내식성 웨이퍼 가공 장치 및 그의 제조방법 document_id 1020060120060

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 충전제가 1000å/min 미만의 에칭 속도를 갖고, 상기 환경이 200 내지 600℃ 온도 범위작동되는가공 장치. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,충전제가 500å/min 미만의 에칭 속도를 갖고, 상기 환경이 200 내지 600℃ 온도 범위작동되는가공 장치. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,충전제가 nazr2(po4)3의 nzp 구조를 갖는 고-열안정성 지르코늄 포스페이트; 2a족, 3a족 및 4a족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 유리-세라믹 조성물; bao-al2o3-b2o3-sio2 유리; 및 sio2, 및 y, sc, la, ce, gd, eu, dy 등의 산화물, 이들 금속중 하나의 불화물 또는 이트륨-알루미늄-가닛(yag)을 포함하는 내플라즈마성 물질의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물포함하는가공 장치. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,충전제가 란탄 알루미노실리케이트(las) 유리, 마그네슘 알루미노실리케이트(mas) 유리, 칼슘 알루미노실리케이트(cas) 유리, 이트륨 알루미노실리케이트(yas) 유리 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 유리-세라믹조성물인가공 장치. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,충전제 조성물이 이트륨 알루미노실리케이트(yas), 및 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물, 칼슘 산화물 및 아연 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 산화물 분말의 혼합물포함하는가공 장치. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,충전제가 이트륨 알루미노실리케이트(yas), 및 콜로이드성 실리카, 콜로이드성 알루미나, 콜로이드성 이트리아(yttria), 콜로이드성 지르코니아 및 이들의 혼합물중 하나 이상의 혼합물포함하는가공 장치. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서,충전제가 y2o3 25 내지 55중량%, al2o3 13 내지 35중량% 및 sio2 25 내지 55중량%를 포함하는 유리 조성물 50 내지 80중량%; 및 al2o3 20 내지 25중량%, 질산 1중량% 미만 및 증류수 75 내지 79중량%의 조성을 갖는 콜로이드성 알루미나 20 내지 50중량포함하는가공 장치. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서,갭을 밀봉시키는 충전제가 전극 cte의 0.75 내지 1.25배 범위갖는가공 장치. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서,베이스 기판이 흑연, 내화성 금속, 전이 금속, 희토류 금속 및 그의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 전기 전도성 물질포함하는가공 장치. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 10 항중 어느 한 항에 있어서,베이스 기판상에 위치한 하나 이상의 전기절연 코팅층을 추가로 포함하고, 이 때상기 코팅층이 b, al, si, ga, y, 내화성 초경합금, 전이 금속 및 그의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 질화물, 탄화물, 탄질화물, 산질화물 하나 이상을 포함하며, 상기 전극이 필름 전극이고, 상기 필름 전극이 팽창열플라즈마(etp), 화학증착법(cvd), 플라즈마 화학증착법, 이온 플라즈마 증착법, 유기금속 화학 증착법, 유기금속 기상 성장법, 스퍼터링(sputtering), 전자빔 및 플라즈마 스프레이중 하나 이상에 의해 전기 절연 코팅층위배치되는가공 장치. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서,베이스 기판이 b, al, si, ga 및 y로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 또는 산질화물; nazr2(po4)3의 nzp 구조를 갖는 고-열안정성 지르코늄 포스페이트; 내화성 초경합금; 전이 금속; 알루미늄의 산화물, 산질화물 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 전기 절연물질인가공 장치. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서,하나 이상의 전기 전극이 저항 가열 전극정전척인가공 장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,작동 환경에 노출되는 커넥터의 일부가, 니켈, 크롬 및 그의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되고 5% 연신율보다 큰 연성을 갖는 전기 전도성 내에칭성 물질코팅되는가공 장치. [청구항 18] 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,커넥터가 로드(rod)이고, 커넥터 로드가 둥근(radiused) 너트 또는 테이퍼형(tapered) 상부를 갖는 너트중 하나에 의해 웨이퍼 가공 장치에 부착되고, 상기 너트가 니켈, 크롬 및 그의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 5% 연신율보다 큰 연성을 갖는 전기 전도성 내에칭성 물질코팅되는가공 장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,너트가 nazr2(po4)3의 nzp 구조를 갖는 고-열안정성 지르코늄 포스페이트; 2a족, 3a족 및 4a족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 유리-세라믹 조성물; bao-al2o3-b2o3-sio2 유리; 및 sio2, 및 y, sc, la, ce, gd, eu, dy 등의 산화물, 이들 금속중 하나의 불화물 또는 이트륨-알루미늄-가닛(yag)을 포함하는 내플라즈마성 물질의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 충전제 조성물로 추가로 감싸입혀지는가공 장치. [청구항 20] 제 16 항 내지 제 19 항중 어느 한 항에 있어서,전극을 웨이퍼 가공 장치에 부착하기 위한 커넥터가 둥근 너트 또는 테이퍼형 상부를 갖는 너트중 하나이고, 상기 너트가 니켈, 크롬 및 그의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 5% 연신율보다 큰 연성을 갖는 전기 전도성 내에칭성 물질코팅되는가공 장치. [청구항 21] 제 16 항 내지 제 20 항중 어느 한 항에 있어서,커넥터가 nazr2(po4)3의 nzp 구조를 갖는 고-열안정성 지르코늄 포스페이트; 2a족, 3a족 및 4a족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 유리-세라믹 조성물; bao-al2o3-b2o3-sio2 유리; 및 sio2, 및 y, sc, la, ce, gd, eu, dy 등의 산화물, 이들 금속중 하나의 불화물 또는 이트륨-알루미늄-가닛(yag)을 포함하는 내플라즈마성 물질의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 충전제 조성물로 추가로 감싸입혀지는가공 장치. [청구항 22] 제 16 항 내지 제 21 항중 어느 한 항에 있어서,하나 이상의 기능성 부재가 일정 간격으로 웨이퍼 가공 장치에 침투하여 갭을 형성하고, 상기 갭이 니켈, 크롬 및 그의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 5% 연신율보다 큰 연성을 갖는 전기 전도성 내에칭성 물질로 코팅된커넥터에의해밀봉되는가공 장치. [청구항 23] 제 16 항 내지 제 22 항중 어느 한 항에 있어서,상기 커넥터가 전극을 장치에 부착하기 위한 너트, 볼트, 리벳(rivet), 로드, 와셔(washer), 스프링 또는 관(tubing)중 하나이고, 패스너와 장치 사이에 하나 이상의 균열이 존재하며, 하나 이상의 균열이 nazr2(po4)3의 nzp 구조를 갖는 고-열안정성 지르코늄 포스페이트; 2a족, 3a족 및 4a족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 유리-세라믹 조성물; bao-al2o3-b2o3-sio2 유리; 및 sio2, 및 y, sc, la, ce, gd, eu, dy 등의 산화물, 이들 금속중 하나의 불화물 또는 이트륨-알루미늄-가닛(yag)을 포함하는 내플라즈마성 물질의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 조성물충전되는가공 장치. [청구항 24] 제 16 항 내지 제 23 항중 어느 한 항에 있어서,장치가 b, al, si, ga, y, 내화성 초경합금, 전이 금속 및 그의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 질화물, 탄화물, 탄질화물, 산질화물중 하나를 포함하는 코팅층으로 추가로 코팅되고, 전극이 하프늄, 지르코늄, 세륨 및 그의 혼합물의 탄화물 및 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질포함하는가공 장치. [청구항 25] 제 16 항 내지 제 24 항중 어느 한 항에 있어서,베이스 기판이 흑연, 내화성 금속, 전이 금속, 희토류 금속 및 그의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 전기 전도성 물질포함하는가공 장치. [청구항 26] 제 16 항 내지 제 25 항중 어느 한 항에 있어서,베이스 기판위에 배치된 하나 이상의 전기 절연 코팅층을 추가로 포함하고, 상기 코팅층이 b, al, si, ga, y, 내화성 초경합금, 전이 금속 및 그의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 질화물, 탄화물, 탄질화물, 산질화물중 하나 이상포함하는가공 장치. [청구항 27] 제 16 항 내지 제 24 항중 어느 한 항에 있어서,베이스 기판이 b, al, si, ga 및 y로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 또는 산질화물; nazr2(po4)3의 nzp 구조를 갖는 고-열안정성 지르코늄 포스페이트; 내화성 초경합금; 전이 금속; 알루미늄의 산화물, 산질화물 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 전기 절연물질인가공 장치.