게이트 제어된 전하 저장부를 가지는 이미징 document_id 1020067003569

[청구항 1] 전하를 생성하는 광 변환 소자(photo-conversion device) 컨트롤 게이트(control gate)의 제어하에 광 발생 전하를 저장하는 게이트 제어된 전하 저장 영역(gate controlled charge storage region); 및 상기 광 변환 소자로부터 상기 전하 저장 영역으로 상기 광 발생 전하를 전달하기 위해 상기 광 변환 소자와 상기 전하 저장 영역 사이에 게이트를 가지는 제 1 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 셀(pixel cell) [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 전하 저장 영역은 매장형 채널 mos커패시터일부분인것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 전하 저장 영역은 기판의 표면아래에있는것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 전하 저장 영역은,제 2 전도성 타입의 도핑된 영역; 및상기 제 2 전도성 타입의 도핑된 영역과 콘택되어 통하는 제 1 전도성 타입의 도핑된 표면을 포함하며, 상기 컨트롤 게이트는 상기 도핑된표면층상부에있는것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 제 1 전도성 타입 도펀트로 도핑된폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터는 상기 화소 셀에 대한 통합 시간(integration time)을 결정하기 위한셔터트랜지스터인것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,센싱 노드(sensing node); 및상기 저장 저장 영역과 상기 센싱 노드 사이에 게이트를 가지는제2트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 센싱 노드는플로팅확산 영역인것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 적어도 부분적으로 상기 제 1및제2트랜지스터게이트들과중첩되는것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 광 변환 소자는 핀 처리된포토다이오드인것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 11] 전하를 발생하는 광 변환 소자 컨트롤 게이트의 제어하에 광 발생 전하를 저장하는 게이트 제어된 전하 저장 영역로서, 제 2 전도성 타입의 도핑된 영역 및 상기 제 2 전도성 타입의 도핑된 영역과 콘택되어 통하는 제 1 전도성 타입의 도핑된 표면을 포함하며, 상기 컨트롤 게이트가 상기 도핑된 표면층 상부에 있는, 게이트 제어된 전하 저장 영역; 및 상기 광 변환 소자로부터 상기 전하 저장 영역으로 상기 광 발생 전하를 전달하기 위해 상기 광 변환 소자와 상기 전하 저장 영역 사이에 게이트를 가지는 제 1 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 셀 [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 전하 저장 영역은 매장형 채널 mos커패시터일부분인것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,센싱 노드(sensing node); 및상기 저장 저장 영역과 상기 센싱 노드 사이에 게이트를 가지는제2트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 상기 제 1및제2트랜지스터게이트들과중첩되는것을특징으로 하는화소 셀. [청구항 15] 기판; 및 상기 기판 상에 형성된 화소 셀들의 어레이를 포함하며, 상기 각각의 화소 셀은, 전하를 생성하는 광 변환 소자 컨트롤 게이트의 제어하에 광 발생 전하를 저장하는 게이트 제어된 전하 저장 영역; 및 상기 광 변환 소자로부터 상기 전하 저장 영역으로 상기 광 발생 전하를 전달하기 위해 상기 광 변환 소자와 상기 전하 저장 영역 사이에 게이트를 가지는 제 1 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서(image sensor) [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 전하 저장 영역은 매장형 채널 mos커패시터일부분인것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 17] 제 15 항에 있어서,상기 전하 저장 영역은,제 2 전도성 타입의 도핑된 영역; 및상기 제 2 전도성 타입의 도핑된 영역과 콘택되어 통하는 제 1 전도성 타입의 도핑된 표면을 포함하며, 상기 컨트롤 게이트는 상기 도핑된표면층상부에있는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 18] 제 15 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 제 1 전도성 타입에 도핑된폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 19] 제 15 항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터는 상기 화소 셀에 대한 통합 시간을 결정하기 위한셔터 트랜지스터인것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 20] 제 15 항에 있어서,센싱 노드(sensing node); 및상기 저장 저장 영역과 상기 센싱 노드 사이에 게이트를 가지는제2트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 적어도 부분적으로 상기 제 1및제2트랜지스터게이트들과중첩되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 22] (ⅰ) 프로세서(processor); 및 (ⅱ) 상기 프로세서에 연결되는 이미지 센서를 포함하며, 상기 이미지 센서는, 기판; 및 상기 기판 상에 형성된 화소를 포함하며, 상기 화소는, 전하를 생성하는 광 변환 소자 컨트롤 게이트의 제어하에 광 발생 전하를 저장하는 게이트 제어된 전하 저장 영역; 및 상기 광 변환 소자로부터 상기 전하 저장 영역으로 상기 광 발생 전하를 전달하기 위해 상기 광 변환 소자와 상기 전하 저장 영역 사이에 게이트를 가지는 제 1 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세서 시스템(processor system) [청구항 23] 기판; 상기 기판의 표면에 화소 셀들의 어레이로서, 적어도 하나의 화소 셀들은 전하를 생성하는 광 변환 소자, 컨트롤 게이트의 제어하에 광 발생 전하를 저장하는 게이트 제어된 전하 저장 영역 및 상기 광 변환 소자로부터 상기 전하 저장 영역으로 상기 광 발생 전하를 전달하기 위해 상기 광 변환 소자와 상기 전하 저장 영역 사이에 게이트를 가지는 제 1 트랜지스터 포함하는, 화소 셀들의 어레이; 및 상기 어레이와 연결된 회로(circuitry)로서, 상기 회로는 상기 컨트롤 게이트에 연결된 전도성 라인을 포함하고, 상기 전도성 라인은 상기 컨트롤 게이트에 신호를 공급하는, 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로(integrated circuit)