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양극성 접합 트랜지스터의 구조 document_id 1020067015671

출원번호
1020067015671
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 집적 회로로서, 베이스 접점 영역(120)은 피쉬본 구조(fishbone configuration)를 형성하고, 에미터 영역(110)은 상기 피쉬본 구조의 주위에 인접하고 있는 양극성 접합 트랜지스터(100)를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 에미터 영역에 대해서 동일 형상인 에미터 접점 영역(110)은상기에미터영역의상부표면과물리적직접접점하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 접점 영역(120)은도전체포함하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 도전체는금속인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 양극성 접합 트랜지스터(100)는 하기와 같은 반도체 물질:si, sige, gaas, algaas, ingap 및 inp중1종류이상포함하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 양극성 접합 트랜지스터(100)는이종접합양극성트랜지스터포함하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,베이스 영역 컨택터 탭(120)은 상기 피쉬본 구조의 돌기(505)로부터 연장된부분내장되어있는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 이종접합 양극성 트랜지스터(100)를선형전력 증폭기사용하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 선형 전력 증폭기를 휴대폰에사용하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 10] 제 6 항에 있어서,상기 이종접합 양극성 트랜지스터(100)는포화형전력 증폭기사용하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 포화형 전력 증폭기를 휴대폰에사용하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 12] 제 6 항에 있어서,상기 이종접합 양극성 트랜지스터(100)는 하기와 같은 반도체 물질:algaas/gaas 및 ingap/gaas중1종류이상포함하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 13] 제 7 항에 있어서,상기 피쉬본 구조의 돌기(505)로부터 연장된 부분 중 1 종류 이상의 면적은 폭이 1 마이크론이고 길이가10마이크론인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 14] 제 7 항에 있어서,상기 베이스 영역(120)과 상기 에미터 영역(110)의 최단 거리는 약15마이크론내지20마이크론인것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 15] 제 7 항에 있어서,상기 피쉬본 구조는 상기 돌기(505)에 연결된5개이상의연장부위포함하는특징으로 하는집적 회로. [청구항 16] 제 7 항에 있어서,상기 피쉬본 구조는 상기 돌기(505)에 연결된6개이상의연장부위포함하는것을특징으로 하는집적 회로. [청구항 17] 양극성 이종접합 트랜지스터(100)를 포함하는 장치로서, 상기 트랜지스터(100)는 컬렉터-베이스간 커패시턴스(ccb) 및 외인성 베이스 레지스턴스(rb')를 포함하며 상기 트랜지스터의 ccb는 인터디지탈 beb 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 20 퍼센트 이상 작고, 상기 rb'는 인터디지탈 ebe 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 40 퍼센트 이상 작은 것을 특징으로 하는 장치 [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 트랜지스터(100)의 ccb는 인터디지탈 beb 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 25 퍼센트 이상 작고, 상기 rb'는 인터디지탈 beb 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 50 퍼센트 이상 작은 것특징으로 하는장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
양극성 이종접합 트랜지스터(100)의 컬렉터-베이스간 커패시턴스(ccb)와 외인성 베이스 레지스턴스(rb')가 각각 인터디지탈 beb 타입 및 인터디지탈 ebe 타입 트랜지스터와 비교하여 갖는 상대적인 크기 특성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    양극성 이종접합 트랜지스터(100)의 ccb와 rb'가 beb 타입 및 ebe 타입 트랜지스터와 비교하여 갖는 상대적 크기 특성을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 17에서 ccb는 beb 타입과 비교하여 20% 이상 작고, rb'는 ebe 타입과 비교하여 40% 이상 작다는 정보를 추출한다.

    • 상기 트랜지스터의 ccb는 인터디지탈 beb 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 20 퍼센트 이상 작고, 상기 rb'는 인터디지탈 ebe 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 40 퍼센트 이상 작은 것을 특징으로 하는 장치
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 ccb와 beb 타입의 비교, rb'와 ebe 타입의 비교에 해당하는 구절을 선택한다.

    • ccb는 인터디지탈 beb 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 20 퍼센트 이상 작고, 상기 rb'는 인터디지탈 ebe 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 40 퍼센트 이상 작은 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 종합하면, ccb는 beb 타입 대비 20% 이상 작고, rb'는 ebe 타입 대비 40% 이상 작다는 결론에 도달한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대해 ccb와 rb'의 상대적 크기 감소 수치를 포함하여 답변을 구성한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
양극성 이종접합 트랜지스터(100)의 컬렉터-베이스간 커패시턴스(ccb)는 인터디지탈 beb 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 20 퍼센트 이상 작으며, 외인성 베이스 레지스턴스(rb')는 인터디지탈 ebe 타입 양극성 이종접합 트랜지스터와 비교하여 적어도 대략 40 퍼센트 이상 작다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 피쉬본 구조의 베이스 접점 영역을 갖는 양극성 이종접합 트랜지스터를 통해 컬렉터-베이스간 커패시턴스(ccb)와 외인성 베이스 레지스턴스(rb')를 기존 인터디지탈 타입 트랜지스터들보다 감소시킨 기술적 특징을 가진다.