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전압제어 발진기의 발진 주파수를 자동 튜닝할 수 있는위상동기루프 회로, 및 지연라인의 지연시간을 자동 튜닝할수 있는 지연동기루프 회로 document_id 1020060020691

출원번호
1020060020691
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 기준 신호와 피드백 신호사이의 위상차 및 주파수차에 기초하여 업 신호 및 다운 신호를 발생시키는 위상/주파수 검출기 상기 업 신호 및 상기 다운 신호에 응답하여 변화하는 제 1 전압신호를 발생시키는 차지 펌프 상기 제 1 전압신호를 필터링하고 발진제어신호를 발생시키는 루프 필터 상기 업 신호, 상기 다운 신호, 및 상기 발진 제어전압에 기초하여 디지털 제어신호를 발생시키는 제어회로 상기 발진 제어전압 및 상기 디지털 제어신호에 기초하여 주파수가 변화하는 출력신호를 발생시키는 전압제어 발진기; 및 상기 출력신호에 기초하여 상기 피드백 신호를 발생시키는 피드백 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 위상동기루프 회로 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,어회로는상부 한계전압과 하부 한계전압을 설정하고, 상기 발진 제어전압을 상기 상부 한계전압 및 상기 하부 한계전압과 비교하고 전압범위 검출신호를 발생시키는 발진 제어전압 범위 검출회로;상기 업 신호와 상기 다운 신호를 비교하고 소정의 펄스 폭을 가지는 펄스 신호를 발생시키는 주파수 변화 검출회로; 및상기 전압범위 검출신호와 상기 펄스 신호에 기초하여 상기 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후 상기 디지털 제어신호를 인에이블시키는쉬프트레지스터구비하는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 주파수 변화 검출회로는상기 업 신호의 펄스폭이 상기 다운신호의 펄스폭보다 넓을때상기펄스신호발생시키는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 상부 한계전압 및 상기 하부 한계전압은 mos 트랜지스터의 스레숄드 전압에 기초하여설정되는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 전압범위 검출신호는상기 발진 제어전압이 상기 하부 한계전압보다 작을 때는 제 1 로직 상태를 가지고 상기 발진 제어전압이 상기 상부 한계전압보다 클 때는 제 2 로직 상태를 가지며 상기 발진 제어전압이 상기 하부 한계전압보다 크거나 같고 상기 상부 한계전압보다 작거나 같을 때는이전로직상태유지하는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,상기 발진 제어전압 범위 검출회로는상기 상부 한계전압과 같은 크기의 제 1 천이 스레숄드 전압을 가지고 상기 발진 제어전압을 반전시키는 제 1 인버터;상기 제 1 인버터의 출력전압을 반전시키는 제 2 인버터;상기 하부 한계전압과 같은 크기의 제 2 천이 스레숄드 전압을 가지고 상기 발진 제어전압을 반전시키는 제 3 인버터;상기 제 3 인버터의 출력전압을 반전시키는 제 4 인버터;상기 제 2 인버터의 출력신호와 상기 제 3 인버터의 출력신호에 대해 배타적 비논리합 연산을 수행하는 exnor 게이트; 및상기 exnor 게이트의 출력신호에 응답하여 상기 제 4 인버터의 출력신호를 래치하는래치회로구비하는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 제 1 인버터는 상기 제 1 pmos 트랜지스터 및 제 1 nmos 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 3 인버터는 제 2 pmos 트랜지스터 및 제 2 nmos 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 1 pmos 트랜지스터는 상기 제 2 pmos 트랜지스터의 스레숄드 전압보다 낮은 스레숄드 전압을 가지고 상기 제 2 nmos 트랜지스터는 상기 제 1 nmos 트랜지스터의 스레숄드 전압보다 낮은 스레숄드전압가지는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 8] 제 2 항에 있어서,상기 주파수 변화 검출회로는상기 업 신호를 소정 시간 지연시키는 지연회로;상기 다운신호의 에지에 응답하여 상기 지연회로의 출력신호가 로직 "하이"일 때 로직 "하이" 상태를 가지는 제 1 신호를 발생시키는 플립플롭;상기 지연회로의 출력신호와 상기 다운 신호에 대해 논리합 연산을 수행하는 or 게이트; 및상기 제 1 신호와 상기 or 게이트의 출력신호에 대해 논리곱 연산을 수행하는 and게이트구비하는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 전압제어 발진기는상기 발진 제어전압에 응답하여 변화하는 바이어스 전압을 발생시키는 바이어스 회로;상기 디지털 제어신호에 기초하여 상기 바이어스 전압을 변화시키는 보상회로; 및상기 바이어스 전압에 응답하여 주파수가 변화하는 출력신호를 발생시키는발진회로구비하는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 보상회로는제 1 전원전압이 인가되는 제 1 단자를 가지는 적어도 하나의 전류원; 및상기 적어도 하나의 전류원의 제 2 단자와 상기 바이어스 회로 사이에 결합되어 있고 상기 디지털 제어신호의 한 비트에 응답하여 턴온되는적어도하나의스위치구비하는것을특징으로 하는위상동기루프 회로. [청구항 11] 업 신호, 다운 신호, 및 발진 제어전압에 기초하여 디지털 제어신호를 발생시키는 제어회로 발진 제어전압에 응답하여 변화하는 바이어스 전압을 발생시키는 바이어스 회로 상기 디지털 제어신호에 기초하여 상기 바이어스 전압을 변화시키는 보상회로; 및 상기 바이어스 전압에 응답하여 주파수가 변화하는 출력신호를 발생시키는 발진회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기 [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 보상회로는제 1 전원전압이 인가되는 제 1 단자를 가지는 적어도 하나의 전류원; 및상기 적어도 하나의 전류원의 제 2 단자와 상기 바이어스 회로 사이에 결합되어 있고 상기 디지털 제어신호의 한 비트에 응답하여 턴온되는적어도하나의스위치구비하는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,어회로는상부 한계전압과 하부 한계전압을 설정하고, 상기 발진 제어전압을 상기 상부 한계전압 및 상기 하부 한계전압과 비교하고 전압범위 검출신호를 발생시키는 발진 제어전압 범위 검출회로;상기 업 신호와 상기 다운 신호를 비교하고 소정의 펄스 폭을 가지는 펄스 신호를 발생시키는 주파수 변화 검출회로; 및상기 전압범위 검출신호와 상기 펄스 신호에 기초하여 상기 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후 상기 디지털 제어신호를 인에이블시키는쉬프트레지스터구비하는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 주파수 변화 검출회로는상기 업 신호의 펄스폭이 상기 다운신호의 펄스폭보다 넓을때상기펄스신호발생시키는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 상부 한계전압 및 상기 하부 한계전압은 mos 트랜지스터의 스레숄드 전압에 기초하여설정되는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 전압범위 검출신호는상기 발진 제어전압이 상기 하부 한계전압보다 작을 때는 제 1 로직 상태를 가지고 상기 발진 제어전압이 상기 상부 한계전압보다 클 때는 제 2 로직 상태를 가지며 상기 발진 제어전압이 상기 하부 한계전압보다 크거나 같고 상기 상부 한계전압보다 작거나 같을 때는이전로직상태유지하는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,상기 발진 제어전압 범위 검출회로는상기 상부 한계전압과 같은 크기의 제 1 천이 스레숄드 전압을 가지고 상기 발진 제어전압을 반전시키는 제 1 인버터;상기 제 1 인버터의 출력전압을 반전시키는 제 2 인버터;상기 하부 한계전압과 같은 크기의 제 2 천이 스레숄드 전압을 가지고 상기 발진 제어전압을 반전시키는 제 3 인버터;상기 제 3 인버터의 출력전압을 반전시키는 제 4 인버터;상기 제 2 인버터의 출력신호와 상기 제 3 인버터의 출력신호에 대해 배타적 비논리합 연산을 수행하는 exnor 게이트; 및상기 exnor 게이트의 출력신호에 응답하여 상기 제 4 인버터의 출력신호를 래치하는래치회로구비하는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 제 1 인버터는 상기 제 1 pmos 트랜지스터 및 제 1 nmos 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 3 인버터는 제 2 pmos 트랜지스터 및 제 2 nmos 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 1 pmos 트랜지스터는 상기 제 2 pmos 트랜지스터의 스레숄드 전압보다 낮은 스레숄드 전압을 가지고 상기 제 2 nmos 트랜지스터는 상기 제 1 nmos 트랜지스터의 스레숄드 전압보다 낮은 스레숄드전압가지는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 19] 제 13 항에 있어서,상기 주파수 변화 검출회로는상기 업 신호를 소정 시간 지연시키는 지연회로;상기 다운신호의 에지에 응답하여 상기 지연회로의 출력신호가 로직 "하이"일 때 로직 "하이" 상태를 가지는 제 1 신호를 발생시키는 플립플롭;상기 지연회로의 출력신호와 상기 다운 신호에 대해 논리합 연산을 수행하는 or 게이트; 및상기 제 1 신호와 상기 or 게이트의 출력신호에 대해 논리곱 연산을 수행하는 and게이트구비하는것을특징으로 하는전압제어 발진기. [청구항 23] 기준 신호와 피드백 신호사이의 위상차에 기초하여 업 신호 및 다운 신호를 발생시키는 위상 검출기 상기 업 신호 및 상기 다운 신호에 응답하여 변화하는 제 1 전압신호를 발생시키는 차지 펌프 상기 제 1 전압신호를 필터링하고 발진제어신호를 발생시키는 루프 필터 상기 업 신호, 상기 다운 신호, 및 상기 발진 제어전압에 기초하여 디지털 제어신호를 발생시키는 제어회로 상기 발진 제어전압 및 상기 디지털 제어신호에 기초하여 지연시간이 변화하 는 출력신호를 발생시키는 전압제어 지연라인; 및 상기 출력전압에 기초하여 상기 피드백 신호를 발생시키는 피드백 경로를 구비하는 것을 특징으로 하는 지연동기루프 회로
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
위상동기루프 회로에서 디지털 제어신호를 인에이블시키기 위해 필요한 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    위상동기루프 회로에서 디지털 제어신호를 인에이블(enable)시키기 위해 충족되어야 하는 조건이 무엇인지 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2를 통해 디지털 제어신호를 인에이블시키는 주체와 그 근거가 되는 신호들을 추출한다.

    • 상기 전압범위 검출신호와 상기 펄스 신호에 기초하여 상기 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후 상기 디지털 제어신호를 인에이블시키는쉬프트레지스터
  3. 3근거 선택evidence_selection

    인에이블 조건으로 명시된 '전압범위 검출신호'와 '펄스 신호가 소정 개수 발생'하는 상황을 선택한다.

    • 상기 전압범위 검출신호와 상기 펄스 신호에 기초하여 상기 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후 상기 디지털 제어신호를 인에이블시키는
  4. 4논리 통합logical_integration

    디지털 제어신호는 전압범위 검출신호와 펄스 신호에 기초하며, 특히 펄스 신호가 소정 개수만큼 발생했을 때 인에이블된다는 논리를 결합한다.

    • 상기 전압범위 검출신호와 상기 펄스 신호에 기초하여 상기 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후 상기 디지털 제어신호를 인에이블시키는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    따라서 인에이블 조건은 전압범위 검출신호와 펄스 신호를 기반으로 하며, 펄스 신호가 소정 개수 발생해야 한다.

    • 상기 전압범위 검출신호와 상기 펄스 신호에 기초하여 상기 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후 상기 디지털 제어신호를 인에이블시키는
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 조건을 바탕으로 질문에 대한 답변을 작성한다.

    • 상기 전압범위 검출신호와 상기 펄스 신호에 기초하여 상기 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후 상기 디지털 제어신호를 인에이블시키는
최종 답변 (final_answer)
전압범위 검출신호와 펄스 신호에 기초하여, 펄스 신호가 소정 개수 발생한 후에 디지털 제어신호를 인에이블시킨다.
핵심 해석 (core_interpretation)
위상동기루프 회로에서 디지털 제어신호의 인에이블 시점을 제어하기 위해 전압범위 검출신호와 주파수 변화 검출회로에서 생성된 펄스 신호의 발생 개수를 활용하는 기술이다.