나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및그의 제조방법 document_id 1020070045945

[청구항 1] 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크에 있어서, 나노 임프린트막의 입도(grain size)가 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 2] 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 자외선 경화용 나노 임프린트 리소그래피에 적용되는 블랭크 마스크에 있어서, 나노 임프린트막의 두께가 10~700å이고 투과율이 자외선 경화 파장에 대해 1% 미만의 투과율을 가지고 자외선 경화 파장에 대한 위상반전량이 180도 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 3] 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크에 있어서, 레지스트막의 두께가 500~4000å 사이인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 4] 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크에 있어서, 나노 임프린트막의 표면거칠기가 5nmra 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 5] 제 1항 내지 제 4항에 있어서,나노 임프린트막의 경우 성분이 보론(b), 카본(c), 마그네슘(mg), 알루미늄(al), 실리콘(si), 스칸듐(sc), 티타늄(ti), 바나듐(v), 크롬(cr), 망간(mn), 철(fe), 코발트(co), 니켈(ni), 구리(cu), 아연(zn), 갈륨(ga), 게르마늄(ge), 비소(as), 이트륨(y), 지르코늄(zr), 니오븀(nb), 몰리브덴(mo), 테크네튬(tc), 루테늄(ru), 로듐(rh), 팔라듐(pd), 은(ag), 카드늄(cd), 인듐(in), 주석(sn), 안티몬(sb), 루테튬(lu), 하프늄(hf), 탄탈륨(ta), 텅스텐(w), 레늄(re), 오스뮴(os), 이리듐(ir), 플래티늄(pt), 금(au), 탈륨(tl), 납(pb) 등으로 이루어진 물질군에서 선택된 1종 이상의 물질 또는 2종 이상의 물질 조합으로 이루어지거나, 또는 물질군에서 선택된 1종 혹은 2종 이상의 물질과 산소, 질소, 탄소, 불소 등으로 이루어진 가스군에서 선택된 1종 혹은 2종 이상의 가스가 포함된나노임프린트막인것을특징으로 하는나노임프린트 블랭크 마스크 [청구항 6] 제 2항에 있어서,나노 임프린트막의 노광 또는 폴리머(polymer) 경화 파장에 대한반사율이하인것을특징으로 하는나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 7] 제 1항 내지 제 4항에 있어서,나노 임프린트막의 증착 방식으로 dc 스퍼터링, rf 스퍼터링, ion beam 증착, 원자층 증착 등의 방법 중에서 선택된방법증착되는것을특징으로 하는나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 8] 제 1항 내지 제 4항에 있어서,나노 임프린트막 단일막또는2층이상구조로이루어진것을특징으로 하는나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 9] 제 1항 내지 제 4항에 있어서,투명 기판 위에 나노 임프린트막을 형성한 후 실리콘이 포함된 유기물질을 사용하여 표면 처리를 실시하여 나노 임프린트막 위에 실리콘이 포함된표면처리막형성되는것을특징으로 하는나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 10] 투명기판 위에 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 블랭크 마스크에 있어서, 실리콘이 포함된 유기물질을 사용하여 표면 처리를 실시하여 나노 투명기판 위에 실리콘이 포함된 표면처리막이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크 [청구항 13] 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프리트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서, 스템프 패턴의 표면거칠기가 5nmra 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프 [청구항 14] 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서, 상기 기판의 표면거칠기가 5nmra 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프 [청구항 15] 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서, 상기 나노 임프린트 패턴의 표면과 측면의 표면거칠기가 5nmra 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프 [청구항 16] 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서, 상기 나노 임프린트 패턴은 표면 쪽의 패턴 폭(x)이 기판 쪽의 패턴 폭(y)보다 작 거나 같은 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프 [청구항 17] 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서, 스템프 표면을 웨이퍼 위에 형성된 레지스트막과의 분리를 용이하게 하기 위해 표면 젖음성 조절을 위해 자외선 조사, 플라즈마 처리, 레이저 조사 중에서 선택된 방법을 통해 표면 젖음성을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 스템프