하이브리드 커패시터, 및 이의 제조 방법 document_id 1020060075743

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 리튬의 가역적인 인터칼레이션/디인터칼레이션이 가능한 화합물은 리튬 복합금속 산화물 또는 리튬 함유 칼코게나이드화합물인 것인하이브리드 커패시터. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 리튬의 가역적인 인터칼레이션/디인터칼레이션이 가능한 화합물은 적어도 하나포함하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 리튬의 가역적인 인터칼레이션/디인터칼레이션이 가능한 화합물은 mg, al, cr, v, ti, cr, fe, zr, zn, si, y, nb, ga, sn, mo, w 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속더욱 포함하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 리튬 복합금속 산화물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 것인 하이브리드 커패시터:[화학식 1]liani1-x-y-zcoxmnymzo2-δpδ(상기 화학식 1에서, m은 mg, al, cr, v, ti, cr, fe, zr, zn, si, y, nb, ga, sn, mo 및 w로 이루어진 군에서 선택된 1종의 원소이고, p는 f 또는 s 중에서 선택된 원소이고, 0.95≤a≤1.2, 0≤x≤0.5, 0≤y≤0.5, 0≤z≤0.3, 및 0≤δ≤0.1이다.)[화학식 2]lianixcoymn2-x-y-zmzo4-δpδ(상기 화학식 2에서, m은 mg, al, cr, v, ti, cr, fe, zr, zn, si, y, nb, ga, sn, mo 및 w로 이루어진 군에서 선택된 1종의 원소이고, p는 f 또는 s 중선택된원소이고, 0.95≤a≤1.2, 0≤x≤0.8, 0≤y≤0.8, 0≤z≤0.3 및 0≤δ≤0.3이다.) [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 리튬 복합금속 산화물은 입자 크기가 20 내지인 것인하이브리드 커패시터. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 리튬 복합금속 산화물은 비표면적이 3 내지인 것인하이브리드 커패시터. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 양극 활물질은 탄산 가스의 존재 하에 적어도 하나의 니켈, 코발트 또는 망간을 함유하는 금속염 수용액, 염기성 킬레이팅제 및 염기성 수용액을 반응기에 동시에 혼합하여 금속 탄산염 침전물을 제조하는 단계; 상기 금속 탄산염 침전물을 건조시키거나 열처리하여 금속 전구체를 제조하는 단계; 및상기 금속 전구체와 리튬염을 혼합한 후, 열처리하는 단계를 포함하는공정거쳐제조되는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 금속염 수용액은 농도가 1 m 내지인 것인하이브리드 커패시터. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 금속염 수용액은 추가로 mg, al, cr, v, ti, cr, fe, zr, zn, si, y, nb, ga, sn, mo, w 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 원소를 포함하는 염포함하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기 금속염 수용액은 황산염, 질산염, 초산염, 할라이드, 수산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 염포함하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 12] 제8항에 있어서,상기 염기성 수용액은 na2co3, k2co3, nh4hco3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종포함하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 염기성 수용액은 농도가 2 m 내지인 것인하이브리드 커패시터. [청구항 14] 제8항에 있어서,상기 금속 탄산염 침전물의 제조는 ph가 5 내지수행하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 15] 제8항에 있어서,상기 금속 탄산염 침전물은 50 내지 120 ℃에서 건조시키거나, 400 내지 600 ℃에서 열처리하는 방법 중에서 선택적실시하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 16] 제8항에 있어서,상기 리튬염은 리튬 나이트레이트, 리튬 아세테이트, 리튬 카보네이트, 리튬 하이드록사이드 및 이들의 조합으로 이루어진군선택되는1종인 것인하이브리드 커패시터. [청구항 17] 제6항에 있어서,상기 금속 전구체와 리튬염의 혼합물의 열처리는 300 내지 550 ℃에서 예비 소성하는 단계, 700 내지 1100℃에서 소성하는 단계, 및 600 내지 750 ℃에서 어닐링하는 단계포함하는 것인하이브리드 커패시터. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 음극 활물질은활성탄인 것인하이브리드 커패시터.