강유전체막을 정보저장요소로 채택하는 플래시 메모리소자들 및 그 제조방법들 document_id 1020060001896

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 스트링 선택 게이트 전극, 상기 접지 선택 게이트 전극 및 상기 제 1 워드라인에 인접한 상기 활성영역들 내에 배치된 제 1 소오스/드레인 영역들더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 라인형 활성영역들 내에 각각 배치된라인형웰들더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 활성영역들 및 상기 스트링 선택 게이트 전극 사이, 및 상기 활성영역들 및 상기 접지 선택 게이트 전극 사이에 개재된게이트 절연막더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 스트링 선택 게이트 전극 및 상기 접지 선택 게이트 전극은 폴리실리콘 패턴 또는 차례로 적층된 폴리실리콘 패턴 및 금속실리사이드 패턴이고, 상기 게이트 절연막은실리콘 산화막또는고유전막인것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 스트링 선택 게이트 전극 및 상기 접지 선택 게이트 전극은 상기 제 1 워드라인과 동일한 물질막이고, 상기 게이트 절연막은 제 1 강유전체 패턴과 동일한물질막인것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 강유전체 패턴은 리드 지르코네이트 타이타네이트막(pbzrxti1-xo3; pzt), 비스무스 란타니움 타이타네이트막(bi4-xlaxti3o12;blt), 스트론티움 비스무스 탄탈레이트막(srbi2ta2o5; sbt) 및 리드 게르마늄 옥사이드막(pb5ge5o11;pgo)으로 이루어진 일군 중 선택된 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 워드라인은 백금(pt), 루테늄(ru), 이리듐(ir) 및 이리듐 산화물(iro2)로 이루어진 일군 중 선택된 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 반도체기판 및 상기 제 1 강유전체 패턴 사이에 개재된 계면 절연막 패턴 또는 차례로 적층된계면절연막패턴및하부전극더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 워드라인을 갖는 반도체기판 상에 배치된 하부 층간절연막;상기 하부 층간절연막을 관통하며 상기 접지 선택 게이트 전극과 인접하고 상기 제 1 워드라인의 반대편에 위치한 활성영역들과 전기적으로 접속되는 공통 소스 라인;상기 공통 소스 라인 및 상기 하부 층간절연막을 덮는 상부 층간절연막; 및상기 상부 및 하부 층간절연막을 관통하며 상기 스트링 선택 게이트 전극과 인접하고 상기 제 1 워드라인의 반대편에 위치한 활성영역들과 각각 전기적으로 접속되는비트라인들더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 제 1 워드라인과 상기 접지 선택 게이트 전극 사이의 상기 활성영역들을 가로지르는제1층선택 게이트 전극더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 하부 층간절연막 상에 상기 라인형 활성영역들과 평행하도록 배치된 라인형 반도체 바디 패턴들;상기 라인형 반도체 바디 패턴들 및 상기 하부 층간절연막을 차례로 관통하며 상기 접지 선택 게이트 전극 및 상기 제 1 층 선택 게이트 전극 사이, 및 상기 스트링 선택 게이트 전극 및 상기 제 1 워드라인 사이의 상기 활성영역들과 각각 전기적으로 접속된 제 1 및 제 2 콘택 플러그들;상기 제 1 및 제 2 콘택 플러그들 사이의 상기 반도체 바디 패턴들을 가로지르되, 상기 제 1 워드라인과 평행한 제 2 워드라인;상기 제 2 워드라인 및 상기 반도체 바디 패턴들 사이에 개재된 제 2 강유전체 패턴; 및상기 제 1 콘택 플러그 및 상기 제 2 워드라인 사이의 상기 반도체 바디 패턴들을 가로지르는제 2 층선택 게이트 전극더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 제 2 워드라인 및 상기 제 2 강유전체 패턴은 각각 상기 제 1 워드라인 및 상기 제 1 강유전체 패턴과 동일한물질막인것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 제 1 층 및 제 2 층 선택 게이트 전극들은 상기 접지 선택 게이트 전극 또는 워드라인과 동일한물질막인것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 제 1 층 및 제 2 층 선택 게이트 전극들이 상기 워드라인과 동일한 물질막일 경우, 상기 제 1 층 및 제 2 층 선택 게이트 전극들 하부에 개재된강유전체패턴더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 16] 제 12 항에 있어서,상기 제 2 워드라인 및 상기 제 2 층 선택 게이트 전극에 인접한 상기 반도체 바디 패턴들 내에 배치된 제 2 소오스/드레인 영역들더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 반도체 바디 패턴들 내에 배치되되, 상기 제 2 소오스/드레인 영역들과 반대 도전형을 갖는불순물웰더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 라인형 활성영역들 내에 배치된라인형웰들더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 제 1 공통 소오스 라인nan은상기제1워드라인들방향또는상기활성영역들방향평행한것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 21] 제 18 항에 있어서,상기 제 1 강유전체 패턴들은 리드 지르코네이트 타이타네이트막(pbzrxti1-xo3; pzt), 비스무스 란타니움 타이타네이트막(bi4-xlaxti3o12;blt), 스트론티움 비스무스 탄탈레이트막(srbi2ta2o5; sbt) 및 리드 게르마늄 옥사이드막(pb5ge5o11;pgo)으로 이루어진 일군 중 선택된 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 22] 제 18 항에 있어서,상기 제 1 워드라인들은 백금(pt), 루테늄(ru), 이리듐(ir) 및 이리듐 산화물(iro2)로 이루어진 일군 중 선택된 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 23] 제 18 항에 있어서,상기 활성영역들 및 상기 제 1 강유전체 패턴들 사이에 개재된 계면 절연막 패턴 또는 차례로 적층된계면절연막패턴및하부전극더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 24] 제 18 항에 있어서,상기 하부 층간절연막 및 상기 제 1 비트라인들을 덮는 층 분리 절연막;상기 층 분리 절연막 상에 상기 라인형 활성영역들과 평행하도록 배치된 라인형 반도체 바디 패턴들;상기 반도체 바디 패턴들을 상기 제 1 워드라인들과 평행하게 가로지르는 제 2 워드라인들;상기 제 2 워드라인들 및 상기 반도체 바디 패턴들 사이에 각각 개재된 제 2 강유전체 패턴들; 상기 제 2 워드라인들과 인접한 상기 반도체 바디 패턴들 내에 배치된 제 2 소오스 영역들 및 제 2 드레인 영역들;상기 제 2 소오스 영역들을 전기적으로 접속하는 제 2 공통 소오스 라인;상기 제 2 공통 소오스 라인을 갖는 기판을 덮는 상부 층간절연막; 및상기 상부 층간절연막 상에 상기 반도체 바디 패턴들과 평행하게 배치되고, 상기 상부 층간절연막 내로 연장되어 상기 제 2 드레인 영역들을 전기적으로 접속하는제2비트라인들더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 제 2 워드라인들 및 상기 제 2 강유전체 패턴들은 각각 상기 제 1 워드라인들 및 상기 제 1 강유전체 패턴들과 동일한물질막인것을특징으로 하는플래시 메모리 소자. [청구항 26] 제 24 항에 있어서,상기 반도체 바디 패턴들 내에 배치되되, 상기 제 2 소오스 영역들 및 상기 제 2 드레인 영역들의 도전형과 반대 도전형을 갖는불순물웰더포함하는것을특징으로 하는플래시 메모리 소자.