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나노물질을 구비한 전하저장층을 갖는 비휘발성 메모리소자들 및 그의 제조방법들 document_id 1020060105851

출원번호
1020060105851
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 반도체기판; 상기 반도체기판 상에 배치된 터널 절연막 패턴 상기 터널 절연막 패턴 상에 나노필라들 및 상기 나노필라들 사이를 채우는 지지층을 구비한 전하저장층 패턴 상기 전하저장층 패턴 상에 배치된 제어게이트 절연막 패턴; 및 상기 제어게이트 절연막 패턴 상에 배치된 제어게이트 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 전하저장층 패턴은 상기 나노필라들 및 상기 터널 절연막 패턴 사이에 개재된촉매층패턴더포함하는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 촉매층 패턴은 니켈(ni), 코발트(co), 철(fe), 이트륨(y), 란탄(la), 타이타늄(ti), 금(au), 팔라듐(pd), 백금(pt) 및 타이타늄질화막(tin)으로 이루어진 일군 중 선택된 하나의 막이거나 적어도 두개의 합금막(alloy layer)또는적층막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 전하저장층 패턴은 상기 터널 절연막 패턴 및 상기 촉매층 패턴 사이에 개재된배리어층패턴더포함하는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 배리어층 패턴은 타이타늄막(ti), 타이타늄질화막(tin), 탄탈늄막(ta), 탄탈늄질화막(tan) 및 알루미늄막(al)으로 이루어진 일군 중 선택된 하나의 막 또는 적어도 두개의합금막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 나노필라는 탄소 나노 튜브, 실리콘 나노도선(nanowire)또는게르마늄나도선인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 지지층은 실리콘질화막, 실리콘산화막 및 고유전막(high-k dielectric layer)으로 이루어진 일군 중 선택된 하나의 막이거나 적어도 두개의 복합막또는적층막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자. [청구항 8] 반도체기판; 상기 반도체기판 상에 배치된 터널 절연막 패턴 상기 터널 절연막 패턴 상에 배치된 제어게이트 절연막 패턴 상기 터널 절연막 패턴 및 상기 제어게이트 절연막 패턴 사이에 수평방향으로 배치된 탄소나노튜브들 또는 나노도선들 상기 탄소나노튜브들 또는 상기 나노도선들 사이를 채우는 나노파티클층; 및 상기 제어게이트 절연막 패턴 상에 배치된 제어게이트 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 나노도선들은 실리콘 나노도선(nanowire)또는게르마늄나도선인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 나노파티클층은 실리콘나노파티클, 질화실리콘나노파티클, 보론나노파티클 및 질화보론나노파티클로 이루어진 일군 중 선택된 하나의 막이거나 적어도 두개의 복합막또는적층막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 2를 참조할 때, 전하저장층 패턴 내에서 나노필라들과 터널 절연막 패턴 사이에 위치하는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 1과 2를 참조하여 전하저장층 패턴 내의 나노필라들과 터널 절연막 패턴 사이에 위치하는 구성 요소를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2에서 전하저장층 패턴이 나노필라들과 터널 절연막 패턴 사이에 촉매층 패턴을 포함한다고 명시되어 있다.

    • 상기 나노필라들 및 상기 터널 절연막 패턴 사이에 개재된촉매층패턴
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 위치 관계(나노필라와 터널 절연막 사이)를 직접적으로 설명하는 구절을 선택한다.

    • 상기 나노필라들 및 상기 터널 절연막 패턴 사이에 개재된촉매층패턴
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 2의 '개재된'이라는 표현은 두 구성 요소 사이에 위치함을 의미하므로, 촉매층 패턴이 정답임을 도출한다.

    • 상기 나노필라들 및 상기 터널 절연막 패턴 사이에 개재된촉매층패턴
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    나노필라들과 터널 절연막 패턴 사이에 위치하는 구성 요소는 촉매층 패턴이다.

    • 촉매층 패턴
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 핵심 용어인 '촉매층 패턴'을 최종 답변으로 작성한다.

    • 촉매층 패턴
최종 답변 (final_answer)
촉매층 패턴
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 메모리 소자의 전하저장층 패턴 내에서 나노필라와 터널 절연막 사이의 공간에 촉매층 패턴을 배치하여 구조를 형성하는 기술에 관한 것이다.