문맥 (context)
[청구항 1]
다수의 상변환 셀 영역을 갖는 반도체기판
반도체기판 상에 형성된 하부전극
상기 하부전극 상에 콘택홀 이 구비된 층간절연막
상기 콘택홀의 전면에 형성된 하부전극 콘택
상기 하부전극 콘택이 구비된 콘택홀 내에 형성된 절연막; 및
상기 하부전극 콘택과 콘택되며, 상기 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성된 상변환막과 상부전극의 적층 패턴
를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 하부전극 콘택은 tin, w, co, ni, ti 및 ru 중에서 어느하나의금속막형성된것을특징으로 하는상변환 기억 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 절연막은 bpsg막, apl막 및 sod막 중에서 어느하나막인것을특징으로 하는상변환 기억 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 하드마스크는질화막형성하는것을특징으로 하는상변환 기억 소자.
[청구항 8]
제 4 항에 있어서,상기 절연막은 bpsg막, apl막 및 sod막 중에서 어느하나막인것을특징으로 하는상변환 기억 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
상변환 기억 소자의 적층 패턴 구성 요소 중, 하부전극 콘택과 콘택되면서 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation상변환 기억 소자의 적층 패턴 중 하부전극 콘택과 접촉하며, 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성되는 구성 요소를 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 하부전극 콘택과 콘택되며, 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성되는 구성 요소에 대한 설명을 추출한다.
- 상기 하부전극 콘택과 콘택되며, 상기 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성된 상변환막과 상부전극의 적층 패턴
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 조건(하부전극 콘택과 콘택, 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성)을 모두 만족하는 구절을 선택한다.
- 상기 하부전극 콘택과 콘택되며, 상기 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성된 상변환막과 상부전극의 적층 패턴
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4논리 통합
logical_integration선택된 구절을 분석하면, 해당 조건에 부합하는 구성 요소는 '상변환막과 상부전극의 적층 패턴'임을 알 수 있다.
- 상기 하부전극 콘택과 콘택되며, 상기 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성된 상변환막과 상부전극의 적층 패턴
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '상변환막과 상부전극의 적층 패턴'을 도출한다.
- 상기 하부전극 콘택과 콘택되며, 상기 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성된 상변환막과 상부전극의 적층 패턴
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 하부전극 콘택과 콘택되며, 상기 절연막 및 하부전극 콘택 상에 형성된 상변환막과 상부전극의 적층 패턴
최종 답변 (final_answer)
상변환막과 상부전극의 적층 패턴
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 하부전극 콘택, 절연막, 상변환막 및 상부전극이 특정 적층 구조를 형성하여 상변환 기억 소자를 구성하는 기술적 구성을 정의한다.