문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,화학식1의 d가 하기 화학식 3a 내지 3h 중 어느 하나로 표시되는 화학식 3의 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 단량체로부터 유래된 것인 유기 고분자 반도체:[화학식 3]화학식 3a 화학식 3b 화학식 3c 화학식 3d 화학식 3e 화학식 3f 화학식 3g 화학식 3h 상기 화학식 3a 내지 3h에서, b1, b2, b3 및 b4는 각각 독립적으로 -cn, -no2, -coor, 불소 또는 탄소수 1 내지 16의 퍼플루오로알킬기이고, e1 및 e2는 각각 독립적으로 br, cl 및 i로 이루어진 그룹으로부터 선택된 할로겐 원자, 트리알킬틴기 또는 보란기이며, r은 수소탄소수 1 내지 6의 선형, 분지형 또는 환형 알킬기이다.
[청구항 3]
제2항에 있어서,화학식4a 및 4b로 표시되는 화학식 4의 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 단량체로부터 유래된 것인 유기 고분자 반도체:[화학식 4]화학식 4a 화학식 4b 상기 화학식 4a 및 4b에서, e1 및 e2는 각각 독립적으로 br, cl 및 i로 이루어진 그룹선택된할로겐 원자, 트리알킬틴기 또는 보란기이다.
[청구항 4]
제1항에 있어서,화학식5a 내지 화학식 5j로 표시되는 물질로 이루어진그룹선택된것특징으로 하는유기 고분자 반도체:[화학식 5a][화학식 5b][화학식 5c][화학식 5d][화학식 5e][화학식 5f][화학식 5g][화학식 5h][화학식 5i][화학식 5j]상기 화학식 5a 내지 5j에서, n은 4 내지 100의 정수이다.
[청구항 5]
제1항에 있어서,수평균분자량 범위가 5,000내지인것을특징으로 하는유기 고분자 반도체.
[청구항 7]
제6항에 있어서,화학식2로 표시되는 단량체가 하기 화학식 6a 내지 6d 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 고분자 반도체의 제조방법:[화학식 6]화학식 6a 화학식 6b 화학식 6c 화학식 6d 상기 화학식 6a 내지 6d에서, r1은 수소, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 20의 선형, 분지형 또는 환형 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시알킬기, 또는 탄소수 1 내지 16의 선형, 분지형 또는 환형 알콕시기이고, r2 및 r3는 각각 독립적으로 수소, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 20의 선형, 분지형 또는 환형 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시알킬기, 또는 탄소수 1 내지 16의 선형, 분지형 또는 환형 알콕시기이고, 또는 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기이고,r은 수소탄소수 1 내지 6의 선형, 분지형 또는 환형 알킬기이며, a 및 b는 각각 독립적으로 1 또는 2이다.
[청구항 8]
제6항에 있어서,화학식3으로 표시되는 단량체가 하기 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 고분자 반도체의 제조방법:[화학식 4]화학식 4a 화학식 4b 상기 화학식 4a 및 4b에서, e1 및 e2는 각각 독립적으로 br, cl 및 i로 이루어진 그룹선택된할로겐 원자, 트리알킬틴기 또는 보란기이다.
[청구항 9]
제6항에 있어서,사용되는 촉매가 하기 화학식 7의 팔라듐 촉매 또는 화학식 8의 니켈 촉매인 것을 특징으로 하는 유기 고분자 반도체의 제조방법: [화학식 7]상기 화학식 7에서, l은 트리페닐포스핀(pph3), 트리페닐아르신(asph3) 및 트리페닐포스파이트 (p(oph)3)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 리간드이다.[화학식 8]상기 화학식 8에서, l'은 1,5-사이클로옥타디엔, 1,3-디페닐포스피노프로판, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄 및 1,4-디페닐포스피노부탄으로 이루어진 그룹선택된리간드이다.
[청구항 11]
제10항에 있어서,유기 활성층이 스크린 인쇄법, 프린팅법, 스핀 코팅법, 딥핑법 또는 잉크 분사법을 통하여박막형성되는것을특징으로 하는양극성 유기 박막 트랜지스터.
[청구항 12]
제10항에 있어서,절연층이 bao.33sro.66tio3(bst), al2o3, ta2o5, la2o5, y2o5 및 tio2로 이루어진 그룹으로부터 선택된 강유전체 절연체 계열; pbzro.33tio.66o3(pzt), bi4ti3o12, bamgf4, srbi2(tanb)209, ba(zrti)03(bzt), batio3, srtio3, bi4ti3012, sio2, sinx 및 alon로 이루어진 그룹으로부터 선택된 무기 절연체; 또는 폴리이미드, bcb(benzocyclobutane), 파릴렌, 폴리비닐 알콜 및 폴리비닐페놀로 이루어진 그룹으로부터 선택된유기절연체형성되는것을특징으로 하는양극성 유기 박막 트랜지스터.
[청구항 13]
제10항에 있어서,기판이 유리, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리비닐 알콜, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리노르보넨 및 폴리에테르설폰으로 이루어진 그룹으로부터 선택된물질형성되는것을특징으로 하는양극성 유기 박막 트랜지스터.
[청구항 14]
제10항에 있어서,게이트 전극 및 소스, 드레인 전극이 금(au), 은(ag), 알루미늄(al), 니켈(ni) 및 인듐 주석 산화물(ito)로 이루어진 그룹으로부터 선택된물질형성되는것을특징으로 하는양극성 유기 박막 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기 고분자 반도체의 제조방법 중 화학식 3으로 표시되는 단량체를 사용할 때, 해당 단량체는 어떤 화학식의 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 물질로 이루어져야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유기 고분자 반도체 제조방법에서 화학식 3으로 표시되는 단량체가 선택되어야 하는 화학식 그룹을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8에서 화학식 3으로 표시되는 단량체에 관한 내용을 추출한다.
- 화학식3으로 표시되는 단량체가 하기 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 고분자 반도체의 제조방법
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 화학식 3 단량체의 선택 범위를 명시한 구절을 선택한다.
- 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹
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4논리 통합
logical_integration청구항 8에 따르면 화학식 3 단량체는 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질 그룹에서 선택된다.
- 화학식3으로 표시되는 단량체가 하기 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상
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5결론 도출
conclusion_formulation따라서 해당 단량체는 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질의 그룹으로부터 선택되어야 한다.
- 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹
최종 답변 (final_answer)
화학식 4a 및 4b 중 어느 하나로 표시되는 물질로 이루어진 그룹
핵심 해석 (core_interpretation)
유기 고분자 반도체의 제조 공정에서 특정 화학식 3 단량체를 사용할 때, 그 구성 물질이 화학식 4a 또는 4b의 범주 내에 있어야 함을 규정하고 있다.