기판처리 장치 document_id 1020070027879

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 산출부는, 상기 농도계의 계측치와, 상기 제1 유량계 및 상기 제2 유량계의 계측치에 근거해서 얻어지는 희석률의 역수를 승산(乘算)함으로써, 희석 전의 샘플가스에 포함되는 처리가스의 농도산출하는기판처리 장치. [청구항 3] 제 2항에 있어서,채취부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 샘플가스의 유량을 조정하는 희석 전 샘플가스용의 유량조정부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 희석부에서 상기 농도계로의 배관을 흐르는 샘플가스의 유량을 조정하는 희석 후 샘플가스용의 유량조정부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 희석가스 공급부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 희석가스의 유량을 조정하는 희석가스용의 유량조정부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 6] 제 5항에 있어서,채취부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 샘플가스를 온조(溫調)하는 샘플가스용의 온조부(溫調部더 갖추는기판처리 장치. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 희석가스 공급부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 희석가스를 온조 하는 희석가스용의 온조부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 8] 제 7항에 있어서,상기 농도계, 상기 제1 유량계, 및 상기 제2 유량계를 포함하는 가스 배관계를 수용하는 수용기(收容器)와,상기 희석가스용의 온조부에 의해 온조된 희석가스를 상기 수용기 내로 분출하는 분출부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 희석가스 공급부는, 커리어 가스를 희석가스공급하는기판처리장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,채취부는, 상기 처리실 내 가스의 일부를 샘플가스로서 채취하는 제1 상태와, 상기 처리가스 공급부에 의해 공급되는 가스의 일부를 샘플가스로서 채취하는 제2 상태로 전환가능한기판처리 장치. [청구항 11] 제 9항에 있어서,채취부는, 상기 처리가스 공급부와는 별도로 설치된 가스 채취구(採取口)를 통해서 샘플가스채취하는기판처리 장치. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 산출부는, 상기 농도계의 계측치과, 상기 제1 유량계 및 상기 제2 유량계의 계측치에 근거해서 얻어지는 희석률의 역수를 승산함으로써, 희석 전의 샘플가스에 포함되는 처리가스의 농도산출하는기판처리 장치. [청구항 14] 제 13항에 있어서,채취부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 샘플가스의 유량을 조정하는 희석 전 샘플가스용의 유량조정부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 희석부에서 상기 농도계로의 배관을 흐르는 샘플가스의 유량을 조정하는 희석 후 샘플가스용의 유량조정부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 희석가스 공급부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 희석가스의 유량을 조정하는 희석가스용의 유량조정부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 17] 제 16항에 있어서,채취부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 샘플가스를 온조하는 샘플가스용의 온조부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기 희석가스 공급부에서 상기 희석부로의 배관을 흐르는 희석가스를 온조 하는 희석가스용의 온조부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 19] 제 18항에 있어서,상기 농도계, 상기 제1 유량계, 및 상기 제2 유량계를 포함하는 가스 배관계를 수용하는 수용기와,상기 희석가스용의 온조부에 의해 온조된 희석가스를 상기 수용기 내로 분출하는 분출부더 갖추는기판처리 장치. [청구항 20] 제 19항에 있어서,상기 희석가스 공급부는, 커리어 가스를 희석가스공급하는기판처리 장치.