발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 질화물 반도체 기판 document_id 1020060017222

[청구항 1] 질화물 반도체 기판과, 상기 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에 n형 질화물 반도체층과, 상기 질화물 반도체 기판으로부터 보아 상기 n형 질화물 반도체층보다 멀리 위치하는 p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 및 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하는 발광층을 포함한 발광 장치로서, 상기 p형 질화물 반도체층 측을 다운 실장하고, 상기 질화물 반도체 기판의 상기 제1 주표면과 반대측의 주표면인 제2 주표면으로부터 광을 방출하며, 상기 질화물 반도체 기판의 상기 제2 주표면에는 홈이 형성되고, 상기 홈의 내주면은 이 내주면을 평활화하기 위한 표면 처리가 실시된 부분을 포함하는 것인, 발광 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 홈의 깊이는 50 μm 이상 300 μm 이하이며, 상기 질화물 반도체 기판의 두께 방향에서 상기 홈이 형성되어 있지 않은 부분의 두께는 100 μm 이상이하인 것인,발광 장치. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 홈은 다이싱 블레이드를 이용한 다이싱에 의해 형성되고, 상기 표면 처리가 실시된 부분은 상기 홈의 내주면의 표면층을 제거함으로써 얻어진 부분이며, 상기 제거된 표면층의 두께는 상기 다이싱 블레이드에 포함되는 지립의 평균 직경것인,발광 장치. [청구항 4] 질화물 반도체 기판과, 상기 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에 n형 질화물 반도체층과, 상기 질화물 반도체 기판으로부터 보아 상기 n형 질화물 반도체층보다 멀리 위치하는 p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 및 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하는 발광층을 구비한 발광 장치로서, 상기 p형 질화물 반도체층 측을 다운 실장하고, 상기 질화물 반도체 기판의 상기 제1 주표면과 반대측의 주표면인 제2 주표면으로부터 광을 방출하며, 상기 질화물 반도체 기판의 측면은 상기 제2 주표면에 대하여 경사진 경사면을 포함하고, 상기 경사면은 이 경사면을 평활화하기 위한 표면 처리가 실시된 부분을 포함하는 것인, 발광 장치 [청구항 5] 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 표면 처리가 실시된 부분은 상기 표면 처리로서 반응성 이온 에칭을 이용함으로써평활화된부분인 것인,발광 장치. [청구항 6] 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 질화물 반도체 기판은 gan 기판이고, 상기 gan 기판은 산소 도핑에 의해 n형화되어 있으며, 산소 농도가 산소 원자 1e 17개/㎤ 이상 2e 19개/㎤ 이하의범위에 있는 것인,발광 장치. [청구항 7] 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 표면 처리가 실시된 부분의 표면 조도이하인 것인,발광 장치. [청구항 8] 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 질화물 반도체 기판에서 상기 제1 주표면으로부터 상기 표면 처리가 실시된 부분을 통해 투과하는 광 중, 파장 420 nm 이상 480 nm 이하의 광에 관한 투과율이상인 것인,발광 장치. [청구항 13] 하나의 주표면에 홈이 형성되고, 상기 홈의 내주면은 상기 내주면을 평활화하기 위한 표면 처리가 실시된 부분을 포함하는 것인, 질화물 반도체 기판