문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 반도체층을 구획하는 분리 영역을 갖고, 상기 저항으로서 이용하는 확산층은 상기 분리 영역에 의해 구획된 영역에 형성되고, 상기 보호 소자는 상기 저항으로서 이용하는 확산층의 주위를 둘러싸는상기분리영역을이용형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 반도체층은, 일 도전형의 반도체 기판 상에 1층 또는 복수층의 역도전형의 에피택셜층이 적층됨으로써 구성되고, 상기 제2 접합 영역은, 상기 저항으로서 이용하는 확산층에 인가되는 고전위 및 저전위의 상기 저전위가 인가되는 제1 일 도전형의 확산층과 상기 에피택셜층에 형성된 역도전형의 확산층에 의해 형성되고, 상기 역도전형의 확산층은, 상기 반도체 기판과 접속하는제2일도전형의확산층과중첩배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 갖고, 상기 제2 일 도전형의 확산층은, 상기 분리 영역을 구성하는확산층인것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제1 일 도전형의 확산층 및 상기 역도전형의 확산층은, 상기 분리 영역의 형성 영역에 맞추어서, 상기 저항으로서 이용하는 확산층의 주위에일환형상배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 보호 소자는,바이폴라트랜지스터동작하는것을특징으로 하는반도체 장4치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 반도체층을 구획하는 분리 영역을 갖고, 상기 다이오드는 상기 분리 영역에 의해 구획된 영역에 형성되고, 상기 보호 소자는 상기 다이오드의 주위를 둘러싸는상기분리영역을이용형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 반도체층은, 일 도전형의 반도체 기판 상에 1층 또는 복수층의 역도전형의 에피택셜층이 적층됨으로써 구성되고, 상기 제2 접합 영역은, 상기 다이오드의 애노드 영역으로서 이용되는 확산층과 배선 접속하는 제1 일 도전형의 확산층과 상기 에피택셜층에 형성된 역도전형의 확산층에 의해 형성되고, 상기 역도전형의 확산층은, 상기 반도체 기판과 접속하는제2일도전형의확산층과중첩배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 갖고, 상기 제2 일 도전형의 확산층은, 상기 분리 영역을 구성하는확산층인것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 제1 일 도전형의 확산층 및 상기 역도전형의 확산층은, 상기 분리 영역의 형성 영역에 맞추어서, 상기 다이오드의 형성 영역의 주위에일환형상배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 12]
제7항 또는 제9항에 있어서,상기 보호 소자는,바이폴라트랜지스터동작하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 13]
제7항에 있어서,상기 제2 접합 영역에는순방향전압인가되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제3항 및 제4항의 내용을 바탕으로 할 때, 제2 접합 영역을 형성하는 구성 요소들과 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 구성하는 확산층의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3항과 제4항을 참조하여 제2 접합 영역을 구성하는 요소들과 에피택셜층을 구획하는 분리 영역의 확산층 사이의 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction제3항에서 제2 접합 영역은 제1 일 도전형의 확산층과 에피택셜층에 형성된 역도전형의 확산층에 의해 형성되며, 역도전형의 확산층은 제2 일 도전형의 확산층과 중첩된다.
- 상기 제2 접합 영역은, 상기 저항으로서 이용하는 확산층에 인가되는 고전위 및 저전위의 상기 저전위가 인가되는 제1 일 도전형의 확산층과 상기 에피택셜층에 형성된 역도전형의 확산층에 의해 형성되고, 상기 역도전형의 확산층은, 상기 반도체 기판과 접속하는 제2 일 도전형의 확산층과 중첩배치되어있는
- 상기 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 갖고, 상기 제2 일 도전형의 확산층은, 상기 분리 영역을 구성하는확산층인것을특징으로 하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection제4항에서 에피택셜층을 구획하는 분리 영역의 확산층이 곧 제2 일 도전형의 확산층임을 확인한다.
- 상기 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 갖고, 상기 제2 일 도전형의 확산층은, 상기 분리 영역을 구성하는확산층인것을특징으로 하는반도체 장치
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4논리 통합
logical_integration제2 접합 영역의 구성 요소 중 하나인 제2 일 도전형의 확산층이 곧 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 구성하는 확산층과 동일함을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제2 접합 영역을 형성하는 구성 요소 중 제2 일 도전형의 확산층이 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 구성하는 확산층과 일치한다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation도출된 결론을 바탕으로 질문에 대한 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제2 접합 영역을 형성하는 구성 요소 중 하나인 제2 일 도전형의 확산층이 에피택셜층을 구획하는 분리 영역을 구성하는 확산층과 동일하다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제2 접합 영역의 구성 요소인 제2 일 도전형의 확산층이 에피택셜층의 분리 영역을 형성하는 확산층 역할을 겸함으로써 구조적 통합을 이룬다.