전자적으로 제어되는 하이브리드 디지털 및 아날로그 위상천이기 document_id 1020067022854

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 다중 위상 지연 라인, 및 상기 지연 라인 사이에서 스위칭하는데 이용되는 둘 또는 그 이상의 스위칭 디바이스를 포함하는 스위치 라인(switched-line) 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 다중 위상 지연 라인에 접속된 하나 또는 그 이상의 결합기, 및 상기 지연 라인 사이에서 스위칭하는데 이용되는 스위칭 디바이스를 포함하는 리플렉트 라인(reflect-line) 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 위상 천이기 신호 경로에 접속된, 하나 또는 그 이상의 스위칭 가능한 위상 지연 로드(phase delay load)를 포함하는 로디드 라인(loaded-line) 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 스위칭 가능하거나 디지털식으로 변하는, 하나 또는 그 이상의 저항, 인덕터, 또는 커패시터를 포함하는 rlc 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 디지털 위상 천이기 구조의 조합을 포함하는 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 다중 위상 지연 라인, 및 지연 라인 사이에서 스위칭하는데 이용되는 둘 또는 그 이상의 스위칭 디바이스를 포함하는 스위치 라인 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 다중 위상 지연 라인에 접속된 하나 또는 그 이상의 결합기, 및 지연 라인 사이에서 스위칭하는데 이용되는 스위칭 디바이스를 포함하는 리플렉트 라인 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 상기 위상 천이기 신호 경로에 접속된, 하나 또는 그 이상의 스위칭 가능한 위상 지연 로드를 포함하는 로디드 라인 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 스위칭 가능하거나 디지털식으로 변하는, 하나 또는 그 이상의 저항, 인덕터, 또는 커패시터를 포함하는 rlc 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 스위칭 구성 요소(component)로서 다이오드나 트랜지스터편입시키는하이브리드 위상 천이기. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 스위칭 구성 요소로서 mems 디바이스편입시키는하이브리드 위상 천이기. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 다이오드나 트랜지스터 회로로 만들어진 버랙터편입시키는하이브리드 위상 천이기. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 디지털 위상 천이 소자는, 강유전성(ferroelectric), 상유전성(paraelectric), 또는 가변적 비선형 유전성(variable nonlinear dielectric) 물질로 만들어진 버랙터편입시키는하이브리드 위상 천이기. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 연속적으로 조정 가능한 위상 지연 로드에 접속된 하나 또는 그 이상의 결합기를 포함하는 리플렉트 라인 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 상기 위상 천이기 신호 경로에 접속된 하나 또는 그 이상의 연속적으로 조정 가능한 위상 지연 로드를 포함하는 로디드 라인 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 위상 지연을 제공하기 위하여, 연속적으로 조정 가능한 인덕터 및/또는 커패시터와 함께 하나 또는 그 이상의 고정 저항을 포함하는 rlc 구조갖는하이브리드 위상 천이기. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 다이오드나 트랜지스터 회로로 만들어진 버랙터편입시키는하이브리드 위상 천이기. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 강유전성, 상유전성, 또는 가변적 비선형 유전성 물질로 만들어진 버랙터편입시키는하이브리드 위상 천이기. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, mems 디바이스로 만들어진 버랙터편입시키는하이브리드 위상 천이기. [청구항 21] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 정확한 전반적 위상 천이를 제공하기 위해, 회로의 제조에서 일어나는 제조, 조립,또는패키징의변화보상하도록조정되는하이브리드 위상 천이기. [청구항 22] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 정확한 전반적 위상 천이를 제공하기 위해, 변화하는 환경, 전기,또는시스템작동조건보상하도록조정되는하이브리드 위상 천이기. [청구항 23] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는, 시간이 지나면서 회로 구성 요소의 전기적 및/또는 기계적 특성을 변화시키는 또한/또는 열화시키는 것을보상하도록조정되는하이브리드 위상 천이기. [청구항 24] 제1항에 있어서,상기 아날로그 위상 천이 소자는,디지털전기신호에의해제어되는하이브리드 위상 천이기. [청구항 25] 제1항에 있어서,상기 디바이스는,아날로그와디지털신호조합에의해제어되는하이브리드 위상 천이기. [청구항 26] 제21항에 있어서,상기 디바이스는, 위상 천이 소자 성능 변화로 인한 위상 에러의 연속적인 보상에 대한 전기적 제어의 자율적 방법제공하는하이브리드 위상 천이기. [청구항 27] 제22항에 있어서,상기 디바이스는, 환경, 전기, 또는 시스템 작동 조건으로 인한 위상 에러의 연속적인 보상에 대한 전기적 제어의 자율적 방법제공하는하이브리드 위상 천이기.