문맥 (context)
[청구항 1]
상용 전원 공급부(1)와,
상기 상용 전원 공급부(1)에 의해 공급되는 상용 교류 전원을 직류 전원으로 변환하도록 구성되는 브리지 다이오드 정류기(2)와
상기 브리지 다이오드 정류기(2)에 의한 직류 전원으로 충전하여 평활 전압을 출력하는 평활 캐패시터(c0)와,
상기 평활캐패시터(c0)에 의해 평활 전원을 스위칭하는 스위칭 레귤레이터(3)를 포함하는 전원 장치의 돌입전류 억제 회로에 있어서,
상기 브리지 다이오드 정류기(2)와 상기 평활캐패시터(c0) 사이에 연결되어 초기 돌입전류를 억제하는 저항(r0)과,
상기 저항(r0)의 양단에 소오스(6) 및 드레인(7)이 연결되며 게이트(5)로 구동 전압이 입력되는 mosfet(q1)과,
상기 mosfet(q1)에 상기 평활캐패시터(c0)의 전압에 비례하여 구동 전압을 출력하는 구동 회로(4)를 포함하여 이루어져,
전원 장치가 오프 되었다가 온 될 때 상기 평활캐패시터(c0)의 전압이 충분할 경우 2차 돌입전류가 제한되도록 하고 상기 평활캐패시터(c0)의 전압이 낮은 경우 상기 저항(r0)으로만 전류가 흐르도록 하여 2차 돌입전류를 억제하는 것을 특징으로 하는 전원 장치의 돌입전류 억제 회로
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 구동 회로(4)는;상기 평활캐패시터(c0)에 차례로 연결되는 제 1 저항(r1)과 제 1 캐패시터(c1)와,상기 제 1 캐패시터(c1)의 전압 상승에 따라 도통되어 상기 mosfet(q1)의 게이트에 구동 전압을 인가하는 제 1 제너다이오드(d1)와,상기 제 1 캐패시터(c1)와 상기 제 1 제너다이오드(d1) 사이에 연결되는 반전 저항인제2저항포함하여특징으로 하는전원 장치의 돌입 전류 억제 회로.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 구동 회로(4)는;상기 제 1 캐패시터(c1)의 전압을 분배하는 제 3 저항(r3) 및 제 4 저항(r4)과,상기 mosfet(q1)의 게이트(5)와 소오스(6) 사이의 구동 전압이 한계 값 이상 되는 것을 보호하는 제 2 제너다이오드(d2)를 더 포함하여구성됨을특징으로 하는전원 장치의 돌입 전류 억제 회로.
[청구항 4]
상용 전원 공급부(1)와,
상기 상용 전원 공급부(1)에 의해 공급되는 상용 교류 전원을 직류 전원으로 변환하도록 구성되는 브리지 다이오드 정류기(2)와,
상기 브리지 다이오드 정류기(2)에 의한 직류 전원으로 충전하여 평활 전압을 출력하는 평활 캐패시터(c0)와,
상기 평활 캐패시터(c0)에 의해 평활 전원을 스위칭하는 스위칭 레귤레이터(3)를 포함하는 전원 장치의 돌입전류 억제 회로에 있어서,
상기 상용 전원 공급부(1)와 상기 브리지 다이오드 정류기(2) 사이에 연결되어 초기 돌입전류를 억제하는 ntc 써미스터(nth)와,
상기 브리지 다이오드 정류기(2)와 상기 평활 캐패시터(c0) 사이에 연결되어 2차 돌입 전류를 억제하는 ptc 써미스터(pth)와,
상기 ptc 써미스터(pth) 양단에 소오스(6) 및 드레인(7)이 연결되며 게이트(5)로 구동 전압이 입력되는 mosfet(q1)과,
상기 mosfet(q1)에 상기 평활캐패시터(c0)의 전압에 비례하여 구동 전압을 출력하는 구동 회로(4)를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 전원 장치의 돌입전류 억제 회로
[청구항 5]
제 4항에 있어서,상기 구동 회로(4)는;상기 평활캐패시터(c0)에 차례로 연결되는 제 1 저항(r1)과 제 1 캐패시터(c1)와,상기 제 1 캐패시터(c1)의 전압 상승에 따라 도통되어 상기 mosfet(q1)의 게이트에 구동 전압을 인가하는 제 1 제너다이오드(d1)와,상기 제 1 캐패시터(c1)와 상기 제 1 제너다이오드(d1) 사이에 연결되는 반전 저항인제2저항포함하여특징으로 하는전원 장치의 돌입 전류 억제 회로.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 구동 회로(4)는;상기 제 1 캐패시터(c1)의 전압을 분배하는 제 3 저항(r3) 및 제 4 저항(r4)과,상기 mosfet(q1)의 게이트(5)와 소오스(6) 사이의 구동 전압이 한계 값 이상 되는 것을 보호하는 제 2 제너다이오드(d2)를 더 포함하여구성됨을특징으로 하는전원 장치의 돌입 전류 억제 회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1에 따른 전원 장치의 돌입전류 억제 회로에서, 평활 캐패시터(c0)의 전압 상태에 따라 전류가 흐르는 경로가 어떻게 달라지는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation평활 캐패시터(c0)의 전압 상태(충분할 때와 낮을 때)에 따른 전류의 흐름 경로 변화를 분석해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 평활 캐패시터(c0)의 전압이 충분할 때와 낮을 때의 동작 조건을 추출한다.
- 상기 평활캐패시터(c0)의 전압이 충분할 경우 2차 돌입전류가 제한되도록 하고 상기 평활캐패시터(c0)의 전압이 낮은 경우 상기 저항(r0)으로만 전류가 흐르도록 하여
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3근거 선택
evidence_selection전압이 낮은 경우의 경로(저항 r0로만 흐름)와 전압이 충분한 경우의 경로(2차 돌입전류 제한을 위한 mosfet q1 활용)를 나타내는 구절을 선택한다.
- 상기 평활캐패시터(c0)의 전압이 충분할 경우 2차 돌입전류가 제한되도록 하고 상기 평활캐패시터(c0)의 전압이 낮은 경우 상기 저항(r0)으로만 전류가 흐르도록 하여
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4논리 통합
logical_integration전압이 낮으면 mosfet(q1)이 구동되지 않아 저항(r0)으로만 전류가 흐르고, 전압이 충분하면 구동 회로(4)를 통해 mosfet(q1)에 구동 전압이 인가되어 전류 경로가 제어됨을 통합한다.
- 상기 mosfet(q1)에 상기 평활캐패시터(c0)의 전압에 비례하여 구동 전압을 출력하는 구동 회로(4)를 포함하여
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5결론 도출
conclusion_formulation전압이 낮을 때는 저항(r0)을 통해서만 전류가 흐르며, 전압이 충분할 때는 mosfet(q1)을 통해 전류 경로가 제어되어 2차 돌입전류가 제한되는 구조임을 결론짓는다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 전압 상태별 경로 차이를 명확히 기술하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
평활 캐패시터(c0)의 전압 상태에 따른 전류 경로는 다음과 같다. 우선, 평활 캐패시터(c0)의 전압이 낮은 경우에는 전류가 저항(r0)으로만 흐르게 된다. 반면, 평활 캐패시터(c0)의 전압이 충분할 경우에는 구동 회로(4)가 평활 캐패시터(c0)의 전압에 비례하여 mosfet(q1)에 구동 전압을 출력함으로써, 2차 돌입전류가 제한되도록 전류 경로를 제어한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
평활 캐패시터의 전압 크기에 따라 mosfet의 구동 여부를 결정함으로써, 초기 및 2차 돌입전류를 단계적으로 억제하는 제어 메커니즘을 특징으로 한다.