문맥 (context)
[청구항 1]
비휘발성 메모리 전자소자에 있어서,
실리콘 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극과
상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하는 반도체 나노선과
상기 반도체 나노선을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 터널링층과
상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열처리를 가하여 얻어지는 금속 나노입자로 구성되는 전하저장층과
상기 전하저장층을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 산화물층과
상기 산화물층을 감싸도록 형성되되, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 실리콘 기판 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 반도체 나노선 대신에 탄소나노튜브 또는 유기튜브가 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된상태연결하는것을특징으로 하는나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
[청구항 3]
청구항 1에 있어서,상기 반도체 나노선은 si, ge, gan, inp, gaas, gap, si3n4, sio2, sic, zno 및 ga2o3 중 어느하나성분으로이루어진것을특징으로 하는나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
[청구항 4]
청구항 1에 있어서,상기 금속 나노입자는 au, ag, pt, ti 및 al 중 어느하나성분으로이루어진것을특징으로 하는나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
[청구항 5]
청구항 1에 있어서,상기 터널링층 및 산화물층은 al2o3, hfo2 및 sio2물질중하나로이루어진것을특징으로 하는나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
[청구항 13]
청구항 6에 있어서,상기 터널링층 및 산화물층은 al2o3, hfo2 및 sio2 물질 중 어느하나를원자층 증착법형성되는것을특징으로 하는나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자에서 전하저장층을 구성하는 금속 나노입자는 어떠한 과정을 통해 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation비휘발성 메모리 전자소자의 전하저장층을 구성하는 금속 나노입자가 형성되는 구체적인 공정 과정을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 전하저장층의 구성 요소와 형성 방법을 기술한 부분을 추출한다.
- 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열처리를 가하여 얻어지는 금속 나노입자로 구성되는 전하저장층
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3근거 선택
evidence_selection금속 나노입자의 형성 과정과 직접적으로 관련된 '금속 나노 필름에 대한 열처리' 구절을 선택한다.
- 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열처리를 가하여 얻어지는 금속 나노입자
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4논리 통합
logical_integration터널링층 표면에 먼저 금속 나노 필름이 형성되고, 이 필름에 열처리를 가함으로써 금속 나노입자가 생성된다는 논리적 단계를 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation금속 나노입자는 터널링층 표면에 형성된 금속 나노 필름에 열처리를 가함으로써 형성된다는 결론을 도출한다.
- 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열처리를 가하여 얻어지는 금속 나노입자
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 완성된 문장 형태의 답변을 생성한다.
- 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열처리를 가하여 얻어지는 금속 나노입자
최종 답변 (final_answer)
전하저장층을 구성하는 금속 나노입자는 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열처리를 가함으로써 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 터널링층 위에 형성된 금속 나노 필름을 열처리하여 금속 나노입자를 형성함으로써 전하저장층을 구성하는 제조 기술을 포함한다.