문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 고반사성 오믹콘택층과 상기 응력완화층 사이에 형성된 금속배리어층을 더 포함하며, 상기 도전성 기판은 상기 다수의 오픈영역을 통해 상기 금속배리어층과전기적접속되는것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 금속배리어층은,텅스텐합금으로이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 금속배리어층과 상기 응력완화층 사이에 상기 금속배리어층의 전기전도도보다 큰 전기전도도를 갖는 고전도성 금속층을 더 포함하며, 상기 도전성 기판은 상기 다수의 오픈영역을 통해상기고전도성 금속층과전기적접속되는것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 고전도성 금속층nan은이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 도전성 기판은 도금층이며, 상기 다수의 오픈영역을 통해 상기 고전도성 금속층과 접촉하며 상기 응력완화층 상에 형성된시드금속층더포함하는것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 시드금속층nan은이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 응력완화층은,유기물질로이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 응력완화층은,무기물질로이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 응력완화층은, sio2, al2o3, sin으로 구성된 그룹으로부터 선택된물질로이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 응력완화층의 두께는 4000 ~ 8000å인것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 도전성 기판nan은금속으로이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 도전성 기판은 cu, ni, au, w 및 ti으로 구성된 그룹으로부터 선택된물질로이루어진것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 도전성 기판의 두께는 50 ~ 100㎛인것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 15]
제1항에 있어서,상기 고반사성 오믹콘택층은 ag, ni, al, ph, pd, ir, ru, mg, zn, pt, au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진적어도하나의층포함하는것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
[청구항 16]
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 질화물층은, n형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층이며, 상기 제2 도전형 질화물층은 p형 불순물이 도핑된질화물반도체층인것을특징으로 하는수직구조 질화물 반도체 발광소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
수직구조 질화물 반도체 발광 소자에서 금속배리어층과 응력완화층 사이에 고전도성 금속층이 포함될 경우, 도전성 기판은 어떤 경로를 통해 해당 고전도성 금속층과 전기적으로 접속되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation고전도성 금속층이 포함된 수직구조 질화물 반도체 발광 소자에서 도전성 기판과 고전도성 금속층 사이의 전기적 접속 경로를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 금속배리어층과 응력완화층 사이에 고전도성 금속층이 포함되는 구성을 확인한다.
- 상기 금속배리어층과 상기 응력완화층 사이에 상기 금속배리어층의 전기전도도보다 큰 전기전도도를 갖는 고전도성 금속층을 더 포함하며
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3근거 선택
evidence_selection도전성 기판이 고전도성 금속층과 어떻게 접속되는지 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 도전성 기판은 상기 다수의 오픈영역을 통해상기고전도성 금속층과전기적접속되는것을특징으로 하는
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4논리 통합
logical_integration청구항 4의 내용을 종합하면, 도전성 기판은 '다수의 오픈영역'을 매개로 고전도성 금속층과 전기적으로 연결된다.
- 상기 도전성 기판은 상기 다수의 오픈영역을 통해상기고전도성 금속층과전기적접속되는것을특징으로 하는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 도전성 기판이 다수의 오픈영역을 통해 고전도성 금속층과 접속된다는 결론을 도출한다.
- 상기 다수의 오픈영역을 통해상기고전도성 금속층과전기적접속되는것을특징으로 하는
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 다수의 오픈영역을 통해상기고전도성 금속층과전기적접속되는것을특징으로 하는
최종 답변 (final_answer)
상기 다수의 오픈영역을 통해 접속된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 고전도성 금속층을 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광 소자에서, 다수의 오픈영역을 이용하여 도전성 기판과 고전도성 금속층 간의 전기적 접속을 형성하는 구조를 기술한다.