가공 특허 1020060071106

출원번호: 1020060071106
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 1] 전원전압단과 제1 연결단 사이 및 전원전압단과 제2 연결단 사이에 인덕턴스 및 커패시턴스를 제공하기 위한 lc 탱크 공진부 상기 제1 연결단 및 제2 연결단에 하나씩 연결되며 서로 콜렉터-베이스 교차결합을 형성하는 제1 및 제2 발진 트랜지스터 상기 각 발진 트랜지스터를 구동시키기 위한 전류원으로서 작용하는 제1 및 제2 에미터 구동부; 및 상기 각 발진 트랜지스터의 에미터 출력을 베이스로 입력받아, 상기 발진 트랜지스터의 베이스로 인가되어 증폭되는 잡음 성분의 영향을 상쇄시키기 위한 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터를 구비하는 전류부궤환부 를 포함하는 브시오 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전류부궤환부는,일단이 상기 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터의 에미터에 연결되어, 상기 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터를 구동시키기 위한부궤환전류원더포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전류부궤환부는,일단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 에미터에 연결되며, 타단이 접지전압단에 연결되는 제1 부궤환 인덕터; 및일단이 상기 제2 부궤환 트랜지스터의 에미터에 연결되며, 타단이 접지전압단에 연결되는제2부궤환인덕터더포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기lc 탱크 공진부는,전원전압단과 상기 제1 연결단 사이에 위치하는 제1 공진 인턱터;전원전압단과 상기 제2 연결단 사이에 위치하는 제2 공진 인턱터; 및상기 제1 연결단 및 제2 연결단 사이에 위치하는공진커패시터포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기lc 탱크 공진부는,상기 제1 연결단 및 제2 연결단 사이에 위치하여 외부의 제어전압에 따른 lc 탱크 공진부의 커패시턴스 값을 가변하기 위한 바렉터쌍더포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 6] 제1항에 있어서,에미터 구동부는,일단이 발진 트랜지스터의 에미터에 연결되는 에미터-디제너레이션 저항;상기 에미터-디제너레이션 저항의 타단과 접지전압단 사이에 위치하는 에미터 전류원; 및상기 발진 트랜지스터의 에미터와 접지전압단 사이에 위치하는 에미터-디제너레이션커패시터포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 7] 제1항에 있어서,에미터 구동부는,일단이 발진 트랜지스터의 에미터에 연결되는 에미터-디제너레이션 저항;상기 에미터-디제너레이션 저항의 타단과 접지전압단 사이에 위치하는 에미터 전류원; 및상기 에미터 전류원과 병렬 연결되는전류원커패시터포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,부궤환 트랜지스터는,베이스가 상기 부궤환 트랜지스터와 대항하는 연결단에 연결된 발진 트랜지스터의 에미터에 연결되고, 콜렉터가 상기 부궤환 트랜지스터와 대항하는 연결단에 연결된 발진 트랜지스터의 베이스에 연결되고, 에미터는 구동을 위한전류원연결된것을특징으로 하는브시오. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기제1 및 제2 부궤환 트랜지스터의 각에미터서로연결된것을특징으로 하는브시오. [청구항 10] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전류부궤환부는,일단이 상기 제1 연결단에 연결되며 타단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는 제1 로드 저항; 및 일단이 상기 제2 연결단에 연결되며 타단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는제2로드저항더포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 전류부궤환부는,상기 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터의 베이스 사이에 위치하는크로스커패시터더포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 전류부궤환부는,일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제1 연결단에 연결되어 저주파 전압 이득을 높이기 위한 제1 저주파 이득촉진 저항; 및일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제2 연결단에 연결되어 저주파 전압 이득을 높이기 위한제2저주파이득촉진저항포함하는것을특징으로 하는브시오. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 전류부궤환부는,일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제1 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는 제1 저주파 이득촉진 저항; 및일단이 전원전압단에 연결되며 타단이 상기 제2 부궤환 트랜지스터의 컬렉터에 연결되는제2저주파이득촉진저항포함하는것을특징으로 하는브시오.

지시문 (instruction)

주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.

질문 (question)

저위상잡음 차동형 전류부궤환 LC 탱크 브시오에서, 발진 트랜지스터의 에미터 출력을 베이스로 입력받아 잡음 성분의 영향을 상쇄하기 위해 구성되는 전류부궤환부의 세부 구성 요소들을 모두 나열하는가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

발진 트랜지스터의 에미터 출력을 베이스로 입력받아 잡음 성분을 상쇄하는 '전류부궤환부'의 세부 구성 요소를 모두 나열하는 과업이다.
- 상기 각 발진 트랜지스터의 에미터 출력을 베이스로 입력받아, 상기 발진 트랜지스터의 베이스로 인가되어 증폭되는 잡음 성분의 영향을 상쇄시키기 위한 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터를 구비하는 전류부궤환부
2정보 추출information_extraction

청구항 1에서 전류부궤환부의 기본 구성인 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터를 추출하고, 종속항들을 통해 추가 구성 요소를 추출한다.
- 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터, 부궤환전류원, 제1 부궤환 인덕터, 제2 부궤환 인덕터, 제1 로드 저항, 제2 로드 저항, 크로스커패시터, 제1 저주파 이득촉진 저항, 제2 저주파 이득촉진 저항
3근거 선택evidence_selection

전류부궤환부에 포함된다고 명시된 모든 구성 요소들을 청구항 1, 2, 3, 10, 11, 12, 13에서 선별한다.
- 제1 및 제2 부궤환 트랜지스터, 부궤환전류원, 제1 부궤환 인덕터, 제2 부궤환 인덕터, 제1 로드 저항, 제2 로드 저항, 크로스커패시터, 제1 저주파 이득촉진 저항, 제2 저주파 이득촉진 저항
4논리 통합logical_integration

청구항 1의 기본 구성에 각 종속항에서 정의하는 전류부궤환부의 추가 구성 요소들을 통합한다.
5결론 도출conclusion_formulation

추출된 모든 구성 요소를 리스트 형식으로 정리하여 답변을 구성한다.
6답변 생성answer_generation

질문에 대하여 전류부궤환부의 세부 구성 요소들을 모두 나열한다.

최종 답변 (final_answer)

제1 및 제2 부궤환 트랜지스터, 부궤환전류원, 제1 부궤환 인덕터, 제2 부궤환 인덕터, 제1 로드 저항, 제2 로드 저항, 크로스커패시터, 제1 저주파 이득촉진 저항, 제2 저주파 이득촉진 저항

핵심 해석 (core_interpretation)

본 발명은 발진 트랜지스터의 에미터 출력을 베이스로 피드백하는 전류부궤환 구조를 통해 잡음 성분을 상쇄하고 저위상잡음을 구현하는 기술에 관한 것이다.