문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이 및 상기 양자점 발광층과 제 2 전극 사이 중 어느 하나에절연층포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이에 절연층을 포함하고, 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에터널링층포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이에 절연층을 포함하고, 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에바이폴라층포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이에 절연층을 포함하고, 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에유전체층포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이에 절연층을 포함하고, 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 터널링층 및 바이폴라층을 포함하는데, 여기서 터널링층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이에 절연층을 포함하고, 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 서로 다른 밴드갭을 갖는 제 1 바이폴라층 및 제 2 바이폴라층을 포함하는데, 여기서 밴드갭이 큰 제 1 바이폴라층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이 및 상기 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에각각터널링층포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이 및 상기 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 각각바이폴라층포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이 및 상기 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에각각유전체층포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 11]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이 및 상기 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 터널링층 및 바이폴라층을 포함하는데, 여기서 터널링층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 12]
제 1 항에 있어서,상기 소자가 상기 양자점 발광층과 제 1 전극 사이 및 상기 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 서로 다른 밴드갭을 갖는 제 1 바이폴라층 및 제 2 바이폴라층을 포함하는데, 여기서 밴드갭이 큰 제 1 바이폴라층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 13]
제 1 항에 있어서,상기 양자점 발광층은 절연 매트릭스 내에 양자점이 임베디드(embedded)된형태존재하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 14]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 또는 제 2 전극의 소재는 ito(indium tin oxide), izo(indium zinc oxide), fto, al, au, ag, in, sn, mg, ca, pt, ba 및 ni로 이루어진군선택되는것특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 15]
제 1 항에 있어서,상기 터널링층은 sio2, mgo, hfo2와 같은 무기 절연물질 또는 폴리메틸메타크릴레이트(pmma)와 같은 폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는물질포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 16]
제 1 항에 있어서,상기 바이폴라층은 구리 프탈로시아닌(copper pthalocyanine)과 같은 앰바이폴라 모노머(ambipolar monomer), 폴리아닐린(polyaniline)과 같은 폴리머, 무기 필름(inorganic film), p-n 접합(p-n alloy) 및 p-n 혼합 필름(p-n mixed film)으로 이루어진 군으로부터 선택되는물질포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 17]
제 1 항에 있어서,상기 유전체층은 ta2o5, tio2, al2o3 및 y2o3로 이루어진 군으로부터 선택되는물질포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 18]
제 2 항에 있어서,상기 절연층nan은무기절연물질또는유기절연물질포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 19]
제 18 항에 있어서,상기 무기 절연물질은 sio2, lif, baf2, tio2, zno, sic, sno2, wo3, zro2, hfo2, ta2o5, batio3, bazro3, al2o3, y2o3, zrsio4, si3n4 , tin 및 이들의 혼합물로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 20]
제 18 항에 있어서,상기 유기 절연물질은 에폭시수지, 페놀수지를 포함하는 폴리머, 3-(4-바이페닐일)-4-페닐-5-터셔리-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(taz), 3,4,5-트리페닐-1,2,4-트리아졸,3,5-비스(4-터셔리-부틸페닐)-4-페닐-1,2,4-트리아졸 및 아라키딘산(arachidic acid), 스테아린산을 포함하는 지방산 단량체 및 이들의 혼합물로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 21]
제 1 항에 있어서,상기 양자점 발광층은 ii-vi족 화합물 반도체 나노결정, iii-v족 화합물 반도체 나노결정, iv-vi족 화합물 반도체 나노결정, iv족 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는양자점포함하는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 22]
제 21 항에 있어서,상기ii-vi족 화합물 반도체 나노결정은 cdse, cdte, zns, znse, znte을 포함하는 이원소 화합물; cdses, cdsete, cdste, znses, znsete, znste, cdzns, cdznse, cdznte을 포함하는 삼원소 화합물; 및 cdznses, cdznsete, cdznste, cdhgses, cdhgsete, cdhgste, hgznses, hgznsete, hgznste을 포함하는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 iii-v족 화합물 반도체 나노결정은 gan, gap, gaas, gasb, inp, inas, insb을 포함하는 이원소 화합물; ganp, ganas, gansb, gapas, gapsb, innp, innas, innsb, inpas, inpsb, gaalnp을 포함하는 삼원소 화합물; 및 gaalnas, gaalnsb, gaalpas, gaalpsb, gainnp, gainnas, gainnsb, gainpas, gainpsb, inalnp, inalnas, inalnsb, inalpas, inalpsb 을 포함하는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 iv-vi족 화합물 반도체 나노결정은 pbs, pbse, pbte을 포함하는 이원소 화합물; pbses, pbsete, pbste, snpbs, snpbse, snpbte을 포함하는 삼원소 화합물; 및 snpbsse, snpbsete, snpbste을 포함하는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되며,상기 iv족 화합물 반도체 나노결정은 si, ge을 포함하는 단일 원소 화합물; sic, sige을 포함하는 이원소 화합물로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 23]
제 13 항에 있어서,상기 절연 매트릭스는 폴리메탈테타크릴레이트(pmma)와 같은 폴리머, 마그네슘 아세테이트(mg(oocch3)2) 및 졸-겔 전구체 산화물(oxide sol-gel precursor)과 같은 무기물 전구체로 이루어진군선택되는것특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 24]
제 1 항에 있어서,상기 터널링층의 두께는1내지인것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 25]
제 2 항에 있어서,상기 절연층의 두께는10내지인것을특징으로 하는교류 구동형 양자점 전계발광소자.
[청구항 27]
제 26 항에 있어서,상기 전자소자가 디스플레이 소자, 조명 장치,백라이트 유닛또는면발광소자인것을특징으로 하는전자소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
교류 구동형 양자점 전계발광소자에서 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 터널링층과 바이폴라층이 모두 포함될 경우, 터널링층은 양자점 발광층과 어떤 방식으로 적층되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 터널링층과 바이폴라층이 모두 포함될 때, 터널링층의 적층 방식을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6번과 11번에서 터널링층과 바이폴라층이 포함된 경우에 대한 기술적 특징을 추출한다.
- 상기 양자점 발광층과 제 2 전극 사이에 터널링층 및 바이폴라층을 포함하는데, 여기서 터널링층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것
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3근거 선택
evidence_selection터널링층의 적층 위치를 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- 터널링층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것
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4논리 통합
logical_integration청구항 6 및 11의 내용을 종합하면, 터널링층과 바이폴라층이 함께 존재할 경우 터널링층은 양자점 발광층과 인접하여 배치됨을 알 수 있다.
- 터널링층 및 바이폴라층을 포함하는데, 여기서 터널링층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것
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5결론 도출
conclusion_formulation터널링층은 양자점 발광층과 인접하게 적층된다.
- 터널링층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 답변을 생성한다.
- 터널링층은 양자점 발광층과 인접하게적층되는것
최종 답변 (final_answer)
터널링층은 양자점 발광층과 인접하게 적층된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
교류 구동형 양자점 전계발광소자에서 터널링층과 바이폴라층이 제 2 전극 사이에 배치될 경우, 터널링층은 양자점 발광층과 인접하도록 적층 구조를 형성한다.