박막 캐패시터 및 박막 캐패시터 내장형 인쇄회로기판 document_id 1020070030876

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 유전체층은 상기 제1전극과의 사이에, 상기 제1층보다 적은 양의 금속상 비스무트를 포함하는 biznnb계 비정질 금속산화물을 포함하는제2층더포함하는것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 유전체층은 상기 제2전극과의 사이에, 상기 제1층보다 적은 양의 금속상 비스무트를 포함하는 biznnb계 비정질 금속산화물을 포함하는제3층더포함하는것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제1전극은 cu, ni, al, pt, pd, ta, au, 및 ag로 구성된 군으로부터 선택되는금속포함하는것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 금속상 비스무트의 함량은 상기 유전체층에 포함되어 있는 비스무트의 몰수를 기준으로 하여 46%내지인것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 유전체층의 유전상수는50내지인것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 유전체층의 두께는 0.05 ㎛ 내지특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 유전체층은 스퍼터링 증착시 산소플라즈마 및 아르곤 플라즈마의 비율을 조절하여 상기 금속상 비스무트의 함량을 조절하여증착되는것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 아르곤 플라즈마에 대한 상기 산소플라즈마의 비율은0내지인것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 10] 제 3항에 있어서,상기 유전체층은 상기 제1층의 스퍼터링 증착시, 아르곤 플라즈마만을 사용하여 증착하고, 상기 제2층 및 제3층의 스퍼터링 증착시 산소플라즈마/아르곤 플라즈마의 비율은 50/100으로 하여 증착하여 상기 금속상 비스무트의 함량을 조절하여증착되는것을특징으로 하는박막 캐패시터. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 기판nan은동박적층판인것을특징으로 하는박막 캐패시터 내장형 인쇄회로기판. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제1전극은 상기 동박적층판의 어느 한면동박인것을특징으로 하는박막 캐패시터 내장형 인쇄회로기판. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 기판은 고분자로 구성된기판인것을특징으로 하는박막 캐패시터 내장형 인쇄회로기판. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 고분자는 에폭시 수지 및 폴리이미드 중 어느 하나포함하는 것을특징으로 박막 캐패시터 내장형 인쇄회로기판.