반도체 산화 장치 및 반도체 소자의 제조 방법 document_id 1020067021340

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 베이스는 가열기가 마련된 가열 테이블과, 이 가열 테이블 상에 배치되어 상기 반도체 샘플을 지지하도록 된 샘플 테이블을 포함하며, 상기 조정부는 상기 가열 테이블과 상기 샘플 테이블을 일체적으로 이동시키도록 된 베이스 이동 기구포함하는 것인반도체 산화 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 베이스는 가열기가 마련된 가열 테이블과, 이 가열 테이블 상에 배치되어 상기 반도체 샘플을 지지하도록 된 샘플 테이블을 포함하며,상기 조정부는 상기 샘플 테이블을 이동시키도록 된 베이스 이동 기구포함하는 것인반도체 산화 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 모니터링 창은 상기 베이스 상에 지지된 반도체 샘플 위의 벽 중 하나에 마련되고, 상기 조정부는 상기 베이스와 상기 모니터링부 중 적어도 하나를 상향 및 하향 이동시킬 수 있는 승강 기구포함하는 것인반도체 산화 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 조정부는 상기 베이스 상에 지지된 반도체 샘플이 상기 모니터링 창에 접근한 모니터링 위치와, 상기 베이스 상에 지지된 반도체 샘플이 모니터링 위치에서보다 더 긴 거리만큼 모니터링 창으로부터 떨어진 후퇴 위치 사이에서 상기 베이스를 이동시키도록 구성된 이동 기구포함하는 것인반도체 산화 장치. [청구항 6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공급부로부터의 수증기의 공급을 중지함으로써 상기 반도체 샘플의 산화를 중단시키도록 구성된 중단부와, 상기 모니터링부에 의해 얻어진 화상에 기초하여 상기 반도체 샘플의 특정 부위의 산화 속도를 구하고, 이 산화 속도에 기초하여 필요한 추가 산화량을 구하도록 구성된 수단과,상기 추가 산화량에 의해 상기 반도체 샘플의 특정 부위를 추가적으로 산화시키도록 구성된 수단더 포함하는반도체 산화 장치. [청구항 7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 모니터링부는 현미경포함하는 것인반도체 산화 장치. [청구항 8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 모니터링부는 자동 초점 기능갖는 것인반도체 산화 장치. [청구항 9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 샘플의 산화를 중단시킨 동안에 진공에 의해 상기 산화 챔버 내의 분위기 가스를 배기하도록 구성된 진공원더 포함하는반도체 산화 장치. [청구항 10] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 샘플의 산화를 중단시킨 동안에 상기 산화 챔버 내의 상기 베이스 상에 지지된 반도체 샘플 상에 불활성 가스를 분무 또는 분출시키는 불활성 가스 공급부더 포함하는반도체 산화 장치. [청구항 11] 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 샘플은 수직 공진 표면 발광 레이저웨이퍼로 이루어지는 것인반도체 산화 장치.