반도체 기판 상의 금속 무전해 증착 장치 document_id 1020067017247

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유체 프로세싱 스테이션은 페이스-업 배향(face-up direction)으로 프로세싱하기 위해 기판을 지지하도록 구성된 회전가능한 기판 지지 조립체포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 회전가능한 기판 지지 조립체는:수직 리프트 조립체; 및상기 수직 리프트 조립체와 소통하여 위치하는 복수의 기판 맞물림 핑거포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 복수의 기판 맞물림 핑거 및 상기 수직 리프트 조립체는 상기 제 1 및 제 2 유체 프로세싱 스테이션 중 하나 이상의 내부에 위치하는 유체 확산 부재와 평행한 관계로 상기 기판을 협력하여위치시키도록구성되는,무전해 증착 시스템. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유체 프로세싱 스테이션 중 하나 이상은:유체 확산 부재;상기 유체 확산 부재의 이면의 둘레와 밀봉가능하게 맞물리고 상기 유체 확산 부재의 이면과의 사이에 유체 부피체를 형성하는 베이스 플레이트; 및상기 유체 부피체와 유체 소통되는 유체 공급 도관더 포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 유체 공급 도관은 온도 제어식 유체 공급원과 유체소통되는,무전해 증착 시스템. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 유체 확산 부재는 다공성 세라믹 디스크포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 8] 제 5 항에 있어서,상기 유체 확산 부재는 관통하여 형성된 복수의 홀을 갖는 디스크형 부재포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 복수의 홀은 약 0.7 mm 내지 약 3 mm 사이의 직경갖는,무전해 증착 시스템. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유체 프로세싱 스테이션 각각은 온도 제어식 프로세싱 유체의 공급원과 유체 소통되는 이동가능한 유체 분배 아암포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 환경 제어식 프로세싱 엔클로져는 상기 제 1 유체 프로세싱 스테이션 위에 위치하는 제 1 프로세싱 부피체 및 상기 제 2 유체 프로세싱 스테이션 위에 위치하는 제 2 프로세싱 부피체를 포함하며, 상기 제 1 프로세싱 부피체가 중앙벽에 의해 상기 제 2 프로세싱 부피체로부터 적어도 부분적분리되어 있는,무전해 증착 시스템. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 프로세싱 부피체의 헤드 공간 부피체는 약 1500 in3 내지 5000 in3 사이각각 있는,무전해 증착 시스템. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 프로세싱 부피체 각각은 상기 제 1 및 제 2 프로세싱 조립체와 유체 소통되는 환경 제어 조립체구비하는,무전해 증착 시스템. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 환경 제어 조립체는 프로세싱 가스 공급부, 히터, 및 가습기 중 하나 이상포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유체 프로세싱 스테이션 각각의 내부에 위치하는 배출 포트더 포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 프로세싱 가스 공급부 및 상기 배출 포트는 프로세싱 단계 동안 약 100 ppm 미만의 상기 제 1 및 제 2 프로세싱 부피체 내의 산소 함량을 협력하여유지하도록구성되는,무전해 증착 시스템. [청구항 17] 제 3 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유체 프로세싱 스테이션 중 하나 이상은 상기 복수의 기판 맞물림 핑거 상에 위치하는 상기 기판의 둘레를 향해 상기 프로세싱 스테이션의 내부로부터 내측 및 상측으로 연장하는 복수의 유체 캐치 링포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 환경 제어식 프로세싱 부피체와 모두 유체 소통되는 프로세싱 가스 소개부 및 제어식 프로세싱 가스 공급부를 더 포함하며, 상기 프로세싱 가스 공급부 및 상기 프로세싱 가스 소개부가 상기 프로세싱 부피체 내에 약 100 ppm 미만의 산소를 발생시키도록협력하여구성되어 있는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 제 1 유체 프로세싱셀 위에 위치한 제 1 프로세싱 부피체 및 상기 제 2 유체 프로세싱 셀 위에 위치한 제 2 프로세싱 부피체와 상기 제어식 프로세싱 부피체를 분리시키도록 위치하는 중앙벽더 포함하는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 프로세싱 부피체 중 하나 이상은 약 1000 in3 내지 약 5000 in3 사이의 헤드 공간 부피체갖는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 기판으로부터 상기 제 1 및 제 2 프로세싱 부피체의 상부의 하부면까지의 수직 거리는 약 12 인치 내지 약36 인치인,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 23] 제 18 항에 있어서,상기 유체 확산 부재는 관통하여 형성되며 방사상으로 거리를 두고 이격된 복수의 유체 분배 홀을 구비하는 디스크형 부재더 포함하는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 복수의 유체 분배 홀은 온도 제어식 유체 공급원과 유체소통되는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 25] 제 18 항에 있어서,상기 유체 확산 부재는 유체 투과형 다공성 세라믹 디스크 부재포함하는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 26] 제 18 항에 있어서,상기 기판 지지 조립체는 수직으로 작동가능한 복수의 기판 지지 핑거포함하는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 27] 제 18 항에 있어서,상기 유체 분배 아암은 온도 제어식 프로세싱 유체 공급원과 유체소통되는,반도체 프로세싱용 유체 증착 시스템. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 프로세싱 엔클로져 각각은 상기 프로세싱 엔클로져를 제 1 프로세싱 부피체 및 제 2 프로세싱 부피체와 분리시키는 중앙벽을 더 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 프로세싱 부피체는 상기 중앙벽 내에 형성된기판 셔틀통해서로 소통되어 있는,무전해 증착 시스템. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 프로세싱 부피체 각각은 약 1500 in3 내지 약 5000 in3 사이의 헤드 공간포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 31] 제 28 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유체 프로세싱 셀의 하나 이상은:실질적으로 평편한 상부면 및 관통하여 형성된 복수의 유체 분배 홀을 갖춘 유체 확산 부재; 및무전극 증착 프로세스 동안 상기 유체 확산 부재로부터 떨어져서 약 1 mm 내지 약 5 mm 사이에 기판을 위치시키도록 구성된 기판 지지 조립체포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 32] 제 28 항에 있어서,상기 유체 분배 홀과 유체 소통되는 가열 유체 공급원더 포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 33] 제 28 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유체 프로세싱 셀 각각은 온도 제어식 프로세싱 유체 공급원과 유체 소통되는 이동식 유체 분배 아암포함하는,무전해 증착 시스템. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 기판 지지 조립체는,상기 확산 플레이트 위로 상기 기판을 지지시키고 기판 핑거 모터의 사용에 의해 회전되도록 되어 있는 기판 지지 핑거더 포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 36] 제 34 항에 있어서,상기 유체 확산 부재는 상기 확산 플레이트와 소통되어 있는 가열 요소더 포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 37] 제 34 항에 있어서,상기 유체 확산 부재는:상기 확산 플레이트와의 사이에 유체 부피체 영역을 제공하며 상기 유체 입구로부터 유체를 수용하고, 상기 확산 플레이트 아래에 위치하는 베이스 플레이트; 및상기 베이스 플레이트와 소통되는 가열 요소더 포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 38] 제 34 항에 있어서,상기 유체 입구 시스템은:하나 이상의 노즐이 이를 따라 배치된 유체 전달 아암; 및상기 무전해 도금 셀의 상기 프로세싱 영역 내에서 상기 유체 전달 아암을 피봇시키기 위한 유체 전달 아암 모터더 포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 39] 제 34 항에 있어서,상기 유체 입구 시스템은:노즐에 연결되며 불활성 가스 또는 수소와 혼합된 불활성 가스를 상기 노즐에 전달하도록 되어 있는 가스 공급원; 및상기 노즐에 연결되는 유체 공급원 더 포함하며, 상기 가스 공급원 및 상기 유체 공급원이 상기 유체 공급원으로부터 상기 기판 표면으로프로세싱유체전달하도록있는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 40] 제 34 항에 있어서,상기 덮개 조립체는 상기 기판 지지 조립체에 관해 상기 덮개 조립체를 선택적으로 상승 및 하강시키기 위한 덮개 조립체 모니터포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 41] 제 34 항에 있어서,상기 덮개 조립체는 무전해 프로세싱 동안 상기 셀 내부에 상기 기판 상에 프로세싱 유체 적용범위의 확인을 제공하는 카메라더 포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 카메라는 상기 기판의 표면이 상기 프로세싱 유체에 의해 실질적으로 덮여있는 것을 보장하도록 상기 카메라의 출력 신호를 모니터링하도록 되어 있는 제어기더 포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 43] 제 41 항에 있어서,상기 카메라가 적외선카메라인,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 44] 제 34 항에 있어서,상기 덮개 조립체는:상부 덮개 부재; 및상기 상부 덮개 부재 아래에 배치된 플레이트를 더 포함하며,상기상부덮개부재및상기플레이트함께플레넘을형성하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 45] 제 44 항에 있어서,상기 플레이트는 세라믹 물질, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌으로 이루어지는군선택된물질로 이루어진,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 46] 제 44 항에 있어서,상기 유제 입구 시스템은 상기 플레이트 내부에 배치된 복수의 노즐을 더 포함하며,상기 노즐 각각은 상기 유체 흡입 라인으로부터 무전해 프로세싱 유체를 수용하고 상기 유체 프로세싱 영역 안으로 상기 무전해 프로세싱 유체전달하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀. [청구항 47] 제 44 항에 있어서,상기 덮개 조립체는,상기 플레이트의 표면으로부터 유체를 제거하기 위해 상기 플레넘에 음압을 선택적으로 적용하기 위한 진공 라인더 포함하는,기판 프로세싱용 페이스-업 방식 무전해 도금 셀.