탄화규소 소자들 및 그 제조방법들 document_id 1020067026988

[청구항 24] 제23항에 있어서,상기 하이브리드p-타입 탄화규소 웰 영역은,적어도 일부가 상기 mosfet의 p-타입 채널 영역에 해당하는, 상기 p-타입 탄화규소 에피택셜 층의 에피택셜 p-타입 탄화규소 부분포함하는종형 탄화규소 mosfet. [청구항 25] 제23항에 있어서,상기 하이브리드p-타입 탄화규소 웰 영역과 상기 기판 사이에 n-타입 에피택셜 층더 포함하는종형 탄화규소 mosfet. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기n-타입 탄화규소 소스 영역과 상기 n-타입 탄화규소 채널 영역은 주입된 n-타입 도펀트들을 갖는 상기 p-타입 탄화규소 에피택셜 층의 영역들포함하는종형 탄화규소 mosfet. [청구항 27] 제23항에 있어서,상기 탄화규소mosfet 주변에 전압 흡수 영역더 포함하는종형 탄화규소 mosfet. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기p-타입 탄화규소 에피택셜 층의 노출된 부분들 상에 패시베이팅 층더 포함하는종형 탄화규소 mosfet. [청구항 30] 제29항에 있어서,적어도 하나의 n-타입 탄화규소의 제2 영역을 관통하고 상기 적어도 하나의 p-타입 탄화규소의 매립 영역까지 신장하는, 적어도 하나의 p-타입 탄화규소의 콘택 영역더 포함하는종형 탄화규소 전력소자의 단위 셀. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 게이트 절연체 상의 게이트 콘택;상기 적어도 하나의 콘택 영역의 일부 그리고 상기 n-타입 탄화규소의 제2 영역의 일부와 콘택하기 위한 제1 콘택; 및상기 기판 상의 제2 콘택더 포함하는종형 탄화규소 전력소자의 단위 셀. [청구항 32] 제29항에 있어서,상기제1 p-타입 탄화규소 에피택셜 층과 상기 기판 사이에 n-타입 에피택셜 층더 포함하는종형 탄화규소 전력소자의 단위 셀. [청구항 33] 제29항에 있어서,상기n-타입 탄화규소의 제1 및 제2 영역들은 주입된 n-타입 도펀트들을 갖는 상기 제1 p-타입 탄화규소 에피택셜 층의 영역들인종형 탄화규소 전력소자의 단위 셀. [청구항 34] 제29항에 있어서,상기제1 p-타입 탄화규소 에피택셜 층 내의 트렌치를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 n-타입 탄화규소의 제1 영역은 상기 트렌치의 측벽과 인접하는 n-타입 탄화규소의 영역포함하는종형 탄화규소 전력소자의 단위 셀. [청구항 35] 제29항에 있어서,상기제1 p-타입 탄화규소 에피택셜 층의 노출된 부분들 상에 패시베이팅 층더 포함하는종형 탄화규소 전력소자의 단위 셀. [청구항 36] 제29항에 있어서,탄화규소 소자 주변에 전압 흡수 영역더 포함하는종형 탄화규소 전력소자의 단위 셀. [청구항 47] 제46항에 있어서,상기 제1 도전 타입은 p-타입이고 상기 제2 도전 타입타입인탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자. [청구항 48] 제46항에 있어서,상기 제1 도전 타입은 n-타입이고 상기 제2 도전 타입타입인탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자. [청구항 49] 제46항에 있어서,상기 에피택셜 층은 상기 제2 도전 타입의 드리프트 영역 상의 에피택셜 층을 포함하고, 탄화규소의 제1 영역은 상기 드리프트 영역까지 신장하고, 상기 소자는 전계 효과 트랜지스터포함하는탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자. [청구항 50] 제49항에 있어서,상기 드리프트 영역은 탄화규소의 에피택셜 층포함하는탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자. [청구항 51] 제49항에 있어서,상기 드리프트 영역은 탄화규소 기판포함하는탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자. [청구항 52] 제46항에 있어서,상기 에피택셜 층은 제1 도전 타입 탄화규소의 층 상의 에피택셜 층을 포함하고, 탄화규소의 제1 영역은 상기 제1 도전 타입 탄화규소의 층까지 신장하고, 상기 소자는 절연된 게이트 바이폴라 트랜지스터포함하는탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자. [청구항 53] 제52항에 있어서,상기 제1 도전 타입 탄화규소의 층은 탄화규소의 에피택셜 층포함하는탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자. [청구항 54] 제52항에 있어서,상기 제1 도전 타입 탄화규소의 층은 탄화규소 기판포함하는탄화규소 금속 산화물 반도체 게이트형 소자.