문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,전위 기준 회로 영역과 상기 고전위 기준 회로 영역 아래에 배치된 기판 영역을 더 포함하여 이루어지고,상기 절연 격벽의 저부는 상기 기판 영역으로 연장되어 있고,상기 절연 격벽은상기릴레이반도체디바이스둘러싸는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,전위 기준 회로 영역과 상기 고전위 기준 회로 영역 사이에 배치된 절연 격벽들의 그룹을 더 포함하되, 상기 절연 격벽들의 그룹은 상기 저전위기준회로 영역과상기고전위기준회로 영역사이의공간을복수의영역분할하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 고내전압 분리 영역은 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 중 하나 이상을 둘러싸며,복수의 상기 릴레이 반도체 디바이스들은 상기 고내전압 분리 영역에서 링 형상을 형성하도록 배치되고,각각의 릴레이 반도체 디바이스는 상기 절연 격벽으로 둘려싸여 있으며,각각의 릴레이 반도체 디바이스의 출력 와이어링은 상기 저전위 기준 회로 영역과 상기 고전위 기준 회로 영역의 출력 영역에 와이어링되어상기절연 격벽을브릿징하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제1항 또는 제4항에 있어서,전위 기준 회로 영역과 상기 고전위 기준 회로 영역 아래에 배치된 기판 영역; 및상기 저전위 기준 회로 영역과 상기 고전위 기준 회로 영역 및 상기 기판 영역 사이에 임베딩된 절연층을 포함하되, 상기 절연층은 상기 저전위 기준 회로 영역과 상기 고전위 기준 회로 영역을 상기 기판 영역으로부터 절연시키고,상기 절연 격벽들의 저부들은 상기 절연층으로 연장되고, 상기 절연 격벽들은상기릴레이반도체디바이스들둘러싸는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,제1전도형의 기판 영역을 포함하되,상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역은 상기 기판 영역의 주표면 상부에 형성되는 제2전도형의 영역으로, 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 중 하나는 분리된 상태에서 다른 하나를 둘러싸고,상기 고내전압 분리 영역은 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 사이에서링형상형성되는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,제1전도형 또는 제2전도형의 기판 영역; 및 상기 기판 영역 상에 형성되는 절연막을 포함하되,상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역은 상기 절연막 상에 형성되는 제2전도형의 영역으로, 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 중 하나는 분리된 상태에서 다른 하나를 둘러싸고,상기 고내전압 분리 영역은 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 사이에서링형상형성되는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 절연 격벽의 저부는 상기 기판 영역 또는 상기 절연막으로 연장되어 있고,상기 절연 격벽은릴레이반도체디바이스의주변부를셋이상방향으로둘러싸는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 고내전압 분리 영역은 고내전압이 pn 접합에 의해 유지되는접합 격리형구조이루는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 10]
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 고내전압 분리 영역은 고내전압이 복수의 절연 격벽에 의해 유지되는절연격리형구조가지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 절연 격벽들에 의해 분할된 영역들은, 상기 절연 격벽들이 절연막으로서 작용하는 커패시터 구조를 가지고,상기 저전위 기준 회로 영역으로부터 상기 고전위 기준 회로 영역을 향해 전위가점진적상승하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 12]
제1항에 있어서,제1전도형의 기판 영역을 포함하되,상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역은 상기 기판 영역의 주표면 상에 형성되는 제2전도형의 영역으로, 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 중 하나는 분리된 상태에서 다른 하나를 둘러싸고,복수의 릴레이 반도체 장치들은 상기 고내전압 분리 영역에서 링 형상으로 형성되어배치되는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 13]
제1항에 있어서,제1전도형 또는 제2전도형의 기판 영역; 및 상기 기판 영역 상에 형성되는 절연막을 포함하되,상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역은 상기 절연막 상에 형성되는 제2전도형의 영역으로, 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 중 하나는 분리된 상태에서 다른 하나를 둘러싸고,복수의 릴레이 반도체 장치들은 상기 고내전압 분리 영역에서 링 형상으로 형성되어배치되는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 14]
제12항 또는 제13항에 있어서,상기 절연 격벽의 저부는 상기 기판 영역 또는 상기 절연막으로 연장되어 있고,상기 절연 격벽은상기릴레이반도체디바이스의주변부를셋이상방향으로둘러싸는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 15]
제4항에 있어서,제1전도형의 기판 영역을 포함하되,상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역은 상기 기판 영역의 주표면 상부에 형성되는 제2전도형의 영역으로, 상기 저전위 기준 회로 영역 및 상기 고전위 기준 회로 영역 중 하나는 분리된 상태에서 다른하나둘러싸는것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 11에 기재된 절연 격벽들에 의해 분할된 영역들이 커패시터 구조를 가질 때, 저전위 기준 회로 영역에서 고전위 기준 회로 영역 방향으로의 전위 변화는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 11을 바탕으로 절연 격벽에 의해 분할된 영역들이 커패시터 구조를 가질 때, 저전위 기준 회로 영역에서 고전위 기준 회로 영역 방향으로의 전위 변화 양상을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11에서 절연 격벽들에 의해 분할된 영역들이 커패시터 구조를 가지며, 전위가 어떻게 변화하는지에 대한 기술적 특징을 추출한다.
- 상기 절연 격벽들에 의해 분할된 영역들은, 상기 절연 격벽들이 절연막으로서 작용하는 커패시터 구조를 가지고,상기 저전위 기준 회로 영역으로부터 상기 고전위 기준 회로 영역을 향해 전위가점진적상승하는것을특징으로 하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection전위 변화를 직접적으로 설명하는 청구항 11의 구절을 선택한다.
- 상기 저전위 기준 회로 영역으로부터 상기 고전위 기준 회로 영역을 향해 전위가점진적상승하는것을특징으로 하는반도체 장치
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4논리 통합
logical_integration커패시터 구조를 형성하는 절연 격벽을 통해 저전위 영역에서 고전위 영역으로 갈수록 전위가 점진적으로 상승한다는 인과 관계를 확인한다.
- 상기 절연 격벽들이 절연막으로서 작용하는 커패시터 구조를 가지고,상기 저전위 기준 회로 영역으로부터 상기 고전위 기준 회로 영역을 향해 전위가점진적상승하는것을특징으로 하는반도체 장치
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 전위 변화는 '점진적 상승'임을 도출한다.
- 상기 저전위 기준 회로 영역으로부터 상기 고전위 기준 회로 영역을 향해 전위가점진적상승하는것을특징으로 하는반도체 장치
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 저전위 기준 회로 영역으로부터 상기 고전위 기준 회로 영역을 향해 전위가점진적상승하는것을특징으로 하는반도체 장치
최종 답변 (final_answer)
상기 저전위 기준 회로 영역으로부터 상기 고전위 기준 회로 영역을 향해 전위가 점진적 상승한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
절연 격벽이 커패시터 구조를 형성함으로써 저전위 영역에서 고전위 영역에 이르기까지 전위가 단계적으로 상승하도록 설계되어 전압 차를 관리하는 기술이다.