문맥 (context)
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 실리콘산화(sio2)막은 적어도 20å 내지 60å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 전하트랩층은 60å 내지 180å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 스토이키오메트릭 실리콘질화막은 20å 내지 60å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 실리콘-리치 실리콘질화막은 40å 내지 120å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 차폐층은 알루미늄옥사이드(al2o3)막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 알루미늄옥사이드(al2o3)막은 50å 내지 300å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 차폐층은 화학기상증착법에 의해 증착된 실리콘산화막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 차폐층은 하프늄옥사이드(hfo2)막, 하프늄알루미늄옥사이드(hfalo)막, 지르코늄옥사이드(zro2)막이나 이들의 조합포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 15]
제1항에 있어서,상기 컨트롤게이트전극은 폴리실리콘막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 16]
제1항에 있어서,상기 컨트롤게이트전극은 일함수가 4.5ev 이상인 금속막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 금속막은 티타늄나이트라이드(tin)막, 탄탈륨나이트라이드(tan), 하프늄나이트라이드(hfn)막, 텅스텐나이트라이드(wn)막, 또는 이들의 조합포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 전하트랩층은 60å 내지 180å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 20]
제18항에 있어서,상기 제1 스토이키오메트릭 실리콘질화막은 20å 내지 60å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 23]
제18항에 있어서,상기 실리콘-리치 실리콘질화막은 20å 내지 60å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 26]
제18항에 있어서,상기 제2 스토이키오메트릭 실리콘질화막은 20å 내지 60å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 29]
제18항에 있어서,상기 차폐층은 알루미늄옥사이드(al2o3)막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 30]
제29항에 있어서,상기 알루미늄옥사이드(al2o3)막은 50å 내지 300å의 두께갖는불휘발성 메모리소자.
[청구항 31]
제18항에 있어서,상기 차폐층은 화학기상증착법에 의해 증착된 실리콘산화막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 32]
제18항에 있어서,상기 차폐층은 하프늄옥사이드(hfo2)막, 하프늄알루미늄옥사이드(hfalo)막, 지르코늄옥사이드(zro2)막이나 이들의 조합포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 33]
제18항에 있어서,상기 컨트롤게이트전극은 폴리실리콘막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 34]
제18항에 있어서,상기 컨트롤게이트전극은 일함수가 4.5ev 이상인 금속막포함하는불휘발성 메모리소자.
[청구항 35]
제34항에 있어서,상기 금속막은 티타늄나이트라이드(tin)막, 탄탈륨나이트라이드(tan), 하프늄나이트라이드(hfn)막, 텅스텐나이트라이드(wn)막, 또는 이들의 조합포함하는불휘발성 메모리소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
불휘발성 메모리소자의 컨트롤게이트전극이 일함수가 4.5eV 이상인 금속막으로 구성될 경우, 해당 금속막에 포함될 수 있는 물질의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation일함수가 4.5eV 이상인 컨트롤게이트전극 금속막에 포함될 수 있는 물질의 종류를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 16항에서 일함수가 4.5eV 이상인 금속막을 포함하는 컨트롤게이트전극이 언급되었다.
- 상기 컨트롤게이트전극은 일함수가 4.5ev 이상인 금속막포함하는불휘발성 메모리소자
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3근거 선택
evidence_selection해당 금속막의 구체적인 물질을 명시하고 있는 청구항 17항과 35항을 선택한다.
- 상기 금속막은 티타늄나이트라이드(tin)막, 탄탈륨나이트라이드(tan), 하프늄나이트라이드(hfn)막, 텅스텐나이트라이드(wn)막, 또는 이들의 조합포함하는불휘발성 메모리소자
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4논리 통합
logical_integration청구항 16항(또는 34항)의 조건인 '일함수 4.5eV 이상인 금속막'에 대해 청구항 17항(또는 35항)이 구체적인 물질 리스트를 제공함을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 물질인 티타늄나이트라이드(TiN), 탄탈륨나이트라이드(TaN), 하프늄나이트라이드(HfN), 텅스텐나이트라이드(WN)를 답변으로 구성한다.
- 티타늄나이트라이드(tin)막, 탄탈륨나이트라이드(tan), 하프늄나이트라이드(hfn)막, 텅스텐나이트라이드(wn)막
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 물질의 종류를 리스트 형식으로 작성한다.
- 티타늄나이트라이드(tin)막, 탄탈륨나이트라이드(tan), 하프늄나이트라이드(hfn)막, 텅스텐나이트라이드(wn)막
최종 답변 (final_answer)
티타늄나이트라이드(tin)막, 탄탈륨나이트라이드(tan), 하프늄나이트라이드(hfn)막, 텅스텐나이트라이드(wn)막
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 일함수가 4.5eV 이상인 특정 질화물 금속막을 컨트롤게이트전극으로 사용하여 불휘발성 메모리소자의 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.