열 균일성을 강화시킨 가열 장치 및 이의 제조방법 document_id 1020060123692

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,반도체 가공 챔버에서 웨이퍼 기판을 지지하되, 이때 웨이퍼 기판의 표면상의 최대 온도 차이인,장치. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,의 두께가 0.5 내지인,장치. [청구항 4] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,의 두께 차이가 0.005mm미만인,장치. [청구항 5] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,동일하거나 상이한 크기 및 기하학적 형태를 갖는 복수의 tpg 조각포함하는,장치. [청구항 6] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,종방향을 갖는 복수의 tpg 스트립을 포함하되, 이때 상기 스트립이 수직으로 중첩되는 구성형태로 사용되어 줄무늬를 형성하고;둘 이상의 tpg 스트립이 제 1 평면에 위치하되, 이때 tpg 스트립의 종방향이 서로에 대해 실질적으로 평행하고;둘 이상의 tpg 스트립이 제 1 평면으로부터 떨어진 제 2 평면에 위치하되, 이때 tpg 스트립의 종방향이 제 1 평면에서의 tpg 스트립의 종방향에 대해 수직이고; tpg층이 제 1 평면 및 제 2 평면 둘다에서 1000w/m-k 이상의 열 전도성갖는,장치. [청구항 7] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,기재 지지물상에 배치되어 기판을 직접 지지하는 서셉터(susceptor)를 추가로 포함하되, 이때 서셉터가 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하고;기재 기판이 b, al, si, ga, y, 내화경질합금 및 전이 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 및 산질화물; 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 소결된 물질포함하는,장치. [청구항 8] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,가공될 기판을 지지하는 기재 지지물이 고온 금속 및 이들의 합금; 벌크 흑연; 내화성 금속, 전이 금속, 희토류 금속 및 이들의 합금; 하프늄, 지르코늄 및 세륨의 산화물 및 탄화물, 및 이들의 혼합물; b, al, si, ga, y, 내화경질합금 및 전이 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 및 산질화물; 및 이들의 조합물중 하나포함하는,장치. [청구항 9] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,반도체 가공 챔버에서 웨이퍼 기판을 지지하는데 사용되되, 이때 웨이퍼를 지지하기 위한 기재 지지물이 구리, 알루미늄 및 이들의 합금중 하나 이상을 포함하는 기재 기판을 포함하고;하나 이상의 tpg층이 금속 기재 기판에 끼워져 있고;기판을 300℃ 이상의 온도로 가열하기 위한 가열 요소가 tpg층 아래 및 웨이퍼 기판에서 멀어지는 방향으로 금속 기재 기판있는,장치. [청구항 10] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,반도체 가공 챔버에서 웨이퍼 기판을 지지하는데 사용되되,이때 웨이퍼 기판을 지지하기 위한 기재 지지물이 구리, 알루미늄 및 이들의 합금중 하나 이상을 포함하는 기재 기판을 포함하고;가열 요소가 기판을 300℃ 이상의 온도로 가열하기 위하여 2개 유전층 사이에 위치하며 금속 기재 기판상에 배치되고;하나 이상의 tpg층이 가열 요소 및 유전층 아래 및 웨이퍼 기에서 멀어지는 방향으로 금속 기재 기판있는,장치. [청구항 11] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,반도체 가공 챔버에서 웨이퍼 기판을 지지하는데 사용되되,이때 웨이퍼 기판을 지지하기 위한 기재 지지물이 b, al, si, ga, y, 내화경질합금 및 전이 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 및 산질화물, 및 이들의 조합물로부터 선택된 세라믹 물질을 포함하는 기재 기판을 포함하고, 세라믹 기재 기판이 상부 표면, 및 장치상에 지지된 웨이퍼에서 멀어지는 방향으로 향해있는 하부 표면을 갖고;하나 이상의 tpg층이 세라믹 기재 기판에 끼워져 있고; 기판을 300℃ 이상의 온도로 가열하기 위한 가열 요소가 세라믹 기재 기판의 하부 표면상배치되어 있는,장치. [청구항 12] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,전극으로 사용하기 위한 외부 전원 또는 접지(ground)에 전기적접속되는,장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,기재 지지물이 2개의 tpg층인 제 1 층 및 제 2 층을 포함하되, 이때 제 1 층이 흑연 기판의 상부 표면상에 배치되고, 제 2 층이 흑연 기판의 하부 표면상배치되는,장치. [청구항 16] 제 14 항에 있어서,기재 지지물이 2개의 tpg층인 제 1 층 및 제 2 층을 포함하되, 이때 제 1 층이 흑연 기판의 상부 표면상에서 흑연 기판과 제 1 코팅층 사이에 배치되고, 제 2 층이 흑연 기판의 상부 표면에서 제 1 코팅층상배치되는,장치. [청구항 17] 제 14 항에 있어서,기재 지지물이 2개의 tpg층인 제 1 층 및 제 2 층을 포함하되, 이때 제 1 층이 흑연 기판의 하부 표면상에서 흑연 기판과 제 1 코팅층 사이에 배치되고, 제 2 층이 흑연 기판의 상부 표면에서 제 1 코팅층상배치되는,장치. [청구항 18] 제 14 항에 있어서,하나 이상의 tpg층이 흑연 기재 기판의 상부 표면상에서 흑연 기재 기판과 제 1 코팅층 사이배치되는,장치. [청구항 19] 제 14 항에 있어서,하나 이상의 tpg층이 흑연 기재 기판의 하부 표면상에서 흑연 기재 기판과 제 1 코팅층 사이배치되는,장치.