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질화갈륨 웨이퍼 document_id 1020067021612

출원번호
1020067021612
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 실질적인 원형의 질화갈륨 웨이퍼로서, <11-20>축 및 <1-100>축 중 어느 하나의 결정축의 방향을 나타내고 있고 소정의 축 방향으로 연장되어 있는 복수의 스트라이프 영역과, 상기 스트라이프 영역에 의해 서로 이격된 복수의 단결정 영역과, 상기 질화갈륨 웨이퍼의 표면(表面) 및 이면(裏面) 중 적어도 어느 한쪽에 형성된 시인(視認) 가능한 마크를 포함하고 있고, 상기 스트라이프 영역 및 상기 단결정 영역은 상기 질화갈륨 웨이퍼의 표면에 드러나 있으며, 상기 스트라이프 영역의 전위 밀도는 상기 단결정 영역의 전위 밀도보다 크고, 상기 스트라이프 영역의 결정 방위는 상기 단결정 영역의 결정 방위와 다른 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 소정의 축은 <11-20>축 및 <1-100>축 중 어느 하나의 결정축과 0.1°이내의각도이루는것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 소정의 축은 <11-20>축 및 <1-100>축 중 어느 하나의 결정축과 0.03°이내의각도이루는것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 마크는 상기 질화갈륨 웨이퍼의 이면 (000-1)면형성되어있는것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 5] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 마크는 상기 질화갈륨 웨이퍼의 표면 (0001)면형성되어있는것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 6] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 웨이퍼의 상기 표면은 소정의 결정축에 대하여 소정 오프각에 의해 경사져 있고,상기 마크는 상기 표면이 상기 소정의 결정축에 대하여 경사져 있는 방향을 특정할 수 있는위치형성되어있는것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 7] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 마크는 레이저의 조사에 의해형성되어있는것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 8] 원호형의 가장자리를 갖는 질화갈륨 웨이퍼로서, <11-20>축 및 <1-100>축 중 어느 하나의 결정축의 방향을 나타내고 있고 소정의 축 방향으로 연장되어 있는 복수의 스트라이프 영역과, 상기 스트라이프 영역에 의해 서로 이격된 복수의 단결정 영역과, 상기 질화갈륨 웨이퍼의 가장자리에 형성된 절결(切缺)을 구비하고 있고, 상기 스트라이프 영역 및 상기 단결정 영역은 상기 질화갈륨 웨이퍼의 표면에 드러나 있으며, 상기 스트라이프 영역의 전위 밀도는 상기 단결정 영역의 전위 밀도보다 크고, 상기 스트라이프 영역의 결정 방위는 상기 단결정 영역의 결정 방위와 다르며, 상기 절결은 상기 스트라이프 영역과 실질적으로 평행하게 또는 실질적으로 직각으로 신장되어 있고 상기 질화갈륨 웨이퍼의 중심을 통과하는 제1 기준 직선으로부터 +10° 이상 +80° 이하 및 -10° 이하 -80° 이상의 중심각의 범위 내 중 어느 하나의 상기 가장자리에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 절결은노치형상갖는것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 절결은 상기 제1 기준 직선에 교차하는 제2 기준 직선을 따라 신장되는배향판인것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 배향판의 길이는 5 ㎜이상인것을특징으로 하는질화갈륨 웨이퍼.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
질화갈륨 웨이퍼의 스트라이프 영역과 단결정 영역은 결정 방위와 전위 밀도 측면에서 각각 어떠한 차이를 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    질화갈륨 웨이퍼 내 스트라이프 영역과 단결정 영역의 결정 방위 및 전위 밀도 차이를 비교 분석하는 과업이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1과 8에서 스트라이프 영역과 단결정 영역의 전위 밀도 및 결정 방위에 관한 기술적 특징을 추출한다.

    • 상기 스트라이프 영역의 전위 밀도는 상기 단결정 영역의 전위 밀도보다 크고, 상기 스트라이프 영역의 결정 방위는 상기 단결정 영역의 결정 방위와 다른 것을 특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 결정 방위와 전위 밀도에 대한 직접적인 비교 문구를 선택한다.

    • 상기 스트라이프 영역의 전위 밀도는 상기 단결정 영역의 전위 밀도보다 크고, 상기 스트라이프 영역의 결정 방위는 상기 단결정 영역의 결정 방위와 다른
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 근거를 바탕으로 스트라이프 영역은 단결정 영역보다 전위 밀도가 높고, 결정 방위는 서로 다르다는 논리적 관계를 도출한다.

    • 상기 스트라이프 영역의 전위 밀도는 상기 단결정 영역의 전위 밀도보다 크고, 상기 스트라이프 영역의 결정 방위는 상기 단결정 영역의 결정 방위와 다른
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대해 스트라이프 영역과 단결정 영역의 차이점을 명확히 정리하여 결론을 구성한다.

    • 상기 스트라이프 영역의 전위 밀도는 상기 단결정 영역의 전위 밀도보다 크고, 상기 스트라이프 영역의 결정 방위는 상기 단결정 영역의 결정 방위와 다른
  6. 6답변 생성answer_generation

    최종 답변을 작성한다.

    • 상기 스트라이프 영역의 전위 밀도는 상기 단결정 영역의 전위 밀도보다 크고, 상기 스트라이프 영역의 결정 방위는 상기 단결정 영역의 결정 방위와 다른
최종 답변 (final_answer)
질화갈륨 웨이퍼의 스트라이프 영역은 단결정 영역에 비해 전위 밀도가 더 높으며, 결정 방위는 단결정 영역의 결정 방위와 다르다.
핵심 해석 (core_interpretation)
질화갈륨 웨이퍼 내에 결정 방위와 전위 밀도가 서로 다른 스트라이프 영역과 단결정 영역을 공존시켜 웨이퍼의 구조적 특징을 정의하는 기술이다.