인공자기도체를 이용한 고임피던스 표면 구조 및 그 구조를이용한 안테나 장치 및 전자기 장치 document_id 1020060030510

[청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 고임피던스 표면층 상에 제3 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 3] 제1 항에 있어서,임피던스 표면 구조는 안테나에 이용되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 4] 제3 항에 있어서,임피던스 표면 구조는 상기 안테나에 상기 고임피던스 표면층을 통해 바로 부착되거나 상기 고임피던스 표면층 상에 형성된 제3 유전체층을 통해 부착되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 5] 제4 항에 있어서,상기 안테나와 상기 고임피던스 표면층과의 이격 거리는 수신 전자파의 파장의 1/4 이하인 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 6] 제1 항에 있어서,임피던스 표면 구조는 특정 주파수에 대하여 반사파 위상 변화가 없는 부분을 가지며, 상기 특정 주파수 이하의 제1 주파수 또는 이상의 제2 주파수에 대하여, 반사파 위상변화가 90°인 자유공간 임피던스(free space impedance:fsi) 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 7] 제6 항에 있어서,임피던스 표면 구조는 상기 특정 주파수의 고차 하모닉 주파수들 각각에 대하여 반사파 위상 변화가 없는 부분을 가지며,상기 고차 하모닉 주파수들 각각에 대한 고차 제1 주파수 또는 제2 주파수에 대하여 자유공간 임피던스 특성을 가지는 특성으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 8] 제7 항에 있어서,상기제1 및 제2 주파수 또는 고차 제1 및 제2 주파수 사이의 간격이 상기 고임피던스 표면 구조의 주파수 대역폭 또는 고임피던스 특성이 되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 9] 제7 항에 있어서,안테나에 상기 고임피던스 표면 구조가 부착되어,상기 안테나가 다중 대역을 가진 안테나로 이용될 수 있는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 10] 제6 항에 있어서,상기 특정 주파수, 제1 및 제2 주파수는 상기 고임피던스 표면층의 제2 도전체층 및 제1, 제2 유전체층의 두께, 전기적 특성, 제2 도전체층의 깍지낀 반복 횟수, 깍지낀 길이, 깍지낀 간격 및 제2 도전체층의 폭 중 적어도 하나에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 11] 제1 항에 있어서,상기 고임피던스 표면층은 상기 제2 도전체층과 제2 유전체층으로 형성된 동일 패턴의 단위 셀을 다수 포함하는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 12] 제11 항에 있어서,상기 단위 셀은 전체적으로 정사각형의 수평 단면을 가지며,각 꼭짓점에 대각선 방향으로 대각선 길이의 1/4 지점에 상기 제2 유전체층의 4 가닥의 성분이 만(卍)자 또는 우만(나치 문양)자 형태로 결합된 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 13] 제12 항에 있어서,상기 만자 형태는 상기 단위 셀의 제1 대각선 내에 2개 형성되고 상기 우만자는 상기 단위 셀의 제2 대각선 내에 2개 형성되며,상기 제2 유전체층의 각 성분은 상기 만자 또는 우만자 형태 결합점에서 상하좌우로 맥놀이(beat) 파형의 형태로 퍼져나가고,상기 각각의 맥놀이 파형은 상기 정사각형의 네 변의 부분에서 가장 큰 진폭을 가지며 상기 만자 및 우만자 형태 결합점 사이에서는 한 주기가 완성되며, 상기 제2 유전체층의 각 성분의 패턴은 상기 결합점을 기준으로 점대칭의 형태로 형성되며,상기 맥놀이 파형은 상기 결합점 사이의 한 주기에서 적어도 3개의 골(crest) 또는 마루(trough)를 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 14] 제13 항에 있어서,상기 맥놀이 파형 형태는 일정길이 이하의 폭을 가진 직선 형태의 상기 제2 유전체층의 각 성분들이 직각 형태로 굴곡되어 형성되되,상기 골 또는 마루 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되어 골 또는 마루를 형성하는 부분은 평행한 2 겹의 제2 유전체층 기둥 형태를 가지며상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되어 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분에서는 변곡 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 15] 제13 항에 있어서,상기 맥놀이 파형 형태는 일정길이 이하의 폭을 가진 직선 형태의 상기 제2 유전체층의 각 성분들이 직각 형태로 굴곡되어 형성되되, 골 또는 마루 중간에 적어도 하나의 요철을 포함하며, 상기 직각 형태의 굴곡은 상기 골, 마루 또는 요철 부분 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되고, 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 17] 제16 항에 있어서,상기 직각 형태의 굴곡은 상기 골 또는 마루 부분 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되고 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 18] 제16 항에 있어서,상기 맥놀이 파형의 골 또는 마루는 2 겹의 제2 유전체층으로 형성되되, 골 또는 마루 중간에 적어도 하나의 요철을 포함하며, 상기 직각 형태의 굴곡은 상기 골, 마루 또는 요철 부분 각각에서 동일 방향으로 두 번 굴곡되고, 상기 골 및 마루 사이의 중간 부분 각각에서 반대 방향으로 두 번 굴곡되는 것을 특징으로 하는 인공자기도체이용한고임피던스 표면 구조. [청구항 19] 제1 항 또는 제16 항에 있어서,회로기판 상에 발생되는 전자기파에 의한 전자방해(electromagnetic interference:emi)을 방지하기 위하여,상기 고임피던스 표면 구조가 회로 기판에 이용되는 것을 특징으로 하는 인공자기 도체이용한고임피던스 표면구조. [청구항 21] 제20 항에 있어서,임피던스 표면 구조가 상기 안테나에 상기 고임피던스 표면층을 통해 바로 부착되거나, 상기 고임피던스 표면층 상에 형성된 제3 유전체층을 통해부착되는것을특징으로 하는고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치. [청구항 22] 제21 항에 있어서,임피던스 표면 구조는 상기 안테나에 평행으로 부착되고,상기 안테나와 상기 고임피던스 표면층과의 이격 거리는수신전자파의파장4이하인것을특징으로 하는고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치. [청구항 23] 제20 항에 있어서,상기 안테나는 알에프아이디(radio frequency identification:rfid)시스템의태그안테나인것을특징으로 하는고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치. [청구항 24] 제20 항에 있어서,상기 안테나는 상기 고임피던스 표면 구조에 의해대역주파수결정되는것을특징으로 하는고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치. [청구항 25] 제20 항에 있어서,임피던스 표면 구조는 특정 주파수에 대하여, 반사파 위상 변화가 없는 부분을 가지며, 상기 특정 주파수 이하의 제1 주파수 또는 이상의 제2 주파수에 대하여, 반사파 위상변화가 90°인 자유공간 임피던스(free space impedance:fsi) 특성을 가지며, 상기 안테나에 상기 고임피던스 표면 구조가 부착되어상기 안테나가 다중 대역을 가진다중 대역 안테나되는것을특징으로 하는고임피던스 표면 구조를 이용한 안테나 장치. [청구항 27] 제26 항에 있어서,상기 전자기 장치는 고임피던스 특성이 요구되는 전자기 장치인 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면구조이용하여제작된전자기 장치. [청구항 28] 제27 항에 있어서,임피던스 특성은 특정 주파수에서 상기 고임피던스 표면층으로 전류가 흐를 수 없는 자기도체의 특성인 것을 특징으로 하는 고임피던스 표면구조이용하여제작된전자기 장치.