플라즈마 처리 장치 및 그 전극 구조 document_id 1020067001305

[청구항 1] 처리 가스를 방전 공간에서 플라즈마화하여 분출하여, 피처리물에 닿게 함으로써 플라즈마 처리를 하는 장치에서의 상기 방전 공간을 형성하는 전극 구조이며, 피처리물의 치수보다 짧은 길이의 전극 부재를 한 방향으로 복수 늘어 세워 이루어지며, 전체적으로 피처리물의 치수에 대응하는 길이의 제1 전극열과, 상기 피처리물의 치수보다 짧은 길이의 다른 전극 부재를 제1 전극열과 평행하게 복수 늘어 세워 이루어지며, 전체적으로 피처리물의 치수에 대응하는 길이의 제2 전극열을 포함하고, 상기 배열 방향의 실질적으로 동일한 위치에 배치된 제1, 제2 전극열의 전극 부재끼리가, 서로 반대의 극성을 갖고 상호 간에 상기 방전 공간의 일부분이 되는 열간 부분 간극을 구성하고, 제1, 제2 전극열끼리의 사이에, 상기 열간 부분 간극을 일렬로 복수 이어져 이루어지는 열간 간극이, 피처리물의 치수에 대응하는 길이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 전극 구조 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 극성으로서 전계 인가극과 접지극이 있으며, 상기 전극 부재 중 전계 인가극을 구성하는 것끼리가, 서로 다른전원접속되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 극성으로서 전계 인가극과 접지극이 있으며, 상기 전극 부재 중 전계 인가극을 구성하는 것끼리가,공통의전원접속되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 4] 처리 가스를 방전 공간에서 플라즈마화하여 분출하여, 피처리물에 닿게 함으로써 플라즈마 처리를 하는 장치에서의 상기 방전 공간을 형성하는 전극 구조이며, 일방향으로 늘어 세운 복수의 전극 부재로 이루어지는 제1 전극열과, 이 제1 전극열과 평행하게 늘어 세운 다른 복수의 전극 부재로 이루어지는 제2 전극열을 포함하고, 상기 배열 방향이 실질적으로 동일한 위치에 배치된 제1, 제2 전극열의 전극 부재끼리가, 서로 반대의 극성을 갖고 상호 간에 상기 방전 공간의 일부분이 되는 열간 부분 간극을 구성하고, 제1, 제2 전극열끼리의 사이에, 상기 열간 부분 간극을 일렬로 복수 이어져 이루어지는 열간 간극이 형성되고, 게다가, 상기 배열 방향에 인접하는 전극 부재끼리의 극성이 서로 반대로 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 전극 구조 [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제1 전극열및/또는 제2 전극열에 있어서 상기 배열 방향에 인접하는 전극 부재끼리의 사이에 열내 간극이 형성되고, 이 열내 간극도 상기 방전 공간의 다른일부분구성하고있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제1 전극열및/또는 제2 전극열에 있어서 상기 배열 방향에 인접하는 전극 부재 중 한쪽이 상기 열간 간극을 형성하는 제1 면과, 이 제1 면과 각도를 이루는 제2 면을 갖고, 다른 쪽 전극 부재가 상기 제1 면과 대략 동일면을 이루어 상기 열간 간극을 형성하는 제3 면과, 이 제3 면과 각도를 이루어 상기 제2 면과 대향하는 제4 면을 갖고, 상기 제2 면과 제4 면 사이에 상기 열내간극형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1 면과 제2 면이 둔각을 이루고, 상기 제3 면과 제4 면이 예각을 이루고, 상기 열내 간극이 상기 열간 간극에 대하여경사있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제1 면과 제2 면이 이루는 둔각측의 각이 상대적으로 큰 곡률 반경으로 r 모따기되고, 상기 제3 면과 제4 면이 이루는 예각측의 각이 상대적으로 작은 곡률 반경으로 r모따기되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 제1 면을 갖는 전극 부재가 속하는 전극열과는 반대 측의 전극열에 있어서, 상기 제1 면을 갖는 전극 부재와 실질적으로 동일한 위치의 전극 부재가 상기 제1 면으로부터제3면의단부배치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 10] 제7항에 있어서,상기 열내 간극의 하류단부가, 처리 가스를 상기 열간 간극을 거치지 않고 분출 가능하게개구되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 11] 처리 가스를 방전 공간에서 플라즈마화하여 분출하여, 피처리물에 닿게 함으로써 플라즈마 처리를 하는 장치에서의 상기 방전 공간을 형성하는 전극 구조이며, 일방향으로 늘어 세운 복수의 전극 부재로 이루어지는 제1 전극열과, 이 제1 전극열과 평행하게 늘어 세운 다른 복수의 전극 부재로 이루어지는 제2 전극열을 포함하고, 상기 배열 방향이 실질적으로 동일한 위치에 배치된 제1, 제2 전극열의 전극 부재끼리가 서로 반대의 극성을 갖고 상호 간에 상기 방전 공간의 일부분이 되는 열간 부분 간극을 구성하고, 제1, 제2 전극열끼리 사이에 상기 열간 부분 간극을 일렬로 복수 이어져 이루어지는 열간 간극이 형성되고, 게다가, 상기 배열 방향에 인접하는 전극 부재끼리가 동일 극성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 전극 구조 [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 극성으로서 전계 인가극과 접지극이 있으며, 상기 배열 방향에 인접하는 전계 인가극의 전극 부재끼리의 사이에,절연성의격벽개재되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치의 전극 구조. [청구항 13] 처리 가스를 도입구로부터 방전 공간으로 유도하여 플라즈마화하여 분출구로부터 분출하여, 피처리물에 닿게 함으로써 플라즈마 처리를 하는 처리 장치이며, 상기 도입구로부터 분출구를 향하는 방향과는 교차하는 방향으로 늘어 세운 복수의 전극 부재로 이루어지는 제1 전극열과, 이 제1 전극열과 평행하게 늘어 세운 다른 복수의 전극 부재로 이루어지는 제2 전극열을 포함하는 전극 구조를 구비하고, 제1 전극열의 전극 부재와 제2 전극열의 전극 부재끼리 중 상기 배열 방향의 제1 위치에 배치된 것끼리가 서로 반대의 극성을 갖고 상호 간에 상기 방전 공간의 일부분이 되는 제1 열간 부분 간극을 형성하는 동시에, 상기 제1 위치가 인접한 제2 위치에 배치된 것끼리가 서로 반대의 극성을 갖고 상호 간에 상기 방전 공간의 다른 일부분이 되는 제2 열간 부분 간극을 형성하고 있으며, 또한, 상기 제1 열간 부분 간극에서의 제2 위치측의 부위를 통과하는 처리 가스 흐름을 제2 위치와의 경계 또는 제2 위치 방향으로 유도하는 가스 유도 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치 [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제1 열간 부분 간극의 제2 위치측의 부위의 내부에는, 상기 가스 유도 수단으로서 제2 위치 방향으로 경사지는 가스 유도면을 갖는가스유도부재설치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 가스 유도 부재의 상기 가스 유도면으로부터 분출구 측에는, 가스 유도면과는 반대 방향으로 경사지는가스복귀면형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 도입구를 형성하는 도입구 형성부를 더 구비하고, 상기 가스 유도 수단이상기도입구형성부설치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 도입구 형성부의 도입구가 상기 제1 열간 부분 간극의 제2 위치측 부위에의 분기구를 갖고, 이 분기구가 제2 위치 방향으로 경사짐으로써,상기가스유도수단구성하고있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 도입구 형성부의 도입구에서의 상기 제1 열간 부분 간극의 제2 위치측의 부위와 대응하는 위치에, 상기 가스 유도 수단으로서 제2 위치 방향으로 경사진정류판수용되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제13항에 있어서,상기 가스 유도 수단이 상기 제1 열간 부분 간극과 제2 열간 부분 간극의 경계의 상기 도입구 측의 단부를 막는 동시에 그것으로부터 분출구 측을 개방하는폐색부포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 도입구를 형성하는 도입구 형성부를 더 구비하고, 상기 도입구 형성부의 도입구가 상기 배열 방향으로 연장되는 슬릿형을 이루어 제1 열간 부분 간극으로부터 제2 열간 부분 간극에 걸쳐 있고, 이 도입구의 상기 제1 열간 부분 간극과 제2 열간 부분 간극과의 경계에 대응하는 위치에상기폐색부수용되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제19항에 있어서,상기 전극 구조에는 제1 전극열에서의 제1 위치의 전극 부재와 제2 위치의 전극 부재끼리의 사이, 및 제2 전극열에서의 제1 위치의 전극 부재와 제2 위치의 전극 부재끼리의 사이에 각각 협지되는 한 쌍의 개재부와, 이들 개재부를 잇는 연결부를 갖는 스페이서가 마련되어, 상기 연결부가 상기 경계의 상기 도입구 측의 단부로 치우쳐 배치됨으로써상기폐색부제공되고있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제13항에 있어서,상기 분출구를 형성하는 분출구 형성부를 더 구비하고, 상기 가스 유도 수단이 상기 분출구 형성부에 마련되어, 제1 열간 부분 간극의 제2 위치측의 부위로부터 나온처리가스를제2위치방향유도하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 가스 유도 수단이 제2 방향으로 경사지는 가스 유도면을 갖고, 상기 분출구 형성부의 분출구 내에서의 상기 제1 열간 부분 간극의 제2 위치측의 부위에 대응하는위치배치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 가스 유도 수단이 상기 분출구 형성부의 분출구 내에서의 상기 제1 열간 부분 간극과 제2 열간 부분 간극과의 경계에 대응하는 위치에 상기 전극 구조 측으로 치우쳐 배치되고, 상기 경계의 분출구 측의 단부를 막는폐색부포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제22항에 있어서,상기 분출구 형성부가 다공판을 갖고, 이 다공판에 의해 제1 열간 부분 간극으로부터의 처리 가스가 분산되고, 나아가서는 제2 위치 방향으로도 확산되어 분출되고, 이에 의해 상기 다공판이상기가스유도 수단제공되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제22항에 있어서,상기 분출구 형성부의 분출구에서의 상기 제1 열간 부분 간극과 제2 열간 부분 간극끼리의 경계에 대응하는 부위가 제1 열간 부분 간극에 대응하는 부위보다도 개구 폭이 커지고, 이 개구 폭이 큰 부위가상기가스유도 수단제공되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 27] 처리 가스를 도입구로부터 방전 공간으로 유도해 플라즈마화하여 분출구로부터 분출하여, 피처리물에 닿게 함으로써 플라즈마 처리를 하는 처리 장치이며, 상기 도입구로부터 분출구를 향한 방향과는 교차하는 방향으로 늘어 세운 복수의 전극 부재로 이루어지는 제1 전극열과, 이 제1 전극열과 평행하게 늘어 세운 다른 복수의 전극 부재로 이루어지는 제2 전극열을 포함하는 전극 구조를 구비하고, 제1 전극열의 전극 부재와 제2 전극열의 전극 부재끼리 중 상기 배열 방향의 제1 위치에 배치된 것끼리가 서로 반대의 극성을 갖고 상호 간에 상기 방전 공간의 일부분이 되는 제1 열간 부분 간극을 형성하고, 상기 제1 위치가 인접한 제2 위치에 배치된 것끼리가 서로 반대의 극성을 갖고 상호 간에 상기 방전 공간의 다른 일부분이 되는 제2 열간 부분 간극을 형성하고, 게다가 제1 전극열에서의 제1 위치의 전극 부재와 제2 위치의 전극 부재끼리의 극성이 서로 반대가 되는 동시에 이들 전극 부재끼리의 사이에 열내 간극이 형성되어 있고, 상기 도입구를 형성하는 도입구 형성부를 더 구비하고, 상기 도입구 형성부의 도입구가 상기 제1 열간 부분 간극과 제2 열간 부분 간극에 걸친 열간 도입구와, 상기 열내 간극에 직접적으로 이어지는 열내 도입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치 [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 복수의 전원 장치의 각각이 상용 교류 전압을 직류로 정류하는 정류부와, 정류 후의 직류를 스위칭 소자로 스위칭하여 교류 전압으로 변환하는 인버터를 갖고, 상기 동기 수단이 각 전원 장치의 인버터의 스위칭 동작을 서로 동기하도록제어하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 동기 수단이 상기 복수의 전원 장치의 인버터를 위한 공통의 게이트 신호 출력부를 갖고, 이 게이트 신호 출력부로부터의 게이트 신호를 각 인버터의 스위칭 소자의 게이트에병렬입력하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 31] 제29항에 있어서,상기 동기 수단이 각 전원 장치의 인버터마다 마련된 복수의 게이트 신호 출력부와, 이들 게이트 신호 출력부를 위한 공통의 동기 신호 공급부를 갖고, 이 동기 신호 공급부로부터의 동기 신호를 각 게이트 신호 출력부에 병렬로 입력하고, 이에 따라서 각 게이트 신호 출력부가 대응하는 인버터의 스위칭 소자의 게이트에게이트 신호입력하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제1, 제2 분할 전극 부재를 갖는 전계 인가 전극과, 이 전계 인가 전극과의 사이에 처리 가스의 통로를 형성하는 접지 전극과, 상기 제1 분할 전극 부재와 접지 전극 사이에 상기 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 인가하는 제1 전원 장치와, 상기 제2 분할 전극 부재와 접지 전극 사이에 상기 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 인가하는 제2 전원 장치와, 상기 제1 전원 장치와 제2 전원 장치를 동기시키는 동기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치 [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 제1 분할 전극 부재와 접지 전극과의 정전 용량이 상기 제2 분할 전극 부재와 접지 전극과의 정전 용량보다 크고, 상기 제2 전원 장치가 상기 제1 전원 장치보다 인가 전압의 상승 및/또는 하강 시간이 긴 것특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제32항에 있어서,상기 제1 분할 전극 부재와 접지 전극과의 정전 용량이 상기 제2 분할 전극 부재와 접지 전극과의 정전 용량보다 크고, 상기 제2 분할 전극 부재에 콘덴서가병렬접속되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치.