처리된 알루미늄, 사파이어,석영또는세라믹재료형성되는것을특징으로 하는배플 플레이트 어셈블리. [청구항 55] 제 54 항에 있어서,상기 석영 재료는사파이어코팅더포함하는것을특징으로 하는배플 플레이트 어셈블리. [청구항 56] 제 52 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 동심의 다수의 원형 패턴 및 무구멍 중앙 영역에서다수의구멍들포함하는것을특징으로 하는배플 플레이트 어셈블리. [청구항 60] 제 59 항에 있어서,상기 실질적으로 무산소 및 무질소 가스는 수소 또는 헬륨 또는 아르곤 또는 네온 또는 상술된 가스들 중 하나 이상의 가스들을 포함하는배합물포함하는것을특징으로 하는플라즈마 애싱 공정. [청구항 61] 제 59 항에 있어서,상기 정화된 가스를 형성하기 위하여 상기 실질적으로 무산소 및 무질소 가스를 상기 가스 정화기 내로 흐르게 하는 단계는 무산소 및 무질소의 h2o, o2, co, co2의 레벨을 약 10ppm 보다작은 량으로 감소시키는단계포함하는것을특징으로 하는플라즈마 애싱 공정. [청구항 62] 제 59 항에 있어서,상기 처리실로부터 로드락 챔버까지의 기판을 제거하는 단계 및 상기 기판을 냉각시키는단계더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 애싱 공정. [청구항 64] 제 63 항에 있어서,상기 실질적으로 무산소 및 무질소 가스는 수소 또는 헬륨 또는 아르곤 또는 네온 또는 상술된 가스들 중 하나 이상의 가스들을 포함하는배합물포함하는것을특징으로 하는플라즈마 애싱 공정. [청구항 66] 제 65 항에 있어서,상기 처리실은 자신의 입구 주위에서 배플 플레이트 어셈블리를 더 포함하는데, 상기 배플 플레이트 어셈블리는 대체로 평활한 하부 배플 플레이트 위에 고정 위치되는 대체로 평활한 상부 배플 플레이트를 포함하며, 상기 하부 배플 플레이트는 중심축 주위에 배치되는 다수의 구멍들을 포함하며, 상기 다수의 구멍들의 각 한 구멍의 치수는 상기 중심축으로부터 상기 하부 배플 플레이트의 외부 에지로 증가되며, 상기 배플 플레이트 어셈블리는 상기 기판에 대체로 평행하여위치되는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 67] 제 65 항에 있어서,상기 처리실은 자신의 입구 주위에서 배플 플레이트 어셈블리를 더 포함하는데, 상기 배플 플레이트 어셈블리는 대체로 평활한 하부 배플 플레이트 위에 고정 위치되는 대체로 평활한 상부 배플 플레이트를 포함하며, 상기 하부 배플 플레이트는 중심축 주위에 배치되는 다수의 구멍들을 포함하며, 상기 다수의 구멍들은 상기중심축으로부터 상기 하부 배플 플레이트의 외부 에지로 밀도면증가되는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 68] 제 65 항에 있어서,상기 기판 아래에 위치되고 상기 처리실의 하부 플레이트와 광학 연결되는 하나 이상의 가열 램프를 더 포함하며, 상기 하부 플레이트는 가시 및/또는 적외선 방사를 실질적으로 투과시키는재료형성되는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 69] 제 65 항에 있어서,상기 처리실의 하부벽 내의 중앙에 위치되는 배기관을 더 포함하는데, 상기 배기관은 자신에 결합된애프터버너어셈블리더포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 70] 제 69 항에 있어서,상기 애프터버너 어셈블리는 상기 배기관에서 플라즈마를 발생시키는수단포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 71] 제 69 항에 있어서,상기 애프터버너 어셈블리는 상기 배기관의 외부에 대해서 랩핑되는 rf 코일, 상기 rf 코일과 전기 연결되는 매치박스 및 상기 매치박스와 전기 연결되는전원포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 72] 제 69 항에 있어서,상기 배기관에 결합되는광 검출장치더포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 73] 제 65 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 요소는 그 내에 개구를 가져 상기 플라지마 관을 각각 수용하는 섹션들 내로 구획되는 마이크로웨이브 인클로우져;및, 상기 섹션들로 소정 주파수의 마이크로웨이브 전력을 제공하는수단포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 74] 제 65 항에 있어서,상기 가스원은 질소 및 산소가 실질적으로 없는 것특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 75] 제 65 항에 있어서,상기 가스원은 근본적으로수소및헬륨포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 76] 제 65 항에 있어서,상기 플라즈마 관과 유체 연결되는 제2 가스원을 더 포함하는데, 상기 제2 가스원은 상기 처리실의 원래 위치에서 세정을 위한 산화 가스를 포함하고상기가스정화기와유체연결되지않는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 77] 제 66 항에 있어서,상기 플라즈마 관은 상기 상부 배플 플레이트의 직경보다 작은개구직경갖는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 78] 제 66 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 구멍이 없는 중앙 영역 및 상기 중앙 영역 주위에 배치된다수의구멍포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 79] 제 66 항에 있어서,상기 상부 배플 플레이트는 상기 하부 배플 플레이트 보다 작은 직경을 갖고, 상기 상부 배플 플레이트 및 상기 처리실의 상부 벽은 이들 간에 플리넘을형성하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 80] 제 65 항에 있어서,상기 처리실에 결합되는 로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버와 연결되는 서브-챔버를 더 포함하며, 상기 서브-챔버는 자신 내에서 주 피봇축을 갖는하나이상의로보트아암포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치. [청구항 81] 제 65 항에 있어서,로드락 챔버 및 상기 로드락 챔버의 거의 중앙에 배치되는콜드플레이트더포함하는것을특징으로 하는다운스트림 플라즈마 처리 장치.