문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판 상에 형성된 제 1 층간절연막
상기 제 1 층간절연막 상부에 형성된 적어도 하나의 트렌치
상기 트렌치에 채워진 제 1 게이트 전극
상기 제 1 게이트 전극 상에 형성된 제 1 반도체 패턴; 및
상기 제 1 게이트 전극과 상기 제 1 반도체 패턴 사이에 개재된 제 1 게이트 절연막을 포함하는 반도체 장치
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 제 1 게이트 전극은 일 방향으로 신장되고, 상기 제 1 반도체 패턴은상기제1게이트 전극교차하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 제 1 게이트 전극은 상기 제 1 층간절연막으로부터 돌출된부분갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제 3항에 있어서,상기 제 1 반도체 패턴은 상기 제 1 게이트 전극 상부에서 돌출된 부분들을 가지되, 상기 돌출부들의 측벽에 형성된스페이서들더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제 4항에 있어서,상기 제 1 반도체 패턴은: 상기 제 1 게이트 전극 양측에 형성된 제 1 소오스/드레인 영역; 및상기 제 1 소오스/드레인 영역 사이에 형성된 채널영역을 포함하되,상기 제 1 소오스/드레인 영역은 상기 스페이서들의 측벽에 정렬되어상기제1게이트 절연막이격된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 제 1 층간절연막을 관통하여 상기 반도체 기판과 상기 제 1 반도체 패턴을 연결하는 시드플러그를 더 포함하되,상기 시드플러그는 상기 제 1 층간절연막으로부터 돌출된부분갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판과 상기 제 1 층간절연막 사이에 개재된 제 2 층간절연막;상기 제 2 층간절연막 상에 형성된 제 2 반도체 패턴:상기 제 2 반도체 패턴 상에 적층된 제 2 게이트 절연막 및 제 2 게이트 전극; 및상기 제 2 게이트 전극 양측의 제 2 반도체 패턴에 형성된 제 2 소오스/드레인 영역을 더 포함하되,상기 제 1 층간절연막의 두께가 상기 제 2 층간절연막에 비해 두꺼운 것특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막의 두께의 차이는상기트렌치의깊이대응하는것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
제1항의 반도체 장치에서 제1 반도체 패턴이 제1 게이트 전극의 양측에 형성된 제1 소오스/드레인 영역과 그 사이에 형성된 채널영역을 포함할 경우, 제1 소오스/드레인 영역은 무엇과 정렬되어 제1 게이트 절연막이 격리되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 반도체 패턴이 소오스/드레인 영역과 채널영역을 포함할 때, 제1 소오스/드레인 영역이 무엇과 정렬되어 제1 게이트 절연막이 격리되는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 제1 반도체 패턴의 구성 요소인 제1 소오스/드레인 영역과 제1 게이트 절연막의 격리 관계를 추출한다.
- 상기 제 1 소오스/드레인 영역은 상기 스페이서들의 측벽에 정렬되어 상기 제1 게이트 절연막이 격리된
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3근거 선택
evidence_selection제1 소오스/드레인 영역이 정렬되는 대상인 '스페이서들의 측벽'을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 제 1 소오스/드레인 영역은 상기 스페이서들의 측벽에 정렬되어
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4논리 통합
logical_integration청구항 5의 문맥에 따라 제1 소오스/드레인 영역이 스페이서들의 측벽에 정렬됨으로써 제1 게이트 절연막이 격리된다는 논리적 관계를 연결한다.
- 상기 제 1 소오스/드레인 영역은 상기 스페이서들의 측벽에 정렬되어 상기 제1 게이트 절연막이 격리된
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '스페이서들의 측벽'을 도출한다.
- 상기 스페이서들의 측벽에 정렬되어
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6답변 생성
answer_generation추출된 근거를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 스페이서들의 측벽
최종 답변 (final_answer)
스페이서들의 측벽
핵심 해석 (core_interpretation)
제1 반도체 패턴 내의 소오스/드레인 영역이 스페이서의 측벽에 정렬됨으로써 제1 게이트 절연막을 격리시키는 구조적 관계를 나타냄.