반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 document_id 1020070041561

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 제1 정션 영역 상에 형성된 제1 에피택셜층을 더 포함하고, 상기 비트 라인 컨택은 상기 제1 에피택셜층과 상기 비트 라인직접 연결하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 스토리지 전극들과,상기 제2 정션 영역들과 상기 스토리지 전극들을 각각 연결하는 연결 구조들로, 상기 각 연결 구조는 상기 제2 정션 영역 상에 형성된 컨택 패드와, 상기 컨택 패드 상에 형성되고 상기 스토리지 전극과 연결된 스토리지 노드 컨택을 더 포함하는 연결 구조들더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 제2 정션 영역들 상에 각각 형성된 제2 에피택셜층들을 더 포함하고, 상기 컨택 패드들은 상기 제2 에피택셜층 상형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기제1 및 제2 억세스 트랜지스터 각각은리세스 채널갖는트랜지스터인반도체 집적 회로 장치. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기제1 및 제2 억세스 트랜지스터의 리세스 채널 사이에 형성되되, 상기 제1 정션 영역 하부에 형성된 제3 정션 영역더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 비트 라인 중 상기 비트 라인 컨택과 연결되는 부분에는 탭형성되는반도체 집적 회로 장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 단위 액티브 영역들은 제1 방향으로 연장되어 형성되고,상기 게이트 라인들은 상기 제1 방향과 예각을 이루는제2방향연장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 11] 제 9항에 있어서,상기 컨택 패드들 상에 형성된 스토리지 노드 컨택들더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 13] 제 9항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 비트 라인들을 더 포함하고,상기 제1 영역들과 상기 비트 라인들을 직접 연결하는 비트 라인 컨택들더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 비트 라인 컨택들은 상기 육각형 벌집 구조를 구성하는 셀들의 내부형성되는반도체 집적 회로 장치. [청구항 15] 제 13항에 있어서,상기 제1 영역들 상에 형성된 제1 에피택셜층들을 더 포함하고, 상기 비트 라인 컨택들은 상기 제1 에피택셜층들과 상기 비트 라인들직접 연결하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 16] 제 13항에 있어서,상기 단위 액티브 영역들은 제1 방향으로 연장되어 형성되고,상기 비트 라인들은 상기 제1 방향과 예각을 이루는제3방향연장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 17] 제 13항에 있어서,상기 비트 라인 중 상기 비트 라인 컨택과 연결되는 부분에는 탭형성되는반도체 집적 회로 장치. [청구항 18] 제 1항에 있어서,상기 제2 영역들 상에 형성된 제2 에피택셜층들을 더 포함하고, 상기 컨택 패드들은 상기 제2 에피택셜층들 상형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 19] 제 1항에 있어서,상기 제1 영역의 기판 내에는 제1 정션 영역이 형성되고, 상기 제2 영역의 기판 내에는 제2 정션 영역이 형성되고, 상기 제1 정션 영역 하부에는 제3 정션 영역더 형성되는반도체 집적 회로 장치. [청구항 21] 제 20항에 있어서,상기 제2 영역들 상에 형성된 제2 에피택셜층들과,상기 제2 에피택셜층들 상에 형성된 컨택 패드들과,상기 컨택 패드들 상에 형성된 스토리지 노드 컨택들더 포함하는반도체 집적 회로 장치. [청구항 22] 제 20항에 있어서,상기 단위 액티브 영역들은 제1 방향으로 연장되어 형성되고,상기 게이트 라인들은 상기 제1 방향과 예각을 이루는 제2 방향으로 연장되어 형성되고,상기 비트 라인들은 상기 제1 방향과 예각을 이루는제3방향연장되어형성된반도체 집적 회로 장치. [청구항 24] 제 23항에 있어서,상기 제1 도전 라인을 이루는 물질은 금속이고, 상기 제1 컨택을 이루는 물질은 도우프된 폴리실리콘인반도체 집적 회로 장치. [청구항 25] 제 23항에 있어서,상기 제2 도전 라인 및 상기 제2 컨택을 이루는 물질금속인반도체 집적 회로 장치. [청구항 26] 제 23항에 있어서,상기 제1 도전 라인과 상기 제2 도전 라인은 동일한 라인 레벨형성되는반도체 집적 회로 장치. [청구항 27] 제 23항에 있어서,상기 게이트 라인들 사이의 단위 액티브 영역과 상기 제1 컨택 사이에 형성된 에피택셜층더 포함하는반도체 집적 회로 장치.