문맥 (context)
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 더미 워드라인들은상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작에서, 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨과 동일한전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,적어도 2개의 더미셀들의 더미 워드라인들은상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작에서, 상기 그라운드 선택 트랜지스터를 게이팅하는 신호의 전압 레벨과 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨 사이에 순서적인전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 4]
제1 항에 있어서,상기 더미 워드라인들은소거 동작에서, 상기 노말 메모리셀들의 노말 워드라인의 전압 레벨과 동일한전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 5]
제1 항에 있어서,상기 더미 워드라인들은독출 동작에서, 비선택되는 상기 노말 메모리셀들의 노말 워드라인의 전압 레벨과 동일한전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 6]
제1 항에 있어서,상기 워드라인 선택블락은상기 노말 워드라인들을 선택하는 노말 워드라인 선택회로; 및상기 더미 워드라인들을 선택하는더미워드라인선택회로구비하는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 8]
제7 항에 있어서,상기 더미 워드라인들은상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작에서, 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨과 동일한전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 9]
제7 항에 있어서,적어도 2개의 더미셀들의 더미 워드라인들은상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작에서, 상기 스트링 선택 트랜지스터를 게이팅하는 신호의 전압 레벨과 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨 사이에 순서적인전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 10]
제7 항에 있어서,상기 더미 워드라인들은소거 동작에서, 상기 노말 메모리셀들의 노말 워드라인의 전압 레벨과 동일한전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 11]
제7 항에 있어서,상기 더미 워드라인들은독출 동작에서, 비선택되는 상기 노말 메모리셀들의 노말 워드라인의 전압 레벨과 동일한전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 13]
제11 항에 있어서,상기제3 및 제4 더미 워드라인들은상기 다른 한쪽 끝의 노말 메모리셀이 선택되는 프로그램 동작에서, 상기 스트링 선택 트랜지스터를 게이팅하는 신호의 전압 레벨과 상기 다른 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨 사이에 순서적인전압 레벨제어되는것을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작 시, 적어도 2개의 더미셀들의 더미 워드라인이 제어되는 전압 레벨의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작 시, 적어도 2개의 더미셀들의 더미 워드라인이 제어되는 전압 레벨의 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3과 청구항 9에서 해당 동작 조건과 더미 워드라인의 전압 레벨 제어 관계에 대한 정보를 추출한다.
- 적어도 2개의 더미셀들의 더미 워드라인들은상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작에서, 상기 그라운드 선택 트랜지스터를 게이팅하는 신호의 전압 레벨과 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨 사이에 순서적인전압 레벨제어되는것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '적어도 2개의 더미셀' 및 '프로그램 동작 시 전압 레벨 관계'를 명시한 청구항 3의 구절을 선택한다.
- 상기 그라운드 선택 트랜지스터를 게이팅하는 신호의 전압 레벨과 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨 사이에 순서적인전압 레벨제어되는것
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4논리 통합
logical_integration더미 워드라인의 전압 레벨은 그라운드 선택 트랜지스터 게이팅 신호와 노말 워드라인 게이팅 전압 레벨 사이의 순서적인 레벨로 제어됨을 확인한다.
- 상기 그라운드 선택 트랜지스터를 게이팅하는 신호의 전압 레벨과 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨 사이에 순서적인전압 레벨제어되는것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대해 더미 워드라인이 두 전압 레벨 사이에 순서적으로 제어된다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
한쪽 끝의 노말 메모리셀이 비선택되는 프로그램 동작 시, 적어도 2개의 더미셀들의 더미 워드라인은 상기 그라운드 선택 트랜지스터를 게이팅하는 신호의 전압 레벨과 상기 한쪽 끝의 노말 메모리셀을 게이팅하는 노말 워드라인의 전압 레벨 사이에 순서적인 전압 레벨로 제어된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
프로그램 동작 시 노말 메모리셀의 비선택 상태를 유지하기 위해, 더미 워드라인의 전압을 그라운드 선택 트랜지스터 신호와 노말 워드라인 전압 사이의 중간 단계로 제어하는 기술이다.