ＳＴＩ 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 document_id 1020060063534

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1절연막은 측벽 산화막이고,상기제2절연막질화막 라이너인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 캐패시터 유전막은 제3유전막을 더 포함하며,상기 제3유전막은 상기 제2유전막상에 형성된상기게이트 절연막인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 제1캐패시터 전극은 상기 게이트와 동일한물질로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 반도체 기판nan은제2캐패시터전극작용하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 반도체 기판으로 접지전압이 제공되고, 상기 제1캐패시터 전극으로전원전압제공되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 제1영역의 상기 반도체 기판에 형성되어 상기 제1트렌치의 상기 제1깊이보다 깊은 제1접합깊이를 가지며, 상기 제1트렌치가 형성되는 제1웰; 및상기 제2영역의 상기 반도체 기판에 형성되어 상기 제2트렌치의 상기 제2깊이보다 깊은 제2접합깊이를 가지며, 상기 제2트렌치가 형성되는제2웰더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제1웰nan은제2캐패시터전극작용하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 제1웰의 상기 제1접합깊이는 상기 제2웰의 상기 제2접합깊이보다 크거나 같은 것특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제7항에 있어서,상기 제1웰은 상기 제2웰과 동일 도전형을 갖거나 또는 서로 반대도전형갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제7항에 있어서,상기 제1웰과 떨어져 상기 제1영역의 상기 반도체 기판에 형성되고, 상기 제1웰과 동일 도전형을 갖는콘택영역더구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 제1캐패시터 전극에 연결되는 제1금속배선;제2금속배선;상기 게이트에 연결되는 제3금속배선;및상기 접합영역에 연결되는 제4금속배선을 포함하며,상기 제2금속배선은상기반도체기판또는상기제1웰중하나연결되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 제1웰이 p형 웰이 형성되는 경우, 상기 제1금속배선에는 전원전압이 제공되고 상기 제2금속배선에는 접지전압이 제공되거나 또는 상기 제1웰이 n형 웰인 경우, 상기 제1금속배선에는 접지전압이 제공되고 상기 제2금속배선에는전원전압제공되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 제1트렌치의 저면은 일방향으로 연장되는스트라이프형상의홈구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 제1트렌치의 저면은 메쉬형상의홈구비하는것을특징으로 하는반도체 장치.