반도체 기판들 상으로의 금속들의 무전해 증착을 위한 장치 document_id 1020060062879

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 유체 확산 부재는 실질적으로 디스크 형상이고, 상기 피쳐의 표면은상기디스크형상의유체확산부재의외부에지일치하는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 거리는 약 0.5mm 내지 약 25mm인것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 유체 확산 부재의 다운스트림 표면은 약 1.6㎛ 내지 약 20㎛의표면갖는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 제 2 단면적은 상기 제 1 단면적보다 더 넓은 것특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 다수의 유체 통로들은,상기 다운스트림 측면에 대해 실질적으로 균일하게 분포되는 적어도 4개의 유체 통로들의 어레이; 및상기 다운스트림 표면 상부에서 제 1 거리만큼 돌출되는 환형 형상의 피쳐 -상기제1거리포함하는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 8] 제 5 항에 있어서,상기 유체 통로들의 어레이는 정사각형, 직사각형, 원형 또는 육각형 밀폐 팩킹된배향배치되는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 9] 제 5 항에 있어서,상기 다수의 유체 통로들 중 적어도 2개 이상은 상기 업스트림 측면으로부터 연장되는 길이 부분에 대해 제 1 원통 형상, 및 상기 제 1 원통 형상과 유체 소통되는 제 2 원통 형상을 더 포함하고, 상기 제 2 원통 형상은 상기 제 1 원통 형상보다 더 넓은단면적갖는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 유체 소스는 상기 유체 소스로부터 전달되는 상기 무전해 처리 용액과 열적 소통되는유체히터더포함하는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 에지 격벽은 상기 하나 이상의 기판 지지 표면들상에 위치된 상기 기판의 표면에 대해 상기 에지 격벽을 위치시키도록 적응되는리프트어셈블리더포함하는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 무전해 처리 챔버는 상기 유체 볼륨에 위치된 상기 유체와 열적 소통되는유체히터더포함하는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 무전해 처리 챔버는 상기 보울 어셈블리의 하나 이상의 벽들에 대해 상기 회전식 기판 지지 어셈블리를 위치시키도록 적응되는리프트어셈블리더포함하는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 회전식 기판 지지 어셈블리는,상기 기판 지지 표면과 유체 소통되는 플래넘(plenum); 및상기 플래넘 및 상기 기판 지지 표면상에 위치된 기판과 유체 소통되는진공소스더포함하는것을특징으로 하는무전해 처리 챔버.