실리콘 기판을 이용한 불휘발성 강유전체 메모리 장치, 그형성 방법 및 그 리프레쉬 방법 document_id 1020060070963

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 p-형 기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 드레인 영역은 상기 실리콘 기판이 일정 부분 노출되는 벌크 연결 실리콘 영역과 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 벌크 연결 실리콘 영역은 상기 절연층과 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 불순물층의 상부에 형성되고, 상기 워드라인과 지그재그 형태로 교번적으로 형성된 센싱라인 콘택 및 비트라인 콘택을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 6] 제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 드레인 영역의 상부에 형성되되, 상기 절연층이 형성되지 않는 상기 실리콘 기판의 상측에 형성되는 비트라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 7] 제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 소스 영역의 상부에 형성되되, 상기 실리콘 기판이 형성되지 않는 상기 절연층의 상측에 형성되는 센싱라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 불순물층은 n+층인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 플로팅 채널층과 상기 강유전체층 사이에 형성된 버퍼 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 버퍼 절연층과 상기 플로팅 채널층 사이에 형성된 플로팅 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 12] 제 11항에 있어서,상기 메모리 셀은 더블 게이트 1t-fet 형 셀 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 13] 제 11항에 있어서,상기 실리콘 기판은 상기 실리콘 기판 내의 식각 영역에 형성된 절연층; 상기 절연층 내에 형성되어 상기 절연층에 의해 감싸지도록 형성된 버텀 워드라인; 상기 버텀 워드라인의 상부에 형성된 상기 플로팅 채널층; 및 상기 플로팅 채널층의 양단에 형성되되, 상기 절연층의 상부에 형성되는 소스 영역과 상기 실리콘 기판의 상부에 형성되는 드레인 영역을 포함하는 불순물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 실리콘 기판은 p-형 기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 15] 제 13항에 있어서,상기 드레인 영역은 상기 실리콘 기판이 특정 부분 노출되는 벌크 연결 실리콘 영역과 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 벌크 연결 실리콘 영역은 상기 절연층과 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 17] 제 13항에 있어서,상기 불순물층의 상부에 형성되고, 상기 워드라인과 지그재그 형태로 교번적으로 형성된 센싱라인 콘택 및 비트라인 콘택을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 18] 제 13항 또는 제 17항에 있어서,상기 드레인 영역의 상부에 형성되되, 상기 절연층이 형성되지 않는 상기 실리콘 기판의 상측에 형성되는 비트라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 19] 제 13항 또는 제 17항에 있어서,상기 소스 영역의 상부에 형성되되, 상기 실리콘 기판이 형성되지 않는 상기 절연층의 상측에 형성되는 센싱라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 20] 제 13항에 있어서,상기 불순물층은 n+층인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 21] 제 11항에 있어서,상기 플로팅 채널층과 상기 강유전체층 사이에 형성된 버퍼 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 버퍼 절연층과 상기 플로팅 채널층 사이에 형성된 플로팅 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 24] 제 23항에 있어서,상기 리프레쉬 제어 수단은 상기 라스신호와 상기 카스신호에 따라 리프레쉬 동작을 제어하기 위한 제어신호를 출력하는 리프레쉬 제어부; 및상기 제어신호에 따라 리프레쉬 주기를 카운팅하는 리프레쉬 카운터를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 25] 제 23항에 있어서,상기 로오 어드레스와 상기 컬럼 어드레스를 일정 시간차를 두고 상기 로오 어드레스 제어수단 및 상기 컬럼 어드레스 제어수단에 선택적으로 출력하는 패드 어레이부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 26] 제 25항에 있어서,상기 로오 어드레스와 상기 컬럼 어드레스는 동일한 패드를 통해 입력되어 일정 시간차를 두고 선택적으로 출력됨을 특징으로 하는 실리콘기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 27] 제 23항에 있어서,상기 로오 어드레스 제어수단은 상기 라스신호에 따라 상기 로오 어드레스의 래치 타이밍을 제어하는 로오 타이밍 로직; 상기 로오 타이밍 로직의 제어에 따라 상기 로오 어드레스를 래치하는 로오 어드레스 레지스터; 및 상기 로오 어드레스 레지스터의 출력을 디코딩하여 상기 셀 어레이에 출력하는 로오 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 28] 제 23항에 있어서,상기 컬럼 어드레스 제어수단은 상기 카스신호에 따라 상기 컬럼 어드레스의 래치 타이밍을 제어하는 컬럼 타이밍 로직; 상기 컬럼 타이밍 로직의 제어에 따라 상기 컬럼 어드레스를 래치하는 컬럼어드레스 레지스터; 및 상기 컬럼 어드레스 레지스터의 출력을 디코딩하는 컬럼 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 29] 제 23항에 있어서,어레이는 로오 방향으로 복수개 배열된 워드라인;상기 워드라인과 평행하게 배치되어 상기 로오 방향으로 복수개 배열된 버텀 워드라인; 상기 워드라인과 평행하게 배치되어 상기 로오 방향으로 복수개 배열된 센싱라인;상기 워드라인, 상기 버텀 워드라인 및 상기 센싱라인과 교차하도록 컬럼 방향으로 복수개 배열된 비트라인; 및 상기 워드라인, 상기 버텀 워드라인, 상기 센싱라인과 상기 비트라인의 교차하는 영역에 각각 배열된 복수개의 단위 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 30] 제 29항에 있어서,상기 복수개의 단위 셀은 이웃하는 단위 셀 끼리 상기 비트라인과 상기 센싱라인을 공유하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 31] 제 29항에 있어서,상기 복수개의 단위 셀은 하나의 액티브 영역을 공유하고 이웃하는 단위 셀 끼리 비트라인 콘택과 센싱라인 콘택을 공유하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치. [청구항 32] 제 29항에 있어서,어레이는 상기 비트라인에 실린 데이터를 센싱 및 증폭하는 센스앰프; 상기 데이터를 상기 단위 셀에 라이트하기 위한 구동 전압을 상기 비트라인에 출력하는 라이트 드라이버; 및 상기 센스앰프의 출력 데이터를 임시 저장하는 레지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판이용한불휘발성 강유전체 메모리 장치.