고전압용 쇼트키 다이오드 구조체 document_id 1020060124064

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 도전막은 금속실리사이드인고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 도전성 전극 상에 제2 도전막이 더 위치하고, 상기 제1 및 제2 도전막은 전위에 대하여 동일한 값을 갖는 애노드전극인고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기제1 및 제2 도전막은 금속실리사이드인고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 도전성 전극은 폴리실리콘으로 이루어진고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 캐소드 콘택영역 상에는 캐소드용 전극인 캐소드 전극위치하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 캐소드 콘택영역의 하부의 상기 웰 내에 도핑농도가 상기 웰보다 크고 상기 캐소드 콘택영역보다 작도록 제2 도전형으로 도핑된 제1 도핑영역위치하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 8] 제1항에 있어서,제1 도전막 및 상기 도전성 전극의 하부의 상기 웰 내에 도핑농도가 웰보다 크고 상기 캐소드 콘택영역보다 작도록 제2 도전형으로 도핑된 제2 도핑영역위치하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 9] 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 도핑농도는 1018 원자수/㎠보다 작은 것특징으로 하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 도전성 전극 및 상기 캐소드 콘택영역 사이의 절연층을더 포함하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 11] 제10항에 있어서,절연층은 실리콘산화막으로 이루어진고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 캐소드 콘택영역에 대하여 상기 웰과 상기 기판을 소자분리하는 소자분리막더 포함하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 캐소드 콘택영역에 대하여 상기 소자분리막의 바깥쪽에는 상기 기판을 접지하기 위하여 고농도의 제1 도전형의 도핑된 기판 콘택영역더 포함하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 도전성 전극 상에 제2 도전막이 더 위치하고, 상기 제1 및 제2 도전막은 전위에 대하여 동일한 값을 갖는 애노드용전극인고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기제1 및 제2 도전막은 금속실리사이드인고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 도전성 전극은 폴리실리콘으로 이루어진고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 18] 제14항에 있어서,상기 캐소드 콘택영역의 하부의 상기 웰 내에 도핑농도가 상기 웰보다 크고 상기 캐소드 콘택영역보다 작도록 제2 도전형으로 도핑된 제1 도핑영역위치하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체. [청구항 19] 제14항에 있어서,제1 도전막 및 상기 도전성 전극의 하부의 상기 웰 내에 도핑농도가 상의 웰보다 크고 상기 캐소드 콘택영역보다 작도록 제2 도전형으로 도핑된 제2 도핑영역위치하는고전압용 쇼트키 다이오드 구조체.