플라스마 처리방법 및 그 장치 document_id 1020067005076

[청구항 3] 제1항에 있어서,상기한 펄스전압으로서 교류전압을 양파정류한 복수의 맥류파로 구성되는펄스전압사용하는것을특징으로 하는플라스마처리방법 [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서,방전전극의 첨단부 가까이에 상기한 플라스마 중의 하전입자가 존재하고 있는 곳에 자장이 형성되어 있고,이 자장 중을 운동하는 플라스마의 하전입자에 대해서 압출작용하는 힘에 의해 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면으로 향해서조사시키도록한것을특징으로 하는플라스마처리방법 [청구항 5] 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서,중심전극과 이 중심전극에 대향하고 있는 주연전극간에 반응성가스를 대기압또는 대기압근방 압력하에서 도입하므로서 플라스마를 포함하는 여기가스류를 피처리물의 표면으로 향해서조사시키는것을특징으로 하는플라스마처리방법 [청구항 7] 제6항에 있어서,중앙전극을 당목형상으로 형성하고, 대향하는 방향으로 연장돌출된 팔의 선단부에 대향하는 상태로주연전극배치되어있는것을특징으로 하는플라스마처리장치. [청구항 8] 제6항 또는 제7항에 있어서,상기한 펄스전압인가수단이구형파펄스전압발생전원인것을특징으로 하는플라스마처리장치. [청구항 9] 제6항 또는 제7항에 있어서,상기한 펄스전압인가수단이 교류전원과 그 교류전압을 전파정류한 복수의 맥류파로 구성되는 펄스전압을 발생시키는정류회로구성되어있는것을특징으로 하는플라스마처리장치. [청구항 10] 제6항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 있어서,대향해서 배치되어 있는 방전전극의 첨단부 가까이에 상기한 플라스마 중의 하전입자가 존재하고 있는 곳에 자장을 형성해서 그 자장 중을 운동하는 하전입자에 대해서 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면으로 향해서 조사시키는 압출력을 작용시키는 것이 가능한자장형성수단설치되어있는것을특징으로 하는플라스마처리장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기한 자장형성수단이 영구자석과 이 영구자석의 n,s 양극에 접속되어서 한 쌍의 방전전극의 첨단부 가까이까지 연장설치된 한 쌍의 자성체와 이들 자성체의 선단에 연달은 단면간에 갭을 형성하는 한쌍의자극편구성되어있는것을특징으로 하는플라스마처리장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기한 자장형성수단이 직류전원에 접속된 전자석과 이 전자석의 n,s 양극에 접속되어서 한 쌍의 방전전극의 첨단부 가까이까지 연장설치된 한 쌍의 자성체와 이들 자성체의 선단에 연달은 단면간에 갭을 형성하는 한쌍의자극편구성되어있는것을특징으로 하는플라스마처리장치. [청구항 13] 제6항 내지 제12항중의 어느 한 항에 있어서,상기한 방전전극간에 반응성가스를 대기압 또는 대기압근방 압력하에서 도입하는 수단이 설치되어있고, 이 수단을 거쳐서 반응성가스를 도입하므로서 플라스마를 포함하는 여기가스류를 피처리물의 표면으로 향해서 조사시키도록구성되어있는것을특징으로하는플라스마처리장치.