층을 이루는 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 document_id 1020067023314

[청구항 1] 제1 전극; 상기 제1 전극에 전기적으로 결합되는 제1 칼코게나이드 유리층 상기 제1 칼코게나이드 유리층 상의 제2 칼코게나이드 유리층; 상기 제1 및 제2 칼코게나이드 유리층 사이의 금속 함유층; 상기 제2 칼코게나이드 유리층 상의 금속층; 상기 금속층 상의 도전성 접착층; 및 상기 도전성 접착층에 전기적으로 결합되는 제2 전극을 포함하는, 가변 저항 메모리 소자 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 금속 함유층은 은-칼코게나이드층인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 3] 청구항 2에 있어서,상기 금속 함유층은 은-셀레나이드인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 4] 청구항 3에 있어서,상기 은-셀레나이드층은 식 ag2+/-xse로 표현되고, x는 약 1 ∼ 약 0의범위에 있는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기 금속 함유층은 상기 제1 및 제2 칼코게나이드 유리층의 두께의 약 1∼5배의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 6] 청구항 1에 있어서,상기 금속 함유층은 약 470å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 8] 청구항 7에 있어서,상기 은층은 약 200å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 9] 청구항 1에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 각각 약 100å ∼ 약 1000å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 10] 청구항 1에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 각각 약 150å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 11] 청구항 1에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 식 gexse100-x를 갖는 재료포함하고,x=17∼43인, 가변 저항 메모리 소자. [청구항 12] 청구항 1에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 약 ge40se60의 화학량론을 갖는 게르마늄 셀레나이드 유리포함하는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 13] 청구항 1에 있어서,상기 도전성 접착층은 칼코게나이드 유리층인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 14] 청구항 13에 있어서,상기 도전성 접착층은 약 ge40se60의 화학량론을 갖는 게르마늄 셀레나이드유리인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 15] 청구항 13에 있어서,상기 도전성 접착층은 약 100å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 16] 청구항 1에 있어서,상기제1 및 제2 전극은 텅스텐, 니켈, 탄탈, 알루미늄, 플래티늄(platinum), 은 및 도전성 나이트라이드(nitrides)로 이루어진 그룹선택되는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 17] 청구항 15에 있어서,상기 제1 전극은텅스텐인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 19] 제1 전극; 상기 제1 전극에 전기적으로 결합되는 제1 칼코게나이드 유리층 상기 제1 칼코게나이드 유리층 상의 제1 금속층; 상기 금속층 상의 금속 함유층; 상기 금속 함유층 상의 제2 칼코게나이드 유리층; 상기 제2 칼코게나이드 유리층 상의 제2 금속층; 상기 제2 은층 상의 도전성 접착층; 및 상기 도전성 접착층에 전기적으로 결합되는 제2 전극을 포함하는, 가변 저항 메모리 소자 [청구항 20] 청구항 19에 있어서,상기 금속 함유층은 은-칼코게나이드층인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 21] 청구항 20에 있어서,상기 금속 함유층은 은-셀레나이드인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 22] 청구항 19에 있어서,상기 금속 함유층은 상기 제1 및 제2 칼코게나이드 유리층의 두께의 약 1∼5배의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 23] 청구항 19에 있어서,상기 금속 함유층은 약 470å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 25] 청구항 24에 있어서,상기 제1 은층은 약 35å ∼ 약 50å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 26] 청구항 24에 있어서,상기 제2 은층은 약 200å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 27] 청구항 24에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 각각 약 100å ∼ 약 1000å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 28] 청구항 19에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층은 은 도핑된 칼코게나이드 유리포함하는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 29] 청구항 19에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 각각 약 150å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 30] 청구항 19에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 식 gexse100-x를 갖는 재료포함하고,x=17∼43인, 가변 저항 메모리 소자. [청구항 31] 청구항 19에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 약 ge40se60의 화학량론을 갖는 게르마늄 셀레나이드 유리포함하는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 32] 청구항 19에 있어서,상기 도전성 접착층은 칼코게나이드 유리층인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 33] 청구항 32에 있어서,상기 도전성 접착층은 약 ge40se60의 화학량론을 갖는 게르마늄 셀레나이드유리인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 34] 청구항 32에 있어서,상기 도전성 접착층은 약 100å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 35] 청구항 19에 있어서,상기제1 및 제2 전극은 텅스텐, 니켈, 탄탈, 알루미늄, 플래티늄, 은 및 도전성 나이트라이드로 이루어진 그룹선택되는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 36] 청구항 35에 있어서,상기 제1 전극은텅스텐인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 71] 제1 전극; 상기 제1 전극에 전기적으로 결합되는 제1 칼코게나이드 유리층 상기 제1 칼코게나이드 유리층 상의 제2 칼코게나이드 유리층; 상기 제1 및 제2 칼코게나이드 유리층 사이의 금속 함유층; 상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 금속 함유층 사이의 금속층; 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층에 전기적으로 결합되는 제2 전극을 포함하는, 가변 저항 메모리 소자 [청구항 72] 청구항 61에 있어서,상기 금속 함유층은 은-칼코게나이드층인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 73] 청구항 72에 있어서,상기 금속 함유층은 은-셀레나이드인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 74] 청구항 71에 있어서,상기 금속 함유층은 상기 제1 및 제2 칼코게나이드 유리층의 두께의 약 1∼5배의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 75] 청구항 71에 있어서,상기 금속 함유층은 약 470å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 77] 청구항 71에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 각각 약 100å ∼ 약 1000å의 두께갖는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 78] 청구항 71에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 식 gexse100-x를 갖는 재료포함하고,x=17∼43인, 가변 저항 메모리 소자. [청구항 79] 청구항 71에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 약 ge40se60의 화학량론을 갖는 게르마늄 셀레나이드 유리포함하는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 80] 청구항 71에 있어서,상기제1 및 제2 전극은 텅스텐, 니켈, 탄탈, 알루미늄, 플래티늄, 은 및 도전성 나이트라이드로 이루어진 그룹선택되는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 81] 청구항 71에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층은 은 도핑된 칼코게나이드 유리포함하는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 93] 제1 전극; 상기 제1 전극에 전기적으로 결합되는 제1 칼코게나이드 유리층 상기 제1 칼코게나이드 유리층 상의 제2 칼코게나이드 유리층; 상기 제1 및 제2 칼코게나이드 유리층 사이의 금속 함유층; 상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 금속 함유층 사이의 제1 금속층; 상기 제2 칼코게나이드 유리층 상의 제2 금속층; 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층에 전기적으로 결합되는 제2 전극을 포함하는, 가변 저항 메모리 소자 [청구항 94] 청구항 93에 있어서,상기 금속 함유층은 은-칼코게나이드층인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 95] 청구항 94에 있어서,상기 금속 함유층은 은-셀레나이드인,가변 저항 메모리 소자. [청구항 98] 청구항 93에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 식 gexse100-x를 갖는 재료포함하고,x=17∼43인, 가변 저항 메모리 소자. [청구항 99] 청구항 93에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층 및 상기 제2 칼코게나이드 유리층은 약 ge40se60의 화학량론을 갖는 게르마늄 셀레나이드 유리포함하는,가변 저항 메모리 소자. [청구항 100] 청구항 93에 있어서,상기 제1 칼코게나이드 유리층은 은 도핑된 칼코게나이드 유리포함하는,가변 저항 메모리 소자.