형상 메모리 소자 document_id 1020060094446

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 쌍안정 나노 스케일 구조는 상기 트랜지스터의 도전성을 서로 다르게 영향을 주는복수개의쌍안정위치들구비하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 나노 스케일 구조에 결합된 회로를 더 포함하되,상기복수개의쌍안정위치들사이의나노스케일구조변화시키는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 회로는 상기 복수개의 쌍안정 위치들 사이의 나노 스케일 구조를 열적으로또는정전기적변화시키는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 쌍안정 나노 스케일 구조는 복수개의 지지부들 사이의 스트레스 하부에 형성되고 상기 스트레스를 경감하는 서로 다른 안정 형상들에 액츄에이트할 수 있는도전체포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 복수개의 서로 다른 형상들은 상방향으로 휘어진 형상과 하방향으로 휘어진 형상을 포함하되, 상기 도전체는상기트랜지스터의게이트기능하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 게이트는 상기 트랜지스터의 채널 영역 상에 복수개의 안전 상태들로 그형상변형되는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,포텐셜을 인가하여 상기 게이트를 변형하는 플레이트 전극을 더 포함하되, 상기 포텐셜은상기플레이트전극과상기게이트사이인가하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 구조는 스트레스된 폴리실리콘막, 스트레스된 금속막, 그 상부에 실리사이드를 갖는 스트레스된 폴리실리콘막, 또는 그 상부에 금속을 갖는 스트레스된폴리실리콘막포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 온도 액츄에이트된 형상 메모리 스위치는 상기 게이트 및 드레인사이결합되는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 온도 액츄에이트된 형상 메모리 스위치는 상기 드레인에 결합되어 드레인전압조정하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,상기 메모리 스위치는 신장 및 수축되는 막들을 갖고 형성되는측벽들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 16] 제 12 항에 있어서,상기 트랜지스터는 평판형,수직형또는도전성실리콘 채널의핀상형성되는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 스위치의 액츄에이팅을 제어하기 위한 상기 스위치들에 정전기적으로 결합되는 다수개의 워드라인들더 포함하는 것을특징으로 크로스 포인트 스위치. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 액츄에이트 가능한 스위치들은 형상 a[모리 합금들, 바이메탈들, 도전성 유기물, 형상 변경 가능한 분자들, 및 나노 튜브들로 이루어진 그룹선택되는 것을특징으로 크로스 포인트 스위치. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,위치에 힘을 인가하여 스위치를 턴 오프하도록 보다 높은 전류를 패싱함으로써 크로스 포인트에 있는 스위치가 턴오프되는것을특징으로 하는메모리. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,스위치를 세트시키는 데 필요한 전류 보다 낮은 전류에서일비트의판독수행하는것을특징으로 하는메모리.