문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 전기화학소자용 구조체를 사용하는 소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3v 이상의 전압에서 상기 제1부재,또는제1부재와제2부재모두용융되는것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 저항 증가 물질을 형성하는 전구체는 시클로헥실벤젠(chb), 시아노시클로헥실벤젠, 바이페닐(biphenyl), 터페닐(terphenyl) 및 플루오로톨루엔(fluorotoluene)으로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 난연성 물질은 인산 유도체 및 불소화 에테르로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제1부재를 이루는 고분자 및 상기 제2부재를 이루는 고분자는 각각 독립적으로 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 고무, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리아세트알데히드, 폴리포름알데히드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐리덴클로라이드, 폴리비닐플루오라이드 및 폴리비닐리덴플루오라이드로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 중공 통형의 관nan은고분자금속으로이루어진것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 전기화학소자용 구조체를 사용하는 소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3v 이상의 전압에서 상기 2개 이상의 중공 통형의 관을 연결하는고분자용융되는것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 저항 증가 물질을 형성하는 전구체는 시클로헥실벤젠(chb), 시아노시클로헥실벤젠, 바이페닐(biphenyl), 터페닐(terphenyl) 및 플루오로톨루엔(fluorotoluene)으로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 난연성 물질은 인산 유도체 및 불소화 에테르로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 11]
제7항에 있어서,상기 2개 이상의 중공 통형의 관을 연결하는 고분자는 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 고무, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리아세트알데히드, 폴리포름알데히드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐리덴클로라이드, 폴리비닐플루오라이드 및 폴리비닐리덴플루오라이드로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 12]
제7항에 있어서,상기 중공 통형의 관, 제3부재, 및 제4부재는 각각 독립적으로고분자금속으로이루어진것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 전기화학소자용 구조체를 사용하는 소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3v 이상의 전압에서상기고분자부재용융되는것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 15]
제13항에 있어서,상기 저항 증가 물질을 형성하는 전구체는 시클로헥실벤젠(chb), 시아노시클로헥실벤젠, 바이페닐(biphenyl), 터페닐(terphenyl) 및 플루오로톨루엔(fluorotoluene)으로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 16]
제13항에 있어서,상기 난연성 물질은 인산 유도체 및 불소화 에테르로 이루어진 군에서 선택된1종이상인것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 17]
제13항에 있어서,상기 고분자부재는 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 고무, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리아세트알데히드, 폴리포름알데히드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐리덴클로라이드, 폴리비닐플루오라이드 및 폴리비닐리덴플루오라이드로 이루어진 군에서 선택된1종이상으로이루어진것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 18]
제13항에 있어서,상기 중공 통형의 관nan은고분자금속으로이루어진것특징인전기화학소자용 구조체.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 전기화학소자는이차전지인것특징인전기화학소자.
[청구항 21]
제19항에 있어서,상기 전기화학소자용 구조체는 소자 내의 빈 공간이나 전해액 중에 포함되거나또는센터핀포함되는것특징인전기화학소자.
[청구항 22]
제19항에 있어서,상기 전기화학소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3v 이상의 전압에서 상기 전기화학소자용 구조체의 내부 빈 공간에 포함된 저항 증가 물질을 형성하는 전구체, 또는 난연성 물질, 또는 이들의 혼합물은상기구조체의외부방출되는것특징인전기화학소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전기화학소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3V 이상의 전압이 인가되었을 때, 전기화학소자용 구조체의 내부 빈 공간에 포함된 물질들이 어떻게 거동하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation전기화학소자의 고온 또는 고전압 조건에서 구조체 내부 빈 공간에 포함된 물질들의 거동을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 22에서 고온 또는 4.3V 이상의 전압 조건 시 내부 빈 공간에 포함된 물질들에 대한 정보를 확인한다.
- 상기 전기화학소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3v 이상의 전압에서 상기 전기화학소자용 구조체의 내부 빈 공간에 포함된 저항 증가 물질을 형성하는 전구체, 또는 난연성 물질, 또는 이들의 혼합물은상기구조체의외부방출되는것
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3근거 선택
evidence_selection물질의 종류(저항 증가 물질 형성 전구체, 난연성 물질, 이들의 혼합물)와 거동(외부 방출)이 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 전기화학소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3v 이상의 전압에서 상기 전기화학소자용 구조체의 내부 빈 공간에 포함된 저항 증가 물질을 형성하는 전구체, 또는 난연성 물질, 또는 이들의 혼합물은상기구조체의외부방출되는것
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4논리 통합
logical_integration특정 조건(고온/고전압)이 발생하면 내부 빈 공간의 물질들이 구조체 외부로 방출된다는 인과관계를 도출한다.
- 상기 전기화학소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3v 이상의 전압에서 상기 전기화학소자용 구조체의 내부 빈 공간에 포함된 저항 증가 물질을 형성하는 전구체, 또는 난연성 물질, 또는 이들의 혼합물은상기구조체의외부방출되는것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 따라 내부 빈 공간에 포함된 물질들이 외부로 방출된다는 결론을 작성한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
전기화학소자의 정상 작동 온도보다 높은 온도 또는 4.3V 이상의 전압이 인가되면, 내부 빈 공간에 포함된 저항 증가 물질을 형성하는 전구체, 난연성 물질, 또는 이들의 혼합물은 전기화학소자용 구조체의 외부로 방출된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전기화학소자의 이상 조건(고온 또는 고전압) 발생 시, 구조체 내부에 저장된 저항 증가 물질이나 난연성 물질을 외부로 방출시켜 소자의 안전성을 확보하는 기술적 메커니즘을 나타낸다.