문맥 (context)
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 전하 트랩층의 측면은 상기 게이트 전극의 측면정렬되어 있는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,상기 반도체 기판 내에 형성되며, 상기 게이트 전극의 양측에 위치하는 복수의 소스/드레인 영역더 포함하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 4]
제3 항에 있어서,상기 반도체 기판은 상기 복수의 소스/드레인 영역 사이의 채널 영역을 더 포함하고,상기 게이트 전극의 측면은 상기 각 소스/드레인 영역 및 상기 채널 영역의 경계정렬되어 있는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 5]
제3 항에 있어서,상기 복수의 소스/드레인 영역은 각각 제1 및 제2 도핑 영역을 포함하되, 상기 제2 도핑 영역은 상기 제1 도핑 영역보다 도핑 농도가 높고,상기 블록킹층의 측면은 상기 제1 도핑 영역과 상기 제2 도핑 영역의 경계정렬되어 있는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 6]
제1 항에 있어서,상기 반도체 기판과 상기 전하 트랩층 사이에 형성되며, 상기 반도체 기판의 전면을 덮는 터널층더 포함하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 7]
제1 항에 있어서,상기 반도체 기판과 상기 전하 트랩층 사이에 형성되며, 상기 블록킹층의 측면에 정렬되는 터널층더 포함하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 8]
제1 항에 있어서,상기 게이트 전극이 가리지 않는 상기 블록킹층의 돌출된 상면, 및 상기 게이트 전극의 적어도 측면을 덮는 절연막더 포함하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 9]
제1 항에 있어서,상기 블록킹층은 실리콘 산화물보다 높은 유전율을 갖는 금속 산화물포함하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 10]
제9 항에 있어서,상기 금속 산화물은 알루미늄 옥사이드(alox), 하프늄 옥사이드(hfox), 하프늄 알루미늄 옥사이드(hfalox), 코발트 알루미늄 옥사이드(coalox) 또는 이들조합인비휘발성 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제3항 및 제4항의 구성을 바탕으로 할 때, 게이트 전극의 측면이 정렬되는 대상은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3항과 제4항의 내용을 결합하여 게이트 전극의 측면이 정렬되는 대상을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction제3항은 복수의 소스/드레인 영역을 포함함을 명시하고, 제4항은 게이트 전극의 측면이 정렬되는 대상을 명시한다.
- 상기 게이트 전극의 측면은 상기 각 소스/드레인 영역 및 상기 채널 영역의 경계정렬되어 있는
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3근거 선택
evidence_selection제4항에서 게이트 전극의 측면이 정렬되는 구체적인 대상인 '각 소스/드레인 영역 및 상기 채널 영역의 경계'를 선택한다.
- 상기 게이트 전극의 측면은 상기 각 소스/드레인 영역 및 상기 채널 영역의 경계정렬되어 있는
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4논리 통합
logical_integration제4항의 구성을 통해 게이트 전극의 측면이 정렬되는 대상이 각 소스/드레인 영역과 채널 영역의 경계임을 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 각 소스/드레인 영역 및 채널 영역의 경계를 도출한다.
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6답변 생성
answer_generationlist 형식에 맞춰 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
각 소스/드레인 영역 및 채널 영역의 경계
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 메모리 소자에서 게이트 전극의 측면을 소스/드레인 영역과 채널 영역 사이의 경계에 정렬시키는 구조적 특징을 나타낸다.