니오브분말, 그 소결체, 그 화성체 및 그들을 사용한콘덴서 document_id 1020057024274

[청구항 2] 제1항에 있어서,입자표면에서 깊이 50㎚까지의 평균 질소농도가 0.19∼1질량인것을특징으로 하는니오브분말. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,니오브분말 입자가 0.1∼1000㎛의입자지름갖는것을특징으로 하는니오브분말. [청구항 4] 제1항 또는 제2항에 있어서,니오브분말 입자가 0.5∼40㎡/g의비표면적갖는것을특징으로 하는니오브분말. [청구항 8] 제7항에 있어서,상대전극이 전해액, 유기반도체 및 무기반도체로 이루어지는 군에서 선택되는1종이상인것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 9] 제8항에 있어서,상대전극이 유기반도체이고, 그 유기반도체가 벤조피롤린 4량체와 클로라닐로 이루어지는 유기반도체, 테트라티오테트라센을 주성분으로 하는 유기반도체, 테트라시아노퀴노디메탄을 주성분으로 하는 유기반도체 및 도전성 고분자로 이루어지는 군에서 선택되는1종이상재료인것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 10] 제9항에 있어서,도전성 고분자가 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린 및 이들의 치환 유도체로부터 선택되는1종이상인것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 11] 제9항에 있어서,도전성 고분자가, 하기 일반식(1) 또는 일반식(2)(식중, r1∼r4는 각각 독립하여 수소원자, 탄소수 1∼10의 직쇄상 혹은 분기상의 포화 혹은 불포화의 알킬기, 알콕시기 혹은 알킬에스테르기, 또는 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 1급, 2급 혹은 3급 아미노기, cf3기, 페닐기 및 치환페닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1가기를 나타낸다. r1과 r2 및 r3과 r4의 탄화수소쇄는 서로 임의의 위치에서 결합하고, 이러한 기에 의해 치환을 받고 있는 탄소원자와 함께 하나 이상의 3∼7원환의 포화 또는 불포화탄화수소의 환상구조를 형성하는 2가쇄를 형성해도 좋다. 상기 환상 결합쇄에는, 카르보닐, 에테르, 에스테르, 아미드, 술피드, 술피닐, 술포닐, 이미노의 결합을 임의의 위치에 함유하여도 좋다. x는 산소, 유황 또는 질소원자를 나타내고, r5는 x가 질소원자일 때만 존재하고, 독립해서 수소 또는 탄소수 1∼10의 직쇄상 혹은 분기상의 포화 혹은 불포화의 알킬기를 나타낸다.)로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체에, 도펀트를 도핑한도전성고분자인것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 12] 제11항에 있어서,도전성 고분자가, 하기 일반식(3)(식중, r6 및 r7은, 각각 독립하여 수소원자, 탄소수 1∼6의 직쇄상 혹은 분기상의 포화 혹은 불포화의 알킬기, 또는 그 알킬기가 서로 임의의 위치에서 결합하고, 2개의 산소원소를 함유하는 1개 이상의 5∼7원환의 포화탄화수소의 환상구조를 형성하는 치환기를 나타낸다. 또한, 상기 환상구조에는 치환되어 있어도 좋은 비닐렌결합을 갖는 것, 치환되어 있어도 좋은 페닐렌구조의 것이 포함된다.)으로 나타내어지는 반복단위를 포함하는도전성고분자인것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 13] 제12항에 있어서,도전성 고분자가 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)에 도펀트를 도핑한도전성고분자인것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 14] 제7항에 있어서,상대전극이 층상구조를 적어도 일부에 갖는도전성고분자재료로이루어지는것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 15] 제7항에 있어서,상대전극이 유기술폰산 음이온을 도펀트로서 함유하는재료로이루어지는것을특징으로 하는콘덴서. [청구항 17] 제16항에 있어서,산화 니오브를 주체로 하는 유전체의 평균 질소농도가 0.2∼1질량인것을특징으로 하는콘덴서.