문맥 (context)
[청구항 1]
불투명 캐소드전극, 투명 애노드전극, 상기 캐소드전극과 상기 애노드전극 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 유기층을 포함한 전계 발광 셀
상기 캐소드전극에 드레인전극이 접속되고 기저전압원에 소스전극이 접속되어 상기 전계 발광 셀에 흐르는 전류를 조절하는 구동용 박막 트랜지스터를 구비하고
상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되고, 상기 애노드전극은 상기 캐소드전극 상에 형성된 상기 유기층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 구동용 박막 트랜지스터를 제어하는구동제어회로더구비하는것을특징으로 하는유기 전계 발광 표시소자.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 구동 제어회로는, 상기 구동용 박막 트랜지스터의 게이트전극과 상기 캐소드전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터; 및 데이터신호가 공급되는 데이터라인에 드레인전극, 상기 데이터라인과 교차하고 스캔신호가 공급되는 스캔라인에 게이트전극, 및 상기 구동용 박막 트랜시스터의 게이트전극에 소스전극이 접속된제1스위칭용 박막 트랜지스터구비하는것을특징으로 하는유기 전계 발광 표시소자.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상기 구동 제어회로는,상기 구동용 박막 트랜지스터와 접속되어 상기 구동용 박막 트랜지스터와 함께 전류미러를 형성하는제2스위칭용 박막 트랜지스터구비하는것을특징으로 하는유기 전계 발광 표시소자.
[청구항 5]
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 구동용 박막 트랜지스터에 포함되는 반도체 층은 n+비정질 실리콘포함하여이루어지는것을특징으로 하는유기 전계 발광 표시소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 애노드 전극은 ito(indium tin oxide), izo(indium zinc oxide), itzo(indium tin zinc oxide) 중 적어도 어느하나의투명도전성물질포함하여이루어지는것을특징으로 하는유기 전계 발광 표시소자.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 캐소드 전극은 일함수(work function) 값이 낮은불투명금속물질포함하여이루어지는것을특징으로 하는유기 전계 발광 표시소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기 전계 발광 표시소자에서 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극, 그리고 캐소드전극은 각각 어떠한 형태 및 구조적 관계를 가지며, 캐소드전극은 서브화소의 어느 영역에 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation구동용 박막 트랜지스터의 소스전극, 드레인전극, 캐소드전극의 형태 및 구조적 관계와 캐소드전극의 형성 영역을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 소스전극의 형태, 드레인전극과 캐소드전극의 접속 관계, 캐소드전극의 형성 영역에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되고
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 '소스전극의 링 형태', '드레인전극과 캐소드전극의 관계', '캐소드전극의 형성 영역' 구절을 선택한다.
- 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되고
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4논리 통합
logical_integration소스전극은 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이며, 캐소드전극은 드레인전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성된다는 점을 결합한다.
- 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되고
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5결론 도출
conclusion_formulation소스전극은 링 형태로서 드레인전극을 둘러싸고, 캐소드전극은 드레인전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성된다는 결론을 도출한다.
- 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되고
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 상기 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이고, 상기 캐소드전극은 상기 드레인 전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되고
최종 답변 (final_answer)
구동용 박막 트랜지스터의 소스전극은 드레인전극을 둘러싸는 링 형태이며, 캐소드전극은 드레인전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
구동용 박막 트랜지스터의 소스전극을 링 형태로 구성하여 드레인전극을 둘러싸게 하고, 캐소드전극이 드레인전극을 포함하여 서브화소 전면에 형성되는 구조적 특징을 나타낸다.