빈 자리 클러스터를 가지는 기판에서 형성된 박층 이송방법 document_id 1020060008946

[청구항 1] 지지 기판으로의 이송에 의하며, 제1 밀도의 빈 자리 클러스터를 가지는 도너 기판의 일부로 반도체 물질로 이루어진 박층 및 지지 기판 사이에 삽입된 절연층을 포함한 seoi 기판 제조 공정에 있어서, ● 도너 기판으로부터 상기 부분이 이송되기 전, 도너 기판 상기 부분에 존재하는 상기 제1 밀도의 빈 자리 클러스터 사이즈를 증가시키지 않도록 적용된 절연층 형성단계, ● 및 이송 후, 제1 밀도를 제2 밀도로 감소하기 위하여, 지지 기판으로 이송된 도너 기판의 일부에 존재하는 빈 자리 클러스트를 경화(curing)하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는, 공정 [청구항 2] 제1항에 있어서,절연층 형성 단계는 지지 기판의 열산화에 의해수행되는것을특징으로 하는,공정. [청구항 3] 제1항에 있어서,절연층 형성 단계는 도너 기판 상 및/또는 지지 기판 상에 산화층 증착에 의해수행되는것을특지으로 하는,공정. [청구항 7] 제6항에 있어서,열아닐링은급속열처리인것을특징으로 하는,공정. [청구항 8] 제6항에 있어서,열아닐링은로수행되는것을특징으로 하는,공정. [청구항 9] 제6항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서,링은 순수 수소, 순수 아르곤 또는 수소/아르곤 믹스을 함유하는분위기수행되는것을특징으로 하는,공정. [청구항 10] 제6항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서,링은 수소 및 염산을 함유한 분위기 하에서 수행되는 평탄한링인것을특징으로 하는,공정. [청구항 11] 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서,도너 기판은, 느린 당김에 의해 얻어진 잉곳을 절단하여 형성된 거의 완전한 기판에 존재하는 클러스터 사이즈 이하의 평균 사이즈를 가지는 빈 자리 클러스터를 생성하는 당김에 의해 얻어진 반도체 물질로부터 잉곳을 절단하여기판인것을특징으로 하는,공정. [청구항 12] 제11항에 있어서,도너 기판은, cz 당김에 의해 얻어진 잉곳을 절단하여 형성되며, 0.14㎛ 보다 큰 생성된빈자리클러스터밀도2이하인것을특징으로 하는,공정. [청구항 13] 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서,도너 기판을 제조하기 위한 다음 조작을 포함한 예비적 단계로 구성된, 공정.- 느린 당김에 의해 얻어진 잉곳을 절단하여 형성된 거의 완전한 기판에 존재하는 클러스터 사이즈 이하의 평균 사이즈를 가지는 빈 자리 클러스터를 생성하는 당김에 의해 얻어진 반도체 물질로 잉곳을 제조하는 단계,- 잉곳에서 도너 기판절단하는단계. [청구항 14] 제11항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서,도너 기판은, cz 당김에 의해 얻어진 잉곳을 절단하여 형성되며, 0.2㎛ 보다 작은 생성된빈자리클러스터밀도2이상인것을특징으로 하는,공정. [청구항 15] 제11항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 있어서,도너 기판은, cz 당김에 의해 얻어진 잉곳을 절단하여 형성되며, 0.12㎛ 보다 작은 생성된빈자리클러스터밀도2이상인것을특징으로 하는,공정. [청구항 16] 제11항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서,도너 기판은, 거의 완전한 결정을 얻기 위한 상기 느린 당김 속도보다 최소한 1.2배 높은 속도로 당기는 cz 공정에 의해 얻어진 잉곳을 절단하여형성되는것을특징으로 하는,공정. [청구항 17] 제11항 내지 제16항 중 어느 하나의 항에 있어서,도너 기판은 빠른 냉각을 받는 잉곳을 절단하여형성되는것을특징으로 하는,공정. [청구항 18] 제11항 내지 제17항 중 어느 하나의 항에 있어서,도너 기판은 질소 도핑을 받는 잉곳을 절단하여 형성된기판인것을특징으로 하는,공정. [청구항 23] 지지 기판으로의 이송에 의하며, 제1 밀도의 빈 자리 클러스터를 가지는 도너 기판의 일부로 반도체 물질로 이루어진 박층 및 지지 기판을 포함한 기판 제조 공정에 있어서, ● 도너 기판의 상기 부분이 지지 기판으로 이송된 후, 제1 밀도를 제2 밀도로 감소하기 위하여, 지지 기판으로 이송된 도너 기판의 일부에 존재하는 빈 자리 클러스트를 경화(curing)하는 단계, ● 및 경화 단계 전, 도너 기판 상기 부분에 존재하는 상기 제1 밀도의 빈 자리 클러스터 사이즈를 증가시키지 않도록 적용된 하나 또는 여러 단계들로 구성된 것을 특징으로 하는, 공정